Oblea de sustrato de SiC 4H-semi HPSI de 2 pulgadas, producción simulada, grado de investigación

El sustrato de carburo de silicio se divide principalmente en tipo conductor y semiaislante, el sustrato de carburo de silicio conductor al sustrato tipo n se utiliza principalmente para LED epitaxiales basados ​​en GaN y otros dispositivos optoelectrónicos, dispositivos electrónicos de potencia basados ​​en SiC, etc., y semi- El sustrato aislante de carburo de silicio SiC se utiliza principalmente para la fabricación epitaxial de dispositivos de radiofrecuencia de alta potencia GaN.Además, el semiaislamiento de alta pureza HPSI y el semiaislamiento SI son diferentes, la concentración del portador del semiaislamiento de alta pureza es de 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3, con alta movilidad de electrones;El semiaislante es un material de alta resistencia, la resistividad es muy alta, generalmente se usa para sustratos de dispositivos de microondas, no conductores.

Oblea de SiC de hoja de sustrato de carburo de silicio semiaislante

La estructura cristalina del SiC determina sus propiedades físicas, en comparación con el Si y el GaAs, el SiC tiene propiedades físicas;el ancho de banda prohibido es grande, cerca de 3 veces mayor que el del Si, para garantizar que el dispositivo funcione a altas temperaturas con confiabilidad a largo plazo;la intensidad del campo de ruptura es alta, es 10 veces mayor que la del Si, para garantizar que la capacidad de voltaje del dispositivo mejore el valor de voltaje del dispositivo;la tasa de saturación de electrones es grande, es 2 veces mayor que la del Si, para aumentar la frecuencia del dispositivo y la densidad de potencia;La conductividad térmica es alta, más que el Si, la conductividad térmica es alta, la conductividad térmica es alta, la conductividad térmica es alta, la conductividad térmica es alta, más que el Si, la conductividad térmica es alta, la conductividad térmica es alta.Alta conductividad térmica, más de 3 veces mayor que la del Si, aumentando la capacidad de disipación de calor del dispositivo y logrando la miniaturización del dispositivo.