Oblea SOI de sustrato de silicio sobre aislante de tres capas para microelectrónica y radiofrecuencia

Descripción breve:

El nombre completo de SOI, Silicon On Insulator, es el significado de la estructura del transistor de silicio sobre el aislante, el principio es entre el transistor de silicio, agregar material aislante, puede hacer que la capacitancia parásita entre los dos sea menos del doble que la original.


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Introducción de la caja de obleas

Presentamos nuestra avanzada oblea de silicio sobre aislante (SOI), meticulosamente diseñada con tres capas distintas, que revoluciona la microelectrónica y las aplicaciones de radiofrecuencia (RF). Este innovador sustrato combina una capa superior de silicio, una capa de óxido aislante y un sustrato inferior de silicio para ofrecer un rendimiento y una versatilidad inigualables.

Diseñada para las exigencias de la microelectrónica moderna, nuestra oblea SOI proporciona una base sólida para la fabricación de circuitos integrados (CI) complejos con velocidad, eficiencia energética y fiabilidad superiores. La capa superior de silicio permite la integración fluida de componentes electrónicos complejos, mientras que la capa de óxido aislante minimiza la capacitancia parásita, mejorando así el rendimiento general del dispositivo.

En el ámbito de las aplicaciones de RF, nuestra oblea SOI destaca por su baja capacitancia parásita, alta tensión de ruptura y excelentes propiedades de aislamiento. Ideal para conmutadores, amplificadores, filtros y otros componentes de RF, este sustrato garantiza un rendimiento óptimo en sistemas de comunicación inalámbrica, sistemas de radar y más.

Además, la tolerancia inherente a la radiación de nuestra oblea SOI la hace ideal para aplicaciones aeroespaciales y de defensa, donde la fiabilidad en entornos hostiles es crucial. Su robusta construcción y excepcionales características de rendimiento garantizan un funcionamiento constante incluso en condiciones extremas.

Características principales:

Arquitectura de tres capas: capa superior de silicio, capa de óxido aislante y sustrato de silicio inferior.

Rendimiento microelectrónico superior: permite la fabricación de circuitos integrados avanzados con mayor velocidad y eficiencia energética.

Excelente rendimiento de RF: baja capacitancia parásita, alto voltaje de ruptura y propiedades de aislamiento superiores para dispositivos de RF.

Confiabilidad de grado aeroespacial: la tolerancia a la radiación inherente garantiza confiabilidad en entornos hostiles.

Aplicaciones versátiles: adecuado para una amplia gama de industrias, incluidas las telecomunicaciones, la industria aeroespacial, la defensa y más.

Experimente la próxima generación de microelectrónica y tecnología de radiofrecuencia con nuestra avanzada oblea de silicio sobre aislante (SOI). Descubra nuevas posibilidades de innovación e impulse el progreso de sus aplicaciones con nuestra innovadora solución de sustrato.

Diagrama detallado

trastorno del espectro autista
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