Obleas de carburo de silicio de alta pureza (sin dopar) de 3 pulgadas con sustratos de SiC semiaislantes (HPSl)

Descripción breve:

La oblea de carburo de silicio (SiC) semiaislante de alta pureza (HPSI) de 3 pulgadas es un sustrato de primera calidad optimizado para aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia y optoelectrónicas. Fabricadas con 4H-SiC de alta pureza y sin dopar, estas obleas presentan una excelente conductividad térmica, un amplio ancho de banda y excepcionales propiedades semiaislantes, lo que las hace indispensables para el desarrollo de dispositivos avanzados. Con una integridad estructural y una calidad superficial superiores, los sustratos de SiC HPSI sientan las bases para las tecnologías de última generación en las industrias de electrónica de potencia, telecomunicaciones y aeroespacial, impulsando la innovación en diversos campos.


Detalle del producto

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Propiedades

1. Propiedades físicas y estructurales
●Tipo de material: Carburo de silicio (SiC) de alta pureza (sin dopar)
●Diámetro: 3 pulgadas (76,2 mm)
●Espesor: 0,33-0,5 mm, personalizable según los requisitos de la aplicación.
●Estructura cristalina: Politipo 4H-SiC con red hexagonal, conocido por su alta movilidad electrónica y estabilidad térmica.
●Orientación:
oEstándar: [0001] (plano C), adecuado para una amplia gama de aplicaciones.
oOpcional: Fuera del eje (inclinación de 4° u 8°) para un mejor crecimiento epitaxial de las capas del dispositivo.
●Planitud: Variación del espesor total (TTV) ●Calidad de la superficie:
oPulido a baja densidad de defectos (<10/cm² de densidad de microtubos). 2. Propiedades eléctricas ●Resistividad: >109^99 Ω·cm, mantenida mediante la eliminación de dopantes intencionales.
●Rigidez dieléctrica: Resistencia a alto voltaje con pérdidas dieléctricas mínimas, ideal para aplicaciones de alta potencia.
●Conductividad térmica: 3,5-4,9 W/cm·K, lo que permite una disipación de calor eficaz en dispositivos de alto rendimiento.

3. Propiedades térmicas y mecánicas
●Banda prohibida amplia: 3,26 eV, que admite el funcionamiento en condiciones de alto voltaje, alta temperatura y alta radiación.
●Dureza: Escala de Mohs 9, lo que garantiza robustez frente al desgaste mecánico durante el procesamiento.
●Coeficiente de expansión térmica: 4,2×10−6/K4,2 \times 10^{-6}/\text{K}4,2×10−6/K, lo que garantiza la estabilidad dimensional bajo variaciones de temperatura.

Parámetro

Grado de producción

Grado de investigación

Grado ficticio

Unidad

Calificación Grado de producción Grado de investigación Grado ficticio  
Diámetro 76,2 ± 0,5 76,2 ± 0,5 76,2 ± 0,5 mm
Espesor 500 ± 25 500 ± 25 500 ± 25 micras
Orientación de las obleas En el eje: <0001> ± 0,5° En el eje: <0001> ± 2,0° En el eje: <0001> ± 2,0° grado
Densidad de microtuberías (MPD) ≤ 1 ≤ 5 ≤ 10 cm−2^-2−2
Resistividad eléctrica ≥ 1E10 ≥ 1E5 ≥ 1E5 Ω·cm
Dopante Sin dopar Sin dopar Sin dopar  
Orientación plana primaria {1-100} ± 5,0° {1-100} ± 5,0° {1-100} ± 5,0° grado
Longitud plana primaria 32,5 ± 3,0 32,5 ± 3,0 32,5 ± 3,0 mm
Longitud plana secundaria 18,0 ± 2,0 18,0 ± 2,0 18,0 ± 2,0 mm
Orientación plana secundaria 90° CW desde el plano primario ± 5,0° 90° CW desde el plano primario ± 5,0° 90° CW desde el plano primario ± 5,0° grado
Exclusión de bordes 3 3 3 mm
LTV/TTV/Arco/Urdimbre 3 / 10 / ±30 / 40 3 / 10 / ±30 / 40 5 / 15 / ±40 / 45 micras
Rugosidad de la superficie Cara Si: CMP, Cara C: Pulida Cara Si: CMP, Cara C: Pulida Cara Si: CMP, Cara C: Pulida  
Grietas (Luz de Alta Intensidad) Ninguno Ninguno Ninguno  
Placas hexagonales (luz de alta intensidad) Ninguno Ninguno Área acumulada 10% %
Áreas de politipo (luz de alta intensidad) Área acumulada 5% Área acumulada 20% Área acumulada 30% %
Arañazos (Luz de Alta Intensidad) ≤ 5 arañazos, longitud acumulada ≤ 150 ≤ 10 arañazos, longitud acumulada ≤ 200 ≤ 10 arañazos, longitud acumulada ≤ 200 mm
Astillado de bordes Ninguno ≥ 0,5 mm de ancho/profundidad 2 permitidos ≤ 1 mm de ancho/profundidad 5 permitidos ≤ 5 mm de ancho/profundidad mm
Contaminación de la superficie Ninguno Ninguno Ninguno  

Aplicaciones

1. Electrónica de potencia
La amplia banda prohibida y la alta conductividad térmica de los sustratos de SiC HPSI los hacen ideales para dispositivos de potencia que operan en condiciones extremas, como:
●Dispositivos de alto voltaje: incluidos MOSFET, IGBT y diodos de barrera Schottky (SBD) para una conversión de energía eficiente.
●Sistemas de energía renovable: como inversores solares y controladores de turbinas eólicas.
●Vehículos eléctricos (VE): se utilizan en inversores, cargadores y sistemas de propulsión para mejorar la eficiencia y reducir el tamaño.

2. Aplicaciones de RF y microondas
La alta resistividad y las bajas pérdidas dieléctricas de las obleas HPSI son esenciales para los sistemas de radiofrecuencia (RF) y microondas, incluidos:
●Infraestructura de Telecomunicaciones: Estaciones base para redes 5G y comunicaciones satelitales.
●Aeroespacial y Defensa: Sistemas de radar, antenas de matriz en fase y componentes de aviónica.

3. Optoelectrónica
La transparencia y el amplio ancho de banda del 4H-SiC permiten su uso en dispositivos optoelectrónicos, como:
●Fotodetectores UV: Para monitoreo ambiental y diagnóstico médico.
●LED de alta potencia: compatibles con sistemas de iluminación de estado sólido.
●Diodos láser: para aplicaciones industriales y médicas.

4. Investigación y desarrollo
Los sustratos de SiC HPSI se utilizan ampliamente en laboratorios de investigación y desarrollo académicos e industriales para explorar propiedades de materiales avanzados y fabricación de dispositivos, incluidos:
●Crecimiento de capas epitaxiales: estudios sobre reducción de defectos y optimización de capas.
●Estudios de movilidad de portadores: investigación del transporte de electrones y huecos en materiales de alta pureza.
●Prototipado: Desarrollo inicial de dispositivos y circuitos novedosos.

Ventajas

Calidad superior:
La alta pureza y la baja densidad de defectos proporcionan una plataforma confiable para aplicaciones avanzadas.

Estabilidad térmica:
Las excelentes propiedades de disipación de calor permiten que los dispositivos funcionen eficientemente en condiciones de alta potencia y temperatura.

Amplia compatibilidad:
Las orientaciones disponibles y las opciones de espesor personalizado garantizan la adaptabilidad a diversos requisitos del dispositivo.

Durabilidad:
La dureza excepcional y la estabilidad estructural minimizan el desgaste y la deformación durante el procesamiento y la operación.

Versatilidad:
Adecuado para una amplia gama de industrias, desde energías renovables hasta la industria aeroespacial y las telecomunicaciones.

Conclusión

La oblea de carburo de silicio semiaislante de alta pureza de 3 pulgadas representa la cumbre de la tecnología de sustratos para dispositivos optoelectrónicos de alta potencia y alta frecuencia. Su combinación de excelentes propiedades térmicas, eléctricas y mecánicas garantiza un rendimiento fiable en entornos exigentes. Desde la electrónica de potencia y los sistemas de radiofrecuencia hasta la optoelectrónica y la I+D avanzada, estos sustratos HPSI sientan las bases para las innovaciones del futuro.
Para más información o para realizar un pedido, contáctenos. Nuestro equipo técnico está disponible para brindarle asesoramiento y opciones de personalización adaptadas a sus necesidades.

Diagrama detallado

SiC Semiaislante03
SiC Semiaislante02
SiC Semiaislante06
SiC Semiaislante05

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