Oblea de capa epitaxial de GaN sobre zafiro de 50,8 mm (2 pulgadas)
Aplicación de láminas epitaxiales de nitruro de galio (GaN)
En función del rendimiento del nitruro de galio, los chips epitaxiales de nitruro de galio son principalmente adecuados para aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia y bajo voltaje.
Se refleja en:
1) Banda prohibida alta: Una banda prohibida alta mejora el nivel de voltaje de los dispositivos de nitruro de galio y puede generar una potencia mayor que los dispositivos de arseniuro de galio, lo que resulta especialmente adecuado para estaciones base de comunicación 5G, radares militares y otros campos;
2) Alta eficiencia de conversión: la resistencia en estado activo de los dispositivos electrónicos de potencia de conmutación de nitruro de galio es 3 órdenes de magnitud menor que la de los dispositivos de silicio, lo que puede reducir significativamente la pérdida de conmutación en estado activo;
3) Alta conductividad térmica: la alta conductividad térmica del nitruro de galio le confiere un excelente rendimiento de disipación de calor, lo que lo hace adecuado para la producción de dispositivos de alta potencia, alta temperatura y otros campos;
4) Intensidad del campo eléctrico de ruptura: Aunque la intensidad del campo eléctrico de ruptura del nitruro de galio es cercana a la del nitruro de silicio, debido al proceso de semiconductores, al desajuste de la red cristalina del material y otros factores, la tolerancia de voltaje de los dispositivos de nitruro de galio suele ser de unos 1000 V, y el voltaje de uso seguro suele ser inferior a 650 V.
| Artículo | GaN-TCU-C50 | GaN-TCN-C50 | GaN-TCP-C50 |
| Dimensiones | e 50,8 mm ± 0,1 mm | ||
| Espesor | 4,5 ± 0,5 µm | 4,5 ± 0,5 µm | |
| Orientación | Plano C(0001) ±0,5° | ||
| Tipo de conducción | Tipo N (sin dopar) | Tipo N (dopado con Si) | Tipo P (dopado con Mg) |
| Resistividad (300K) | < 0,5 Q·cm | < 0,05 Q·cm | ~ 10 Q・cm |
| Concentración del portador | < 5x1017centímetro-3 | > 1x1018centímetro-3 | > 6 x 10¹⁶ cm-3 |
| Movilidad | ~ 300 cm2/Vs | ~ 200 cm2/Vs | ~ 10 cm2/Vs |
| Densidad de dislocación | Menos de 5x108centímetro-2(calculado mediante FWHM de XRD) | ||
| Estructura del sustrato | GaN sobre zafiro (Estándar: SSP Opción: DSP) | ||
| Superficie útil | > 90% | ||
| Paquete | Envasado en un entorno de sala limpia clase 100, en casetes de 25 unidades o en contenedores de obleas individuales, bajo atmósfera de nitrógeno. | ||
* Se pueden personalizar otros grosores.
Diagrama detallado
