Grado de investigación simulado conductor de oblea de SiC 4H-N de 8 pulgadas y 200 mm

Debido a sus propiedades físicas y electrónicas únicas, el material semiconductor de oblea de SiC de 200 mm se utiliza para crear dispositivos electrónicos de alto rendimiento, alta temperatura, resistentes a la radiación y de alta frecuencia.El precio del sustrato de SiC de 8 pulgadas está disminuyendo gradualmente a medida que la tecnología se vuelve más avanzada y crece la demanda.Los recientes avances tecnológicos conducen a la fabricación a escala de producción de obleas de SiC de 200 mm.Las principales ventajas de los materiales semiconductores de obleas de SiC en comparación con las obleas de Si y GaAs: la intensidad del campo eléctrico del 4H-SiC durante la ruptura por avalancha es más de un orden de magnitud mayor que los valores correspondientes para Si y GaAs.Esto conduce a una disminución significativa en la resistividad en estado Ron.La baja resistividad en estado encendido, combinada con una alta densidad de corriente y conductividad térmica, permite el uso de matrices muy pequeñas para dispositivos de potencia.La alta conductividad térmica del SiC reduce la resistencia térmica del chip.Las propiedades electrónicas de los dispositivos basados ​​en obleas de SiC son muy estables en el tiempo y en temperatura, lo que garantiza una alta fiabilidad de los productos.El carburo de silicio es extremadamente resistente a la radiación fuerte, lo que no degrada las propiedades electrónicas del chip.La alta temperatura de funcionamiento límite del cristal (más de 6000 ° C) permite crear dispositivos altamente confiables para condiciones operativas duras y aplicaciones especiales.En la actualidad, podemos suministrar lotes pequeños de obleas de SiC de 200 mm de manera constante y continua y tener algo de stock en el almacén.