Oblea de silicio de óxido térmico de película delgada SiO2 de 4, 6, 8 y 12 pulgadas
Introducción de la caja de obleas
El proceso principal de fabricación de obleas de silicio oxidado generalmente incluye los siguientes pasos: crecimiento de silicio monocristalino, corte en obleas, pulido, limpieza y oxidación.
Crecimiento de silicio monocristalino: En primer lugar, el silicio monocristalino se cultiva a altas temperaturas mediante métodos como el método Czochralski o el método de zona flotante. Este método permite la preparación de monocristales de silicio con alta pureza e integridad reticular.
Corte en dados: El silicio monocristalino cultivado suele tener forma cilíndrica y debe cortarse en obleas delgadas para su uso como sustrato. El corte se realiza generalmente con un cortador de diamante.
Pulido: La superficie de la oblea cortada puede ser irregular y requiere de un pulido químico-mecánico para obtener una superficie lisa.
Limpieza: La oblea pulida se limpia para eliminar impurezas y polvo.
Oxidación: Finalmente, las obleas de silicio se introducen en un horno de alta temperatura para recibir un tratamiento de oxidación para formar una capa protectora de dióxido de silicio que mejora sus propiedades eléctricas y su resistencia mecánica, además de servir como capa aislante en circuitos integrados.
Los principales usos de las obleas de silicio oxidado incluyen la fabricación de circuitos integrados, células solares y otros dispositivos electrónicos. Las obleas de óxido de silicio se utilizan ampliamente en el campo de los materiales semiconductores debido a sus excelentes propiedades mecánicas, estabilidad dimensional y química, capacidad para operar a altas temperaturas y presiones, así como a sus buenas propiedades aislantes y ópticas.
Sus ventajas incluyen una estructura cristalina completa, composición química pura, dimensiones precisas, buenas propiedades mecánicas, etc. Estas características hacen que las obleas de óxido de silicio sean particularmente adecuadas para la fabricación de circuitos integrados de alto rendimiento y otros dispositivos microelectrónicos.
Diagrama detallado
