Obleas de SiC de 4 pulgadas Sustratos de SiC semiaislantes 6H grado primario, de investigación y simulado

Obleas de SiC de 4 pulgadas Sustratos de SiC semiaislantes 6H de grado primario, de investigación y ficticio Imagen destacada

Breve descripción:

El sustrato de carburo de silicio semiaislado se forma cortando, esmerilando, puliendo, limpiando y otras tecnologías de procesamiento después del crecimiento del cristal de carburo de silicio semiaislado.Se cultiva una capa o capa de cristal multicapa sobre el sustrato que cumple con los requisitos de calidad como epitaxia, y luego se fabrica el dispositivo de RF de microondas combinando el diseño del circuito y el empaque.Disponible como sustratos monocristalinos de carburo de silicio semiaislado de grado industrial, de investigación y de prueba de 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas y 8 pulgadas.

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Especificaciones del producto

Calificación			Grado de producción cero MPD (grado Z)			Grado de producción estándar (grado P)		Grado ficticio (grado D)
Diámetro			99,5 mm~100,0 mm
	4H-SI		500 µm ± 20 µm			500 µm±25 µm
Orientación de la oblea			Fuera del eje: 4,0° hacia < 1120 > ±0,5° para 4H-N, En el eje: <0001>±0,5° para 4H-SI
	4H-SI		≤1cm^-2			≤5cm^-2		≤15cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Orientación plana primaria		{10-10} ±5,0°
Longitud plana primaria		32,5 mm±2,0 mm
Longitud plana secundaria		18,0 mm±2,0 mm
Orientación plana secundaria		Silicio boca arriba: 90° CW.desde plano primario ±5.0°
Exclusión de borde		3 milímetros
LTV/TTV/arco/deformación		≤3 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm						≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm
Aspereza			cara C				Polaco		Ra≤1 nanómetro
			si cara	CMP	Ra≤0,2 nm					Ra≤0,5 nm
Grietas en los bordes por luz de alta intensidad		Ninguno						Longitud acumulada ≤ 10 mm, simple longitud≤2 mm
Placas hexagonales por luz de alta intensidad		Área acumulada ≤0,05%						Área acumulada ≤0,1%
Áreas politipo por luz de alta intensidad		Ninguno						Área acumulada≤3%
Inclusiones visuales de carbono		Área acumulada ≤0,05%						Área acumulada ≤3%
Arañazos en la superficie de silicio causados por luz de alta intensidad		Ninguno						Longitud acumulada≤1＊diámetro de la oblea
Chips de borde altos por intensidad de luz		Ninguno permitido ≥0,2 mm de ancho y profundidad						5 permitidos, ≤1 mm cada uno
Contaminación de la superficie de silicio por alta intensidad		Ninguno
embalaje		Casete de múltiples obleas o contenedor de una sola oblea