Sic
-
4H-N espesor simulado del grado 500um de la investigación del carburo de silicio de la oblea del sustrato de SiC de 8 pulgadas
-
Oblea de SiC 4H-N/6H-N Producción de investigación Grado ficticio Sustrato de carburo de silicio Dia150mm
-
tipo grueso del grado 500um del grado de producción de las obleas 4H-N del SiC del carburo de silicio de 8inch 200m m
-
Oblea HPSI SiC diámetro: 3 pulgadas de espesor: 350um± 25 µm para electrónica de potencia
-
Oblea de carburo de silicio SiC de 8 pulgadas tipo 4H-N sustrato pulido personalizado de grado de investigación de grado de producción de 0,5 mm
-
Oblea de SiC semiaislante (HPSI) de alta pureza de 3 pulgadas Grado simulado de 350 um Grado primario
-
Oblea de SiC de sustrato de SiC tipo P Dia2inch nuevo producto
-
Grado superior conductor pulido doble del Mos del grado de la oblea de Sic del sustrato del carburo de silicio de 2 pulgadas 6H-N
-
Oblea de carburo de silicio SiC Oblea de SiC 4H-N 6H-N HPSI (semiaislante de alta pureza) 4H/6H-P 3C -n tipo 2 3 4 6 8 pulgadas disponible
-
Sustrato de carburo de silicio Sic de 2 pulgadas, tipo 6H-N, 0,33mm, 0,43mm, pulido de doble cara, alta conductividad térmica, bajo consumo de energía
-
Sustrato de SiC, 3 pulgadas, 350 um de espesor, tipo HPSI, grado primario, grado simulado
-
Lingote de SiC de carburo de silicio de 6 pulgadas tipo N, espesor de grado simulado/primero, ba personalizado