Capa epitaxial
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Oblea de capa epi de 200 mm y 8 pulgadas de GaN sobre zafiro
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Sustrato heterogéneo de alto rendimiento para dispositivos acústicos de RF (LNOSiC)
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GaN sobre vidrio de 4 pulgadas: opciones de vidrio personalizables que incluyen JGS1, JGS2, BF33 y cuarzo común
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Oblea de AlN sobre NPSS: capa de nitruro de aluminio de alto rendimiento sobre sustrato de zafiro sin pulir para aplicaciones de alta temperatura, alta potencia y RF.
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Obleas epitaxiales de GaN sobre SiC personalizadas (100 mm, 150 mm): múltiples opciones de sustrato de SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
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Obleas de GaN sobre diamante de 4 pulgadas y 6 pulgadas. Espesor total de epi (micras): 0,6 ~ 2,5 o personalizado para aplicaciones de alta frecuencia.
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Oblea epitaxial de alta potencia GaAs, sustrato de oblea de arseniuro de galio, láser de potencia de longitud de onda de 905 nm para tratamiento médico con láser.
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Los fotodetectores de matriz PD con sustrato de oblea epitaxial InGaAs se pueden utilizar para LiDAR
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Detector de luz APD de sustrato de oblea epitaxial InP de 2, 3 y 4 pulgadas para comunicaciones por fibra óptica o LiDAR
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Oblea epitaxial de SiC de 6 pulgadas, tipo N/P, acepta personalización
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Oblea de SiC Epi de 4 pulgadas para MOS o SBD
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Oblea SOI de sustrato de silicio sobre aislante de tres capas para microelectrónica y radiofrecuencia