Sustrato de oblea de capa Epi de zafiro de 200 mm y 8 pulgadas GaN

Sustrato de oblea de capa Epi de GaN sobre zafiro de 200 mm y 8 pulgadas Imagen destacada

Breve descripción:

El proceso de fabricación implica el crecimiento epitaxial de una capa de GaN sobre un sustrato de zafiro utilizando técnicas avanzadas como la deposición química de vapor organometálico (MOCVD) o la epitaxia de haz molecular (MBE).La deposición se lleva a cabo en condiciones controladas para garantizar una alta calidad del cristal y uniformidad de la película.

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Introducción del producto

El sustrato de GaN sobre zafiro de 8 pulgadas es un material semiconductor de alta calidad compuesto por una capa de nitruro de galio (GaN) cultivada sobre un sustrato de zafiro.Este material ofrece excelentes propiedades de transporte electrónico y es ideal para la fabricación de dispositivos semiconductores de alta potencia y alta frecuencia.

Método de fabricación

Aplicaciones

El sustrato de GaN sobre zafiro de 8 pulgadas encuentra amplias aplicaciones en diversos campos, incluidas las comunicaciones por microondas, sistemas de radar, tecnología inalámbrica y optoelectrónica.Algunas de las aplicaciones comunes incluyen:

1. Amplificadores de potencia de RF

2. Industria de la iluminación LED

3. Dispositivos de comunicación de red inalámbrica.

4. Dispositivos electrónicos para ambientes de alta temperatura.

5. Odispositivos ptoelectrónicos

Especificaciones del producto

-Dimensión: El tamaño del sustrato es de 8 pulgadas (200 mm) de diámetro.

- Calidad de la superficie: La superficie está pulida con un alto grado de suavidad y exhibe una excelente calidad similar a un espejo.

- Espesor: El espesor de la capa de GaN se puede personalizar según requisitos específicos.

- Embalaje: El sustrato se empaqueta cuidadosamente en materiales antiestáticos para evitar daños durante el transporte.

- Orientación plana: el sustrato tiene una orientación plana específica para ayudar en la alineación y manipulación de la oblea durante los procesos de fabricación del dispositivo.

- Otros parámetros: los detalles específicos del espesor, la resistividad y la concentración de dopantes se pueden adaptar según los requisitos del cliente.

Con sus propiedades de material superiores y aplicaciones versátiles, el sustrato GaN sobre zafiro de 8 pulgadas es una opción confiable para el desarrollo de dispositivos semiconductores de alto rendimiento en diversas industrias.

Excepto GaN-On-Sapphire, también podemos ofrecer en el campo de aplicaciones de dispositivos de energía, la familia de productos incluye obleas epitaxiales de AlGaN/GaN-on-Si de 8 pulgadas y placas epitaxiales de AlGaN/GaN-on-Si con tapa P de 8 pulgadas. obleas.Al mismo tiempo, innovamos en la aplicación de su propia tecnología avanzada de epitaxia GaN de 8 pulgadas en el campo de las microondas y desarrollamos una oblea de epitaxia AlGaN/GAN-on-HR Si de 8 pulgadas que combina alto rendimiento con gran tamaño y bajo costo. y compatible con el procesamiento de dispositivos estándar de 8 pulgadas.Además del nitruro de galio a base de silicio, también contamos con una línea de productos de obleas epitaxiales de AlGaN/GaN-on-SiC para satisfacer las necesidades de los clientes en cuanto a materiales epitaxiales de nitruro de galio a base de silicio.