Sic
-
Oblea epitaxial de SiC de 6 pulgadas, tipo N/P, acepta personalización
-
Sustrato de SiC de 150 mm de diámetro, 4H-N, 6 pulgadas, producción y grado ficticio
-
Oblea de SiC Epi de 4 pulgadas para MOS o SBD
-
Lingote de SiC de 2 pulgadas, diámetro 50,8 mm x 10 mm, monocristal 4H-N
-
Oblea de SiC de 200 mm de grado ficticio 4H-N de 8 pulgadas
-
Semilla de SiC 4H-N de 205 mm de diámetro de China, monocristalina de grado P y D
-
Obleas de SiC de 4 pulgadas, sustratos de SiC semiaislantes 6H de grado primario, de investigación y de prueba
-
Oblea de sustrato de SiC HPSI de 6 pulgadas Obleas de SiC semiaislantes de carburo de silicio
-
Obleas de SiC semiaislantes de 4 pulgadas Sustrato de SiC HPSI Grado de producción principal
-
Oblea de sustrato de SiC semiaislante 4H de 3 pulgadas y 76,2 mm Obleas de SiC semiaislantes de carburo de silicio
-
Sustratos de SiC de 76,2 mm de diámetro y 3 pulgadas, grado HPSI Prime Research y Dummy
-
Oblea de sustrato de SiC de 2 pulgadas HPSI semi-4H, simulación de producción, grado de investigación