Oblea de SiC HPSI con transmitancia ≥90 % de grado óptico para gafas de IA/RA
Introducción principal: El papel de las obleas de SiC HPSI en las gafas de IA/RA
Las obleas de carburo de silicio HPSI (semiaislante de alta pureza) son obleas especializadas que se caracterizan por su alta resistividad (>10⁹ Ω·cm) y una densidad de defectos extremadamente baja. En las gafas de IA/RA, sirven principalmente como material de sustrato principal para lentes de guía de ondas ópticas difractivas, solucionando los problemas asociados con los materiales ópticos tradicionales en cuanto a su delgadez y ligereza, disipación térmica y rendimiento óptico. Por ejemplo, las gafas de RA que utilizan lentes de guía de ondas de SiC pueden alcanzar un campo de visión (FOV) ultra amplio de 70° a 80°, a la vez que reducen el grosor de una sola capa de lente a tan solo 0,55 mm y el peso a tan solo 2,7 g, lo que mejora significativamente la comodidad de uso y la inmersión visual.
Características clave: Cómo el material SiC potencia el diseño de gafas para IA/RA
Alto índice de refracción y optimización del rendimiento óptico
- El índice de refracción del SiC (2,6-2,7) es casi un 50 % superior al del vidrio tradicional (1,8-2,0). Esto permite estructuras de guía de ondas más delgadas y eficientes, ampliando significativamente el campo de visión (FOV). El alto índice de refracción también ayuda a suprimir el "efecto arcoíris" común en las guías de ondas difractivas, mejorando así la pureza de la imagen.
Capacidad excepcional de gestión térmica
- Con una conductividad térmica de hasta 490 W/m·K (similar a la del cobre), el SiC puede disipar rápidamente el calor generado por los módulos de pantalla Micro-LED. Esto evita la degradación del rendimiento o el envejecimiento del dispositivo debido a las altas temperaturas, garantizando una larga duración de la batería y una alta estabilidad.
Resistencia mecánica y durabilidad
- El SiC tiene una dureza Mohs de 9,5 (superada solo por el diamante), lo que ofrece una resistencia excepcional al rayado, lo que lo hace ideal para gafas de consumo de uso frecuente. Su rugosidad superficial se puede controlar a Ra < 0,5 nm, lo que garantiza una transmisión de luz uniforme y con bajas pérdidas en las guías de onda.
Compatibilidad de propiedades eléctricas
- La resistividad del SiC HPSI (>10⁹ Ω·cm) ayuda a prevenir la interferencia de la señal. También puede servir como material para dispositivos de energía eficientes, optimizando los módulos de gestión de energía en las gafas de RA.
Instrucciones de aplicación primaria
Componentes ópticos básicos para gafas de IA/RAs
- Lentes de guía de ondas difractivas: los sustratos de SiC se utilizan para crear guías de ondas ópticas ultradelgadas que admiten un amplio campo de visión y la eliminación del efecto arco iris.
- Placas y prismas para ventanas: mediante corte y pulido personalizados, el SiC se puede procesar en ventanas protectoras o prismas ópticos para gafas AR, mejorando la transmisión de luz y la resistencia al desgaste.
Aplicaciones ampliadas en otros campos
- Electrónica de potencia: se utiliza en escenarios de alta frecuencia y alta potencia, como inversores de vehículos de nueva energía y controles de motores industriales.
- Óptica cuántica: actúa como anfitrión de centros de color y se utiliza en sustratos para dispositivos de detección y comunicación cuántica.
Comparación de especificaciones de sustratos de SiC HPSI de 4 y 6 pulgadas
| Parámetro | Calificación | Sustrato de 4 pulgadas | Sustrato de 6 pulgadas |
| Diámetro | Grado Z / Grado D | 99,5 mm - 100,0 mm | 149,5 mm - 150,0 mm |
| Poli-tipo | Grado Z / Grado D | 4H | 4H |
| Espesor | Grado Z | 500 μm ± 15 μm | 500 μm ± 15 μm |
| Grado D | 500 μm ± 25 μm | 500 μm ± 25 μm | |
| Orientación de las obleas | Grado Z / Grado D | En el eje: <0001> ± 0,5° | En el eje: <0001> ± 0,5° |
| Densidad de microtubos | Grado Z | ≤ 1 cm² | ≤ 1 cm² |
| Grado D | ≤ 15 cm² | ≤ 15 cm² | |
| Resistividad | Grado Z | ≥ 1E10 Ω·cm | ≥ 1E10 Ω·cm |
| Grado D | ≥ 1E5 Ω·cm | ≥ 1E5 Ω·cm | |
| Orientación plana primaria | Grado Z / Grado D | (10-10) ± 5,0° | (10-10) ± 5,0° |
| Longitud plana primaria | Grado Z / Grado D | 32,5 mm ± 2,0 mm | Muesca |
| Longitud plana secundaria | Grado Z / Grado D | 18,0 mm ± 2,0 mm | - |
| Exclusión de bordes | Grado Z / Grado D | 3 milímetros | 3 milímetros |
| LTV / TTV / Arco / Urdimbre | Grado Z | ≤ 2,5 µm / ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 30 µm | ≤ 2,5 µm / ≤ 6 µm / ≤ 25 µm / ≤ 35 µm |
| Grado D | ≤ 10 µm / ≤ 15 µm / ≤ 25 µm / ≤ 40 µm | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 40 µm / ≤ 80 µm | |
| Rugosidad | Grado Z | Polaco Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm | Polaco Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm |
| Grado D | Polaco Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm | Polaco Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,5 nm | |
| Grietas en los bordes | Grado D | Área acumulada ≤ 0,1% | Longitud acumulada ≤ 20 mm, única ≤ 2 mm |
| Áreas de politipo | Grado D | Área acumulada ≤ 0,3% | Área acumulada ≤ 3% |
| Inclusiones visuales de carbono | Grado Z | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 0,05% |
| Grado D | Área acumulada ≤ 0,3% | Área acumulada ≤ 3% | |
| Arañazos en la superficie del silicio | Grado D | Se permiten 5, cada uno ≤1 mm | Longitud acumulada ≤ 1 x diámetro |
| Fichas de borde | Grado Z | No se permite ninguno (ancho y profundidad ≥0,2 mm) | No se permite ninguno (ancho y profundidad ≥0,2 mm) |
| Grado D | Se permiten 7, cada uno ≤1 mm | Se permiten 7, cada uno ≤1 mm | |
| Dislocación del tornillo de rosca | Grado Z | - | ≤ 500 cm² |
| Embalaje | Grado Z / Grado D | Casete multi-obleas o contenedor de una sola oblea | Casete multi-obleas o contenedor de una sola oblea |
Servicios XKH: Capacidades integradas de fabricación y personalización
La empresa XKH posee capacidades de integración vertical, desde la materia prima hasta las obleas terminadas, abarcando toda la cadena de crecimiento, corte, pulido y procesamiento personalizado del sustrato de SiC. Entre las principales ventajas del servicio se incluyen:
- Diversidad de materiales:Ofrecemos diversos tipos de obleas, como 4H-N, 4H-HPSI, 4H/6H-P y 3C-N. La resistividad, el espesor y la orientación se pueden ajustar según las necesidades.
- Personalización de tamaño flexible:Admitimos el procesamiento de obleas de 2 a 12 pulgadas de diámetro y también podemos procesar estructuras especiales como piezas cuadradas (por ejemplo, 5 x 5 mm, 10 x 10 mm) y prismas irregulares.
- Control de precisión de grado óptico:La variación del espesor total de la oblea (TTV) se puede mantener en <1 μm y la rugosidad de la superficie en Ra < 0,3 nm, lo que cumple con los requisitos de planitud a nivel nanométrico para dispositivos de guía de ondas.
- Respuesta rápida del mercado:El modelo de negocio integrado garantiza una transición eficiente de I+D a la producción en masa, respaldando todo, desde la verificación de lotes pequeños hasta los envíos de gran volumen (el plazo de entrega suele ser de 15 a 40 días).

Preguntas frecuentes sobre las obleas de SiC de HPSI
P1: ¿Por qué se considera que HPSI SiC es un material ideal para lentes de guía de ondas AR?
A1: Su alto índice de refracción (2,6-2,7) permite estructuras de guía de ondas más delgadas y eficientes que admiten un campo de visión más amplio (por ejemplo, 70°–80°) al tiempo que eliminan el "efecto arco iris".
P2: ¿Cómo mejora el SiC HPSI la gestión térmica en las gafas AI/AR?
A2: Con una conductividad térmica de hasta 490 W/m·K (cercana al cobre), disipa eficientemente el calor de componentes como los Micro-LED, lo que garantiza un rendimiento estable y una mayor vida útil del dispositivo.
P3: ¿Qué ventajas de durabilidad ofrece el SiC HPSI para las gafas portátiles?
A3: Su dureza excepcional (Mohs 9.5) proporciona una resistencia superior a los rayones, lo que lo hace muy duradero para el uso diario en gafas AR de consumo.













