Oblea epitaxial de nitruro de galio de 150 mm, 200 mm, 6 pulgadas y 8 pulgadas de GaN sobre silicio
Método de fabricación
El proceso de fabricación implica el crecimiento de capas de GaN sobre un sustrato de zafiro mediante técnicas avanzadas como la deposición química en fase de vapor metalorgánica (MOCVD) o la epitaxia de haces moleculares (MBE). El proceso de deposición se lleva a cabo en condiciones controladas para garantizar la alta calidad del cristal y una película uniforme.
Aplicaciones de GaN sobre zafiro de 6 pulgadas: Los chips de sustrato de zafiro de 6 pulgadas se utilizan ampliamente en comunicaciones de microondas, sistemas de radar, tecnología inalámbrica y optoelectrónica.
Algunas aplicaciones comunes incluyen:
1. Amplificador de potencia de RF
2. Industria de la iluminación LED
3. Equipos de comunicación de red inalámbrica
4. Dispositivos electrónicos en entornos de alta temperatura.
5. Dispositivos optoelectrónicos
Especificaciones del producto
- Tamaño: El diámetro del sustrato es de 6 pulgadas (aproximadamente 150 mm).
- Calidad de la superficie: La superficie ha sido finamente pulida para proporcionar una excelente calidad de espejo.
- Espesor: El espesor de la capa de GaN se puede personalizar según requisitos específicos.
- Embalaje: El sustrato se embalará cuidadosamente con materiales antiestáticos para evitar daños durante el transporte.
- Bordes de posicionamiento: El sustrato tiene bordes de posicionamiento específicos que facilitan la alineación y la operación durante la preparación del dispositivo.
- Otros parámetros: Se pueden ajustar parámetros específicos como delgadez, resistividad y concentración de dopaje según los requisitos del cliente.
Con sus propiedades materiales superiores y diversas aplicaciones, las obleas de sustrato de zafiro de 6 pulgadas son una opción confiable para el desarrollo de dispositivos semiconductores de alto rendimiento en diversas industrias.
| Sustrato | 6” 1 mm <111> tipo p Si | 6” 1 mm <111> tipo p Si |
| Espesor promedio de epi | ~5um | ~7um |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Arco | +/-45 um | +/-45 um |
| Agrietamiento | <5 mm | <5 mm |
| BV vertical | >1000 V | >1400 V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT Promedio grueso | 20-30 nm | 20-30 nm |
| Tapa de SiN in situ | 5-60 nm | 5-60 nm |
| Concentración 2DEG | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Movilidad | ~2000 cm2/Vs (<2%) | ~2000 cm2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330 ohmios/cuadrado (<2%) | <330 ohmios/cuadrado (<2%) |
Diagrama detallado
