Película delgada de óxido térmico de SiO2 sobre oblea de silicio de 4, 6, 8 y 12 pulgadas
Introducción de la caja de obleas
El proceso principal de fabricación de obleas de silicio oxidado generalmente incluye los siguientes pasos: crecimiento de silicio monocristalino, corte en obleas, pulido, limpieza y oxidación.
Crecimiento de silicio monocristalino: En primer lugar, el silicio monocristalino se cultiva a altas temperaturas mediante métodos como el de Czochralski o el de zona flotante. Este método permite la preparación de monocristales de silicio con alta pureza e integridad de la red cristalina.
Corte: El silicio monocristalino cultivado suele tener forma cilíndrica y debe cortarse en obleas delgadas para utilizarlas como sustrato. El corte se realiza generalmente con una cortadora de diamante.
Pulido: La superficie de la oblea cortada puede ser irregular y requiere un pulido químico-mecánico para obtener una superficie lisa.
Limpieza: La oblea pulida se limpia para eliminar impurezas y polvo.
Oxidación: Finalmente, las obleas de silicio se introducen en un horno de alta temperatura para un tratamiento de oxidación que forma una capa protectora de dióxido de silicio para mejorar sus propiedades eléctricas y resistencia mecánica, además de servir como capa aislante en los circuitos integrados.
Las obleas de silicio oxidado se utilizan principalmente en la fabricación de circuitos integrados, células solares y otros dispositivos electrónicos. Su uso está muy extendido en el campo de los materiales semiconductores debido a sus excelentes propiedades mecánicas, su estabilidad dimensional y química, su capacidad para operar a altas temperaturas y presiones, así como sus buenas propiedades aislantes y ópticas.
Entre sus ventajas se incluyen una estructura cristalina completa, una composición química pura, dimensiones precisas, buenas propiedades mecánicas, etc. Estas características hacen que las obleas de óxido de silicio sean particularmente adecuadas para la fabricación de circuitos integrados de alto rendimiento y otros dispositivos microelectrónicos.
Diagrama detallado
