Sustrato
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Oblea SOI de sustrato de silicio sobre aislante de tres capas para microelectrónica y radiofrecuencia
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Aislante de oblea SOI sobre silicio Obleas SOI (silicio sobre aislante) de 8 y 6 pulgadas
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Oblea epitaxial de SiC de 6 pulgadas, tipo N/P, acepta personalización
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Oblea de cerámica de alúmina de 4 pulgadas de pureza, 99 % policristalina, resistente al desgaste, 1 mm de espesor
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Oblea de SiC de 200 mm de grado ficticio 4H-N de 8 pulgadas
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Oblea de dióxido de silicio Oblea de SiO2 pulida gruesa, de primera calidad y de grado de prueba
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Semilla de SiC 4H-N de 205 mm de diámetro de China, monocristalina de grado P y D
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Oblea de silicio FZ CZ en stock Oblea de silicio de 12 pulgadas de primera calidad o de prueba
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Sustrato de SiC de 150 mm de diámetro, 4H-N, 6 pulgadas, producción y grado ficticio
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Oblea de zafiro de 76,2 mm de diámetro y 0,5 mm de espesor, plano C SSP
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Oblea de silicio de 8 pulgadas, tipo P/N (100), sustrato de recuperación ficticio de 1-100 Ω
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Oblea de SiC Epi de 4 pulgadas para MOS o SBD