tipo grueso del grado de producción 500um de las obleas 4H-N del SiC del carburo de silicio de 8inch 200m m

Obleas de SiC de carburo de silicio de 8 pulgadas y 200 mm Tipo 4H-N Grado de producción Grosor de 500 um Imagen destacada

Breve descripción:

Tecnología Xinkehui de Shanghai.Co., Ltd ofrece la mejor selección y precios para obleas y sustratos de carburo de silicio de alta calidad de hasta 8 pulgadas de diámetro con tipos N y semiaislantes.Pequeñas y grandes empresas de dispositivos semiconductores y laboratorios de investigación de todo el mundo utilizan y confían en nuestras obleas de carburo de silicona.

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Detalle del producto

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Especificación de sustrato de SiC de 200 mm y 8 pulgadas

Tamaño: 8 pulgadas;

Diámetro: 200 mm ± 0,2;

Espesor: 500um±25;

Orientación de la superficie: 4 hacia [11-20]±0,5°;

Orientación de la muesca:[1-100]±1°；

Profundidad de la muesca: 1 ± 0,25 mm;

Microtubo: <1cm2;

Placas hexagonales: No se permiten ninguna;

Resistividad: 0,015~0,028Ω;

DEP:<8000cm2;

DET:<6000cm2

DBP: <2000 cm2

TSD:<1000cm2

SF: área<1%

TTV≤15um；

Deformación≤40um；

Arco≤25um;

Áreas poli: ≤5%;

Rayado: <5 y longitud acumulada <1 Diámetro de oblea;

Descantillados/hendiduras: Ninguno permite D>0,5 mm de ancho y profundidad;

Grietas: Ninguna;

Mancha: Ninguna

Borde de la oblea: Chaflán;

Acabado superficial: Pulido de doble cara, Si Face CMP;

Embalaje: casete de múltiples obleas o contenedor de una sola oblea;

Las dificultades actuales en la preparación de cristales de 4H-SiC de 200 mm son principalmente

1) La preparación de cristales semilla de 4H-SiC de 200 mm de alta calidad;

2) Control del proceso de nucleación y falta de uniformidad del campo de temperatura de gran tamaño;

3) La eficiencia del transporte y la evolución de componentes gaseosos en sistemas de crecimiento de cristales de gran tamaño;

4) El agrietamiento de los cristales y la proliferación de defectos causados por un aumento de la tensión térmica de gran tamaño.

Para superar estos desafíos y obtener obleas de SiC de 200 mm de alta calidad, se proponen soluciones:

En términos de preparación del cristal semilla de 200 mm, campo de flujo de temperatura apropiado y conjunto de expansión, se estudiaron y diseñaron para tener en cuenta la calidad del cristal y el tamaño de expansión;Comenzando con un cristal se:d de SiC de 150 mm, lleve a cabo la iteración del cristal semilla para expandir gradualmente el tamaño del cristal de SiC hasta que alcance 200 mm;A través del crecimiento y procesamiento de múltiples cristales, se optimiza gradualmente la calidad del cristal en el área de expansión del cristal y se mejora la calidad de los cristales semilla de 200 mm.

En términos de preparación de sustrato y cristal conductor de 200 mm, la investigación ha optimizado el diseño del campo de temperatura y del campo de flujo para el crecimiento de cristales de gran tamaño, conduce el crecimiento de cristales de SiC conductores de 200 mm y controla la uniformidad del dopaje.Después del procesamiento aproximado y la conformación del cristal, se obtuvo un lingote de 4H-SiC eléctricamente conductor de 8 pulgadas con un diámetro estándar.Después de cortar, moler, pulir y procesar para obtener obleas de SiC de 200 mm con un espesor de aproximadamente 525 um