Sic
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Oblea epitaxial de SiC de 6 pulgadas tipo N/P, admite personalización
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Sustrato de SiC de 6 pulgadas, 4H-N, diámetro 150 mm, grado de producción y de prueba
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Oblea epitaxial de SiC de 4 pulgadas para MOSFET o SBD
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Lingote de SiC de 2 pulgadas, diámetro 50,8 mm x 10 mm, monocristal 4H-N
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Sustrato de SiC de 200 mm, grado ficticio, oblea de SiC 4H-N de 8 pulgadas
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Obleas de SiC de 4 pulgadas, sustratos de SiC semi-aislantes 6H de grado principal, de investigación y de prueba.
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Oblea de sustrato de SiC HPSI de 6 pulgadas, obleas de SiC semi-aislantes de carburo de silicio
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obleas de SiC semi-aislantes de 4 pulgadas, sustrato de SiC HPSI, grado de producción Prime
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Oblea de sustrato de carburo de silicio 4H-Semi de 3 pulgadas (76,2 mm) Obleas de carburo de silicio semi-aislantes de SiC
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Sustratos de SiC de 3 pulgadas de diámetro (76,2 mm) HPSI Prime para investigación y fabricación de prototipos
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Oblea de sustrato de SiC de 2 pulgadas 4H-semi HPSI, modelo de producción, grado de investigación
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Obleas de SiC de 2 pulgadas, sustratos de SiC semi-aislantes 6H o 4H, diámetro 50,8 mm