Oblea de silicio de óxido térmico de película fina SiO2 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas

El proceso principal de fabricación de obleas de silicio oxidado suele incluir los siguientes pasos: crecimiento del silicio monocristalino, corte en obleas, pulido, limpieza y oxidación.

Crecimiento de silicio monocristalino: En primer lugar, el silicio monocristalino se cultiva a altas temperaturas mediante métodos como el método Czochralski o el método de zona flotante.Este método permite la preparación de monocristales de silicio con alta pureza e integridad reticular.

Corte en cubitos: el silicio monocristalino cultivado suele tener forma cilíndrica y debe cortarse en finas obleas para utilizarlas como sustrato de oblea.El corte se suele realizar con un cortador de diamante.

Pulido: La superficie de la oblea cortada puede ser desigual y requiere un pulido químico-mecánico para obtener una superficie lisa.

Limpieza: Se limpia la oblea pulida para eliminar impurezas y polvo.

Oxidación: Finalmente, las obleas de silicio se introducen en un horno de alta temperatura para un tratamiento de oxidación para formar una capa protectora de dióxido de silicio para mejorar sus propiedades eléctricas y resistencia mecánica, además de servir como capa aislante en circuitos integrados.

Los principales usos de las obleas de silicio oxidado incluyen la fabricación de circuitos integrados, la fabricación de células solares y la fabricación de otros dispositivos electrónicos.Las obleas de óxido de silicio se utilizan ampliamente en el campo de los materiales semiconductores debido a sus excelentes propiedades mecánicas, estabilidad dimensional y química, capacidad para operar a altas temperaturas y altas presiones, así como buenas propiedades aislantes y ópticas.

Sus ventajas incluyen una estructura cristalina completa, composición química pura, dimensiones precisas, buenas propiedades mecánicas, etc. Estas características hacen que las obleas de óxido de silicio sean particularmente adecuadas para la fabricación de circuitos integrados de alto rendimiento y otros dispositivos microelectrónicos.