Oblea de capa epitaxial de GaN sobre zafiro de 50,8 mm y 2 pulgadas

Descripción breve:

Como material semiconductor de tercera generación, el nitruro de galio ofrece ventajas como resistencia a altas temperaturas, alta compatibilidad, alta conductividad térmica y amplio ancho de banda. Según el material del sustrato, las láminas epitaxiales de nitruro de galio se dividen en cuatro categorías: nitruro de galio basado en nitruro de galio, nitruro de galio basado en carburo de silicio, nitruro de galio basado en zafiro y nitruro de galio basado en silicio. La lámina epitaxial de nitruro de galio basado en silicio es el producto más utilizado, con un bajo coste de producción y una tecnología de producción consolidada.

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Aplicación de lámina epitaxial de nitruro de galio (GaN)

Basados en el rendimiento del nitruro de galio, los chips epitaxiales de nitruro de galio son principalmente adecuados para aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia y bajo voltaje.

Se refleja en:

1) Banda prohibida alta: la banda prohibida alta mejora el nivel de voltaje de los dispositivos de nitruro de galio y puede generar mayor potencia que los dispositivos de arseniuro de galio, lo que es especialmente adecuado para estaciones base de comunicación 5G, radar militar y otros campos;

2) Alta eficiencia de conversión: la resistencia de encendido de los dispositivos electrónicos de potencia de conmutación de nitruro de galio es 3 órdenes de magnitud menor que la de los dispositivos de silicio, lo que puede reducir significativamente la pérdida de conmutación de encendido;

3) Alta conductividad térmica: la alta conductividad térmica del nitruro de galio le da un excelente rendimiento de disipación de calor, adecuado para la producción de dispositivos de alta potencia, alta temperatura y otros campos;

4) Intensidad de campo eléctrico de ruptura: aunque la intensidad de campo eléctrico de ruptura del nitruro de galio es cercana a la del nitruro de silicio, debido al proceso de semiconductores, el desajuste de la red del material y otros factores, la tolerancia de voltaje de los dispositivos de nitruro de galio suele ser de aproximadamente 1000 V, y el voltaje de uso seguro suele ser inferior a 650 V.

Artículo	GaN-TCU-C50	GaN-TCN-C50	GaN-TCP-C50
Dimensiones	y 50,8 mm ± 0,1 mm
Espesor	4,5 ± 0,5 um		4,5 ± 0,5 um
Orientación	Plano C(0001) ±0,5°
Tipo de conducción	Tipo N (sin dopar)	Tipo N (dopado con Si)	Tipo P (dopado con Mg)
Resistividad (3O0K)	< 0,5 Q·cm	< 0,05 Q·cm	~ 10 Q・cm
Concentración de portadores	< 5x10¹⁷centímetro^-3	> 1x10¹⁸centímetro^-3	> 6x1016 cm^-3
Movilidad	~300 centímetros²/Vs	~ 200 centímetros²/Vs	~ 10 centímetros²/Vs
Densidad de dislocación	Menos de 5x10⁸centímetro^-2(calculado por FWHM de XRD)
Estructura del sustrato	GaN sobre zafiro (estándar: SSP, opción: DSP)
Área de superficie utilizable	> 90%
Paquete	Envasado en sala limpia clase 100, en casetes de 25 unidades o en contenedores de obleas individuales, bajo atmósfera de nitrógeno.