oblea epitaxial de nitruro de galio de 150 mm 200 mm 6 pulgadas 8 pulgadas GaN en oblea de epi-capa de silicio

Oblea epitaxial de nitruro de galio de 150 mm, 200 mm, 6 pulgadas y 8 pulgadas de GaN en silicio Oblea epitaxial Imagen destacada

Breve descripción:

La oblea GaN Epi-layer de 6 pulgadas es un material semiconductor de alta calidad que consta de capas de nitruro de galio (GaN) cultivadas sobre un sustrato de silicio. El material tiene excelentes propiedades de transporte electrónico y es ideal para fabricar dispositivos semiconductores de alta potencia y alta frecuencia.

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Detalle del producto

Etiquetas de producto

Método de fabricación

El proceso de fabricación implica el cultivo de capas de GaN sobre un sustrato de zafiro utilizando técnicas avanzadas como la deposición química de vapor organometálico (MOCVD) o la epitaxia de haz molecular (MBE). El proceso de deposición se lleva a cabo en condiciones controladas para garantizar una alta calidad del cristal y una película uniforme.

Aplicaciones de GaN sobre zafiro de 6 pulgadas: los chips de sustrato de zafiro de 6 pulgadas se utilizan ampliamente en comunicaciones por microondas, sistemas de radar, tecnología inalámbrica y optoelectrónica.

Algunas aplicaciones comunes incluyen

1. amplificador de potencia de radiofrecuencia

2. Industria de la iluminación LED

3. Equipos de comunicación de red inalámbrica.

4. Dispositivos electrónicos en ambientes de alta temperatura.

5. Dispositivos optoelectrónicos

Especificaciones del producto

- Tamaño: El diámetro del sustrato es de 6 pulgadas (aproximadamente 150 mm).

- Calidad de la superficie: La superficie ha sido finamente pulida para proporcionar una excelente calidad de espejo.

- Espesor: El espesor de la capa de GaN se puede personalizar según requisitos específicos.

- Embalaje: El sustrato se embala cuidadosamente con materiales antiestáticos para evitar daños durante el transporte.

- Bordes de posicionamiento: El sustrato tiene bordes de posicionamiento específicos que facilitan la alineación y operación durante la preparación del dispositivo.

- Otros parámetros: parámetros específicos como delgadez, resistividad y concentración de dopaje se pueden ajustar según los requisitos del cliente.

Con sus propiedades materiales superiores y diversas aplicaciones, las obleas de sustrato de zafiro de 6 pulgadas son una opción confiable para el desarrollo de dispositivos semiconductores de alto rendimiento en diversas industrias.

sustrato	6” 1mm <111> tipo p Si	6” 1mm <111> tipo p Si
Epi GruesoPromedio	~5um	~7um
Epi GruesoUnif	<2%	<2%
Arco	+/-45um	+/-45um
Agrietamiento	<5mm	<5mm
VB vertical	>1000V	>1400V
HEMT%Al%	25-35%	25-35%
HEMT Promedio grueso	20-30 nm	20-30 nm
Tapa Insitu SiN	5-60nm	5-60nm
Concentración 2DEG.	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
Movilidad	~2000cm²/Vs (<2%)	~2000cm²/Vs (<2%)
rsh	<330 ohmios/cuadrado (<2%)	<330 ohmios/cuadrado (<2%)