Obleas de carburo de silicio de alta pureza (sin dopar) de 3 pulgadas con sustratos de SiC semiaislantes (HPSl)
Propiedades
1. Propiedades físicas y estructurales
●Tipo de material: Carburo de silicio (SiC) de alta pureza (sin dopar)
●Diámetro: 3 pulgadas (76,2 mm)
●Espesor: 0,33-0,5 mm, personalizable según los requisitos de la aplicación.
●Estructura cristalina: Politipo 4H-SiC con red hexagonal, conocido por su alta movilidad electrónica y estabilidad térmica.
●Orientación:
oEstándar: [0001] (plano C), adecuado para una amplia gama de aplicaciones.
oOpcional: Fuera del eje (inclinación de 4° u 8°) para un mejor crecimiento epitaxial de las capas del dispositivo.
●Planitud: Variación del espesor total (TTV) ●Calidad de la superficie:
oPulido a baja densidad de defectos (<10/cm² de densidad de microtubos). 2. Propiedades eléctricas ●Resistividad: >109^99 Ω·cm, mantenida mediante la eliminación de dopantes intencionales.
●Rigidez dieléctrica: Resistencia a alto voltaje con pérdidas dieléctricas mínimas, ideal para aplicaciones de alta potencia.
●Conductividad térmica: 3,5-4,9 W/cm·K, lo que permite una disipación de calor eficaz en dispositivos de alto rendimiento.
3. Propiedades térmicas y mecánicas
●Banda prohibida amplia: 3,26 eV, que admite el funcionamiento en condiciones de alto voltaje, alta temperatura y alta radiación.
●Dureza: Escala de Mohs 9, lo que garantiza robustez frente al desgaste mecánico durante el procesamiento.
●Coeficiente de expansión térmica: 4,2×10−6/K4,2 \times 10^{-6}/\text{K}4,2×10−6/K, lo que garantiza la estabilidad dimensional bajo variaciones de temperatura.
Parámetro | Grado de producción | Grado de investigación | Grado ficticio | Unidad |
Calificación | Grado de producción | Grado de investigación | Grado ficticio | |
Diámetro | 76,2 ± 0,5 | 76,2 ± 0,5 | 76,2 ± 0,5 | mm |
Espesor | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 | micras |
Orientación de las obleas | En el eje: <0001> ± 0,5° | En el eje: <0001> ± 2,0° | En el eje: <0001> ± 2,0° | grado |
Densidad de microtuberías (MPD) | ≤ 1 | ≤ 5 | ≤ 10 | cm−2^-2−2 |
Resistividad eléctrica | ≥ 1E10 | ≥ 1E5 | ≥ 1E5 | Ω·cm |
Dopante | Sin dopar | Sin dopar | Sin dopar | |
Orientación plana primaria | {1-100} ± 5,0° | {1-100} ± 5,0° | {1-100} ± 5,0° | grado |
Longitud plana primaria | 32,5 ± 3,0 | 32,5 ± 3,0 | 32,5 ± 3,0 | mm |
Longitud plana secundaria | 18,0 ± 2,0 | 18,0 ± 2,0 | 18,0 ± 2,0 | mm |
Orientación plana secundaria | 90° CW desde el plano primario ± 5,0° | 90° CW desde el plano primario ± 5,0° | 90° CW desde el plano primario ± 5,0° | grado |
Exclusión de bordes | 3 | 3 | 3 | mm |
LTV/TTV/Arco/Urdimbre | 3 / 10 / ±30 / 40 | 3 / 10 / ±30 / 40 | 5 / 15 / ±40 / 45 | micras |
Rugosidad de la superficie | Cara Si: CMP, Cara C: Pulida | Cara Si: CMP, Cara C: Pulida | Cara Si: CMP, Cara C: Pulida | |
Grietas (Luz de Alta Intensidad) | Ninguno | Ninguno | Ninguno | |
Placas hexagonales (luz de alta intensidad) | Ninguno | Ninguno | Área acumulada 10% | % |
Áreas de politipo (luz de alta intensidad) | Área acumulada 5% | Área acumulada 20% | Área acumulada 30% | % |
Arañazos (Luz de Alta Intensidad) | ≤ 5 arañazos, longitud acumulada ≤ 150 | ≤ 10 arañazos, longitud acumulada ≤ 200 | ≤ 10 arañazos, longitud acumulada ≤ 200 | mm |
Astillado de bordes | Ninguno ≥ 0,5 mm de ancho/profundidad | 2 permitidos ≤ 1 mm de ancho/profundidad | 5 permitidos ≤ 5 mm de ancho/profundidad | mm |
Contaminación de la superficie | Ninguno | Ninguno | Ninguno |
Aplicaciones
1. Electrónica de potencia
La amplia banda prohibida y la alta conductividad térmica de los sustratos de SiC HPSI los hacen ideales para dispositivos de potencia que operan en condiciones extremas, como:
●Dispositivos de alto voltaje: incluidos MOSFET, IGBT y diodos de barrera Schottky (SBD) para una conversión de energía eficiente.
●Sistemas de energía renovable: como inversores solares y controladores de turbinas eólicas.
●Vehículos eléctricos (VE): se utilizan en inversores, cargadores y sistemas de propulsión para mejorar la eficiencia y reducir el tamaño.
2. Aplicaciones de RF y microondas
La alta resistividad y las bajas pérdidas dieléctricas de las obleas HPSI son esenciales para los sistemas de radiofrecuencia (RF) y microondas, incluidos:
●Infraestructura de Telecomunicaciones: Estaciones base para redes 5G y comunicaciones satelitales.
●Aeroespacial y Defensa: Sistemas de radar, antenas de matriz en fase y componentes de aviónica.
3. Optoelectrónica
La transparencia y el amplio ancho de banda del 4H-SiC permiten su uso en dispositivos optoelectrónicos, como:
●Fotodetectores UV: Para monitoreo ambiental y diagnóstico médico.
●LED de alta potencia: compatibles con sistemas de iluminación de estado sólido.
●Diodos láser: para aplicaciones industriales y médicas.
4. Investigación y desarrollo
Los sustratos de SiC HPSI se utilizan ampliamente en laboratorios de investigación y desarrollo académicos e industriales para explorar propiedades de materiales avanzados y fabricación de dispositivos, incluidos:
●Crecimiento de capas epitaxiales: estudios sobre reducción de defectos y optimización de capas.
●Estudios de movilidad de portadores: investigación del transporte de electrones y huecos en materiales de alta pureza.
●Prototipado: Desarrollo inicial de dispositivos y circuitos novedosos.
Ventajas
Calidad superior:
La alta pureza y la baja densidad de defectos proporcionan una plataforma confiable para aplicaciones avanzadas.
Estabilidad térmica:
Las excelentes propiedades de disipación de calor permiten que los dispositivos funcionen eficientemente en condiciones de alta potencia y temperatura.
Amplia compatibilidad:
Las orientaciones disponibles y las opciones de espesor personalizado garantizan la adaptabilidad a diversos requisitos del dispositivo.
Durabilidad:
La dureza excepcional y la estabilidad estructural minimizan el desgaste y la deformación durante el procesamiento y la operación.
Versatilidad:
Adecuado para una amplia gama de industrias, desde energías renovables hasta la industria aeroespacial y las telecomunicaciones.
Conclusión
La oblea de carburo de silicio semiaislante de alta pureza de 3 pulgadas representa la cumbre de la tecnología de sustratos para dispositivos optoelectrónicos de alta potencia y alta frecuencia. Su combinación de excelentes propiedades térmicas, eléctricas y mecánicas garantiza un rendimiento fiable en entornos exigentes. Desde la electrónica de potencia y los sistemas de radiofrecuencia hasta la optoelectrónica y la I+D avanzada, estos sustratos HPSI sientan las bases para las innovaciones del futuro.
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Diagrama detallado



