Oblea SOI de sustrato de silicio sobre aislante de tres capas para microelectrónica y radiofrecuencia

Breve descripción:

SOI nombre completo Silicon On Insulator, es el significado de la estructura del transistor de silicio en la parte superior del aislante, el principio es entre el transistor de silicio, agregar material aislante, puede hacer que la capacitancia parásita entre los dos sea menos del doble que la original.


Detalle del producto

Etiquetas de productos

Introducir caja de oblea

Presentamos nuestra avanzada oblea de silicio sobre aislante (SOI), meticulosamente diseñada con tres capas distintas, que revoluciona la microelectrónica y las aplicaciones de radiofrecuencia (RF).Este sustrato innovador combina una capa de silicio superior, una capa de óxido aislante y un sustrato de silicio inferior para ofrecer un rendimiento y una versatilidad incomparables.

Diseñada para las demandas de la microelectrónica moderna, nuestra oblea SOI proporciona una base sólida para la fabricación de circuitos integrados (CI) complejos con velocidad, eficiencia energética y confiabilidad superiores.La capa superior de silicio permite la integración perfecta de componentes electrónicos complejos, mientras que la capa de óxido aislante minimiza la capacitancia parásita, mejorando el rendimiento general del dispositivo.

En el ámbito de las aplicaciones de RF, nuestra oblea SOI destaca por su baja capacitancia parásita, su alto voltaje de ruptura y sus excelentes propiedades de aislamiento.Ideal para conmutadores, amplificadores, filtros y otros componentes de RF, este sustrato garantiza un rendimiento óptimo en sistemas de comunicación inalámbrica, sistemas de radar y más.

Además, la tolerancia inherente a la radiación de nuestra oblea SOI la hace ideal para aplicaciones aeroespaciales y de defensa, donde la confiabilidad en entornos hostiles es fundamental.Su construcción robusta y sus excepcionales características de rendimiento garantizan un funcionamiento constante incluso en condiciones extremas.

Características clave:

Arquitectura de tres capas: capa de silicio superior, capa de óxido aislante y sustrato de silicio inferior.

Rendimiento microelectrónico superior: permite la fabricación de circuitos integrados avanzados con mayor velocidad y eficiencia energética.

Excelente rendimiento de RF: baja capacitancia parásita, alto voltaje de ruptura y propiedades de aislamiento superiores para dispositivos de RF.

Fiabilidad de grado aeroespacial: la tolerancia inherente a la radiación garantiza la fiabilidad en entornos hostiles.

Aplicaciones versátiles: Adecuado para una amplia gama de industrias, incluidas las de telecomunicaciones, aeroespacial, defensa y más.

Experimente la próxima generación de microelectrónica y tecnología de RF con nuestra avanzada oblea de silicio sobre aislante (SOI).Descubra nuevas posibilidades de innovación e impulse el progreso en sus aplicaciones con nuestra solución de sustrato de vanguardia.

Diagrama detallado

asd
asd

  • Anterior:
  • Próximo:

  • Escribe aquí tu mensaje y envíanoslo