Oblea epitaxial de nitruro de galio de 100 mm y 4 pulgadas de GaN sobre zafiro

(1) Horneado a alta temperatura, el sustrato de zafiro se calienta primero a 1050 ℃ en una atmósfera de hidrógeno, el propósito es limpiar la superficie del sustrato;

(2) Cuando la temperatura del sustrato desciende a 510 ℃, se deposita una capa amortiguadora de GaN/AlN de baja temperatura con un espesor de 30 nm sobre la superficie del sustrato de zafiro;

(3) Aumento de temperatura a 10 ℃, se inyectan el gas de reacción amoníaco, trimetilgalio y silano, controlan respectivamente el caudal correspondiente y se cultiva el GaN tipo N dopado con silicio de 4 um de espesor;

(4) El gas de reacción de trimetilaluminio y trimetilgalio se utilizó para preparar continentes A⒑ de tipo N dopados con silicio con un espesor de 0,15 um;

(5) Se preparó InGaN dopado con Zn de 50 nm inyectando trimetilgalio, trimetilindio, dietilzinc y amoníaco a una temperatura de 800 °C y controlando diferentes caudales respectivamente;

(6) La temperatura se incrementó a 1020 ℃, se inyectaron trimetilaluminio, trimetilgalio y bis (ciclopentadienil) magnesio para preparar 0,15 um de AlGaN tipo P dopado con Mg y 0,5 um de glucosa en sangre G tipo P dopada con Mg;

(7) La película Sibuyan de GaN tipo P de alta calidad se obtuvo mediante recocido en atmósfera de nitrógeno a 700 ℃;

(8) Grabado en la superficie de estasis G de tipo P para revelar la superficie de estasis G de tipo N;

(9) Evaporación de placas de contacto Ni/Au en la superficie p-GaNI, evaporación de placas de contacto △/Al en la superficie ll-GaN para formar electrodos.