Oblea de capa Epi de GaN de 50,8 mm y 2 pulgadas sobre zafiro

Oblea de capa Epi de GaN sobre zafiro de 50,8 mm y 2 pulgadas Imagen destacada

Breve descripción:

Como material semiconductor de tercera generación, el nitruro de galio tiene las ventajas de resistencia a altas temperaturas, alta compatibilidad, alta conductividad térmica y banda prohibida amplia. Según los diferentes materiales del sustrato, las láminas epitaxiales de nitruro de galio se pueden dividir en cuatro categorías: nitruro de galio a base de nitruro de galio, nitruro de galio a base de carburo de silicio, nitruro de galio a base de zafiro y nitruro de galio a base de silicio. La lámina epitaxial de nitruro de galio a base de silicio es el producto más utilizado con un bajo costo de producción y una tecnología de producción madura.

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Aplicación de lámina epitaxial de GaN de nitruro de galio.

Basado en el rendimiento del nitruro de galio, los chips epitaxiales de nitruro de galio son principalmente adecuados para aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia y bajo voltaje.

Se refleja en:

1) Banda prohibida alta: La banda prohibida alta mejora el nivel de voltaje de los dispositivos de nitruro de galio y puede generar mayor potencia que los dispositivos de arseniuro de galio, lo que es especialmente adecuado para estaciones base de comunicación 5G, radares militares y otros campos;

2) Alta eficiencia de conversión: la resistencia de los dispositivos electrónicos de potencia de conmutación de nitruro de galio es 3 órdenes de magnitud menor que la de los dispositivos de silicio, lo que puede reducir significativamente la pérdida de conmutación;

3) Alta conductividad térmica: la alta conductividad térmica del nitruro de galio hace que tenga un excelente rendimiento de disipación de calor, adecuado para la producción de dispositivos de alta potencia, alta temperatura y otros campos;

4) Intensidad del campo eléctrico de ruptura: aunque la intensidad del campo eléctrico de ruptura del nitruro de galio es cercana a la del nitruro de silicio, debido al proceso de semiconductores, la falta de coincidencia de la red de materiales y otros factores, la tolerancia de voltaje de los dispositivos de nitruro de galio suele ser de aproximadamente 1000 V, y la El voltaje de uso seguro suele ser inferior a 650 V.

Artículo	GaN-TCU-C50	GaN-TCN-C50	GaN-TCP-C50
Dimensiones	mi 50,8 mm ± 0,1 mm
Espesor	4,5 ± 0,5 micras		4,5 ± 0,5 um
Orientación	Plano C(0001) ±0,5°
Tipo de conducción	Tipo N (sin dopar)	Tipo N (dopado con Si)	Tipo P (dopado con Mg)
Resistividad (3O0K)	< 0,5 Q・cm	< 0,05 Q・cm	~ 10 Q・cm
Concentración de portadores	< 5x10¹⁷centímetro^-3	> 1x10¹⁸centímetro^-3	> 6x1016cm^-3
Movilidad	~ 300cm²/vs	~ 200 cm²/vs	~ 10 cm²/vs
Densidad de dislocación	Menos de 5x10⁸centímetro^-2(calculado por FWHM de XRD)
Estructura del sustrato	GaN en zafiro (Estándar: SSP Opción: DSP)
Área de superficie útil	> 90%
Paquete	Envasado en un ambiente de sala limpia clase 100, en casetes de 25 unidades o contenedores de oblea individuales, bajo atmósfera de nitrógeno.