Oblea de capa epi de 200 mm y 8 pulgadas de GaN sobre zafiro
Introducción del producto
El sustrato de GaN sobre zafiro de 8 pulgadas es un material semiconductor de alta calidad compuesto por una capa de nitruro de galio (GaN) formada sobre un sustrato de zafiro. Este material ofrece excelentes propiedades de transporte electrónico y es ideal para la fabricación de dispositivos semiconductores de alta potencia y alta frecuencia.
Método de fabricación
El proceso de fabricación implica el crecimiento epitaxial de una capa de GaN sobre un sustrato de zafiro mediante técnicas avanzadas como la deposición química en fase de vapor metalorgánica (MOCVD) o la epitaxia por haz molecular (MBE). La deposición se lleva a cabo en condiciones controladas para garantizar una alta calidad del cristal y la uniformidad de la película.
Aplicaciones
El sustrato de GaN sobre zafiro de 8 pulgadas tiene amplias aplicaciones en diversos campos, como las comunicaciones por microondas, los sistemas de radar, la tecnología inalámbrica y la optoelectrónica. Algunas de las aplicaciones más comunes incluyen:
1. Amplificadores de potencia de RF
2. Industria de la iluminación LED
3. Dispositivos de comunicación de red inalámbrica
4. Dispositivos electrónicos para entornos de alta temperatura
5. Odispositivos ptoelectrónicos
Especificaciones del producto
-Dimensión: El tamaño del sustrato es de 8 pulgadas (200 mm) de diámetro.
- Calidad de la superficie: La superficie está pulida hasta un alto grado de suavidad y exhibe una excelente calidad similar a un espejo.
- Espesor: El espesor de la capa de GaN se puede personalizar según requisitos específicos.
- Embalaje: El sustrato se empaqueta cuidadosamente en materiales antiestáticos para evitar daños durante el transporte.
- Orientación plana: El sustrato tiene una orientación plana específica para ayudar en la alineación y el manejo de las obleas durante los procesos de fabricación del dispositivo.
- Otros parámetros: Los detalles del espesor, la resistividad y la concentración de dopantes se pueden adaptar según los requisitos del cliente.
Con sus propiedades materiales superiores y aplicaciones versátiles, el sustrato de GaN sobre zafiro de 8 pulgadas es una opción confiable para el desarrollo de dispositivos semiconductores de alto rendimiento en diversas industrias.
Además de GaN sobre zafiro, también ofrecemos productos para aplicaciones de dispositivos de potencia. Nuestra familia de productos incluye obleas epitaxiales de AlGaN/GaN sobre Si de 8 pulgadas y obleas epitaxiales de AlGaN/GaN sobre Si con tapa P de 8 pulgadas. Asimismo, innovamos en la aplicación de nuestra propia tecnología avanzada de epitaxia de GaN de 8 pulgadas en el campo de las microondas y desarrollamos una oblea epitaxial de AlGaN/GAN sobre HR Si de 8 pulgadas que combina alto rendimiento con gran tamaño, bajo costo y compatibilidad con el procesamiento estándar de dispositivos de 8 pulgadas. Además del nitruro de galio basado en silicio, también contamos con una línea de obleas epitaxiales de AlGaN/GaN sobre SiC para satisfacer las necesidades de nuestros clientes en materiales epitaxiales de nitruro de galio basado en silicio.
Diagrama detallado
