Obleas de SiC de carburo de silicio de 6 pulgadas y 150 mm tipo 4H-N para investigación de producción MOS o SBD y grado simulado

Obleas de SiC de carburo de silicio de 6 pulgadas y 150 mm tipo 4H-N para investigación de producción de MOS o SBD y grado ficticio Imagen destacada

Breve descripción:

El sustrato monocristalino de carburo de silicio de 6 pulgadas es un material de alto rendimiento con excelentes propiedades físicas y químicas. Fabricado con material monocristalino de carburo de silicio de alta pureza, exhibe una conductividad térmica, estabilidad mecánica y resistencia a altas temperaturas superiores. Este sustrato, elaborado con procesos de fabricación de precisión y materiales de alta calidad, se ha convertido en el material preferido para la fabricación de dispositivos electrónicos de alta eficiencia en diversos campos.

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Campos de aplicación

El sustrato monocristalino de carburo de silicio de 6 pulgadas desempeña un papel crucial en múltiples industrias. En primer lugar, se utiliza ampliamente en la industria de los semiconductores para la fabricación de dispositivos electrónicos de alta potencia, como transistores de potencia, circuitos integrados y módulos de potencia. Su alta conductividad térmica y resistencia a altas temperaturas permiten una mejor disipación del calor, lo que resulta en una mayor eficiencia y confiabilidad. En segundo lugar, las obleas de carburo de silicio son fundamentales en los campos de investigación para el desarrollo de nuevos materiales y dispositivos. Además, la oblea de carburo de silicio encuentra amplias aplicaciones en el campo de la optoelectrónica, incluida la fabricación de LED y diodos láser.

Especificaciones del producto

El sustrato monocristalino de carburo de silicio de 6 pulgadas tiene un diámetro de 6 pulgadas (aproximadamente 152,4 mm). La rugosidad de la superficie es Ra <0,5 nm y el espesor es 600 ± 25 μm. El sustrato se puede personalizar con conductividad tipo N o tipo P, según los requisitos del cliente. Además, presenta una estabilidad mecánica excepcional, capaz de soportar presiones y vibraciones.

Diámetro		150 ± 2,0 mm (6 pulgadas)
Espesor		350 µm±25 µm
Orientación		En el eje: <0001>±0,5°		Fuera del eje: 4,0° hacia 1120±0,5°
politipo		4H
Resistividad(Ω·cm)	4H-N	0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025 ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
Orientación plana primaria		{10-10}±5,0°
Longitud plana primaria (mm)		47,5 mm±2,5 mm
Borde		Chaflán
TTV/arco/deformación (um)		≤15 /≤40 /≤60
Frente AFM (cara Si)		Polaco Ra≤1 nm
		CMPRa≤0,5 nm
TVL		≤3μm(10mm*10mm)	≤5μm(10mm*10mm)		≤10μm(10mm*10mm)
televisión		≤5μm	≤10 μm		≤15 μm
Piel de naranja/hoyos/grietas/contaminación/manchas/estrías		Ninguno	Ninguno		Ninguno
sangrías		Ninguno	Ninguno		Ninguno

El sustrato monocristalino de carburo de silicio de 6 pulgadas es un material de alto rendimiento ampliamente utilizado en las industrias de semiconductores, investigación y optoelectrónica. Ofrece excelente conductividad térmica, estabilidad mecánica y resistencia a altas temperaturas, lo que lo hace adecuado para la fabricación de dispositivos electrónicos de alta potencia y la investigación de nuevos materiales. Ofrecemos varias especificaciones y opciones de personalización para satisfacer las diversas demandas de los clientes.¡Contáctenos para obtener más detalles sobre las obleas de carburo de silicio!