Obleas de carburo de silicio (SiC) de 6 pulgadas y 150 mm, tipo 4H-N para investigación de producción MOS o SBD y grado ficticio

Descripción breve:

El sustrato monocristalino de carburo de silicio de 6 pulgadas es un material de alto rendimiento con excelentes propiedades físicas y químicas. Fabricado con carburo de silicio monocristalino de alta pureza, presenta una conductividad térmica, estabilidad mecánica y resistencia a altas temperaturas superiores. Este sustrato, fabricado mediante procesos de fabricación de precisión y materiales de alta calidad, se ha convertido en el material predilecto para la fabricación de dispositivos electrónicos de alta eficiencia en diversos campos.

Envíanos un correo electrónico

Características

Campos de aplicación

El sustrato monocristalino de carburo de silicio de 6 pulgadas desempeña un papel crucial en diversas industrias. En primer lugar, se utiliza ampliamente en la industria de semiconductores para la fabricación de dispositivos electrónicos de alta potencia, como transistores de potencia, circuitos integrados y módulos de potencia. Su alta conductividad térmica y resistencia a altas temperaturas permiten una mejor disipación del calor, lo que se traduce en una mayor eficiencia y fiabilidad. En segundo lugar, las obleas de carburo de silicio son esenciales en la investigación para el desarrollo de nuevos materiales y dispositivos. Además, la oblea de carburo de silicio tiene amplias aplicaciones en el campo de la optoelectrónica, incluyendo la fabricación de LED y diodos láser.

Especificaciones del producto

El sustrato monocristalino de carburo de silicio de 6 pulgadas tiene un diámetro de 6 pulgadas (aproximadamente 152,4 mm). La rugosidad superficial es Ra < 0,5 nm y el espesor es de 600 ± 25 μm. El sustrato se puede personalizar con conductividad tipo N o tipo P, según las necesidades del cliente. Además, presenta una estabilidad mecánica excepcional, capaz de soportar presión y vibración.

Diámetro		150 ± 2,0 mm (6 pulgadas)
Espesor		350 μm ± 25 μm
Orientación		En el eje: <0001>±0,5°		Fuera del eje: 4,0° hacia 1120 ± 0,5°
Politipo		4H
Resistividad (Ω·cm)	4H-N	0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025 ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
Orientación plana primaria		{10-10}±5,0°
Longitud plana primaria (mm)		47,5 mm ± 2,5 mm
Borde		Chaflán
TTV/Arco/Urdimbre (um)		≤15 /≤40 /≤60
Frente AFM (cara de Si)		Polaco Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,5 nm
Valor de vida útil		≤3 μm (10 mm x 10 mm)	≤5 μm (10 mm x 10 mm)		≤10 μm (10 mm x 10 mm)
Televisión por cable		≤5μm	≤10 μm		≤15 μm
Cáscara de naranja/huesos/grietas/contaminación/manchas/estrías		Ninguno	Ninguno		Ninguno
sangrías		Ninguno	Ninguno		Ninguno

El sustrato monocristalino de carburo de silicio de 6 pulgadas es un material de alto rendimiento ampliamente utilizado en las industrias de semiconductores, investigación y optoelectrónica. Ofrece excelente conductividad térmica, estabilidad mecánica y resistencia a altas temperaturas, lo que lo hace ideal para la fabricación de dispositivos electrónicos de alta potencia y la investigación de nuevos materiales. Ofrecemos diversas especificaciones y opciones de personalización para satisfacer las diversas demandas de nuestros clientes.¡Contáctenos para obtener más detalles sobre las obleas de carburo de silicio!