Sustrato de oblea de capa Epi de zafiro de 200 mm y 8 pulgadas GaN

-Dimensión: El tamaño del sustrato es de 8 pulgadas (200 mm) de diámetro.

- Calidad de la superficie: La superficie está pulida con un alto grado de suavidad y exhibe una excelente calidad similar a un espejo.

- Espesor: El espesor de la capa de GaN se puede personalizar según requisitos específicos.

- Embalaje: El sustrato se empaqueta cuidadosamente en materiales antiestáticos para evitar daños durante el transporte.

- Orientación plana: el sustrato tiene una orientación plana específica para ayudar en la alineación y manipulación de la oblea durante los procesos de fabricación del dispositivo.

- Otros parámetros: los detalles específicos del espesor, la resistividad y la concentración de dopantes se pueden adaptar según los requisitos del cliente.

Con sus propiedades de material superiores y aplicaciones versátiles, el sustrato GaN sobre zafiro de 8 pulgadas es una opción confiable para el desarrollo de dispositivos semiconductores de alto rendimiento en diversas industrias.

Excepto GaN-On-Sapphire, también podemos ofrecer en el campo de aplicaciones de dispositivos de energía, la familia de productos incluye obleas epitaxiales de AlGaN/GaN-on-Si de 8 pulgadas y placas epitaxiales de AlGaN/GaN-on-Si con tapa P de 8 pulgadas. obleas. Al mismo tiempo, innovamos en la aplicación de su propia tecnología avanzada de epitaxia GaN de 8 pulgadas en el campo de las microondas y desarrollamos una oblea de epitaxia AlGaN/GAN-on-HR Si de 8 pulgadas que combina alto rendimiento con gran tamaño y bajo costo. y compatible con el procesamiento de dispositivos estándar de 8 pulgadas. Además del nitruro de galio a base de silicio, también contamos con una línea de productos de obleas epitaxiales de AlGaN/GaN-on-SiC para satisfacer las necesidades de los clientes en cuanto a materiales epitaxiales de nitruro de galio a base de silicio.