Sic
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4H-N Grado simulado de investigación de producción de carburo de silicio de oblea de sustrato de SiC de 4 pulgadas
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Obleas de SiC de carburo de silicio de 6 pulgadas y 150 mm tipo 4H-N para investigación de producción MOS o SBD y grado simulado
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Grado de investigación simulado conductor de oblea de SiC 4H-N de 8 pulgadas y 200 mm
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Obleas de carburo de silicio de 2 pulgadas Sustratos de SiC semiaislantes o tipo N 6H o 4H