Sic
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Oblea de SiC HPSI 4H-N, oblea epitaxial de SiC 6H-N, 6H-P y 3C-N para MOS o SBD.
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Oblea epitaxial de SiC para dispositivos de potencia – 4H-SiC, tipo N, baja densidad de defectos
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Oblea epitaxial de SiC tipo 4H-N de alta tensión y alta frecuencia
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Obleas de carburo de silicio de alta pureza (sin dopar) de 3 pulgadas, sustratos de SiC semi-aislantes (HPSI).
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Oblea de sustrato de SiC 4H-N de 8 pulgadas, carburo de silicio, grado de investigación, espesor de 500 µm.
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Oblea de SiC 4H-N/6H-N para investigación y producción. Grado ficticio. Diámetro: 150 mm. Sustrato de carburo de silicio.
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Oblea recubierta de oro, oblea de zafiro, oblea de silicio, oblea de SiC, 2 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, espesor del recubrimiento de oro: 10 nm, 50 nm, 100 nm
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Oblea de SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P Tipo 3C 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas
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Sustrato de carburo de silicio SiC de 2 pulgadas, tipo 6H-N, pulido a doble cara de 0,33 mm y 0,43 mm. Alta conductividad térmica y bajo consumo de energía.
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Sustrato de SiC de 3 pulgadas y 350 µm de espesor, tipo HPSI, grado Prime, grado ficticio
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Lingote de carburo de silicio (SiC) de 6 pulgadas, tipo N. El espesor puede ser personalizable, tanto para grados estándar como para grados primarios.
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Lingote semi-aislante de carburo de silicio 4H-SiC de 6 pulgadas, grado ficticio