Sic
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Sustrato monocristalino de carburo de silicio (SiC): oblea de 10 x 10 mm
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Oblea de SiC HPSI 4H-N Oblea epitaxial de SiC 6H-N 6H-P 3C-N para MOS o SBD
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Oblea epitaxial de SiC para dispositivos de potencia: 4H-SiC, tipo N, baja densidad de defectos
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Oblea epitaxial de SiC tipo 4H-N de alto voltaje y alta frecuencia
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Obleas de carburo de silicio de alta pureza (sin dopar) de 3 pulgadas con sustratos de SiC semiaislantes (HPSl)
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Oblea de sustrato de SiC de 8 pulgadas y 4H-N, maniquí de carburo de silicio, grado de investigación, espesor de 500 um
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Producción de obleas de SiC 4H-N/6H-N con sustrato de carburo de silicio de 150 mm de diámetro.
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Oblea recubierta de Au, oblea de zafiro, oblea de silicio, oblea de SiC, 2 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, espesor recubierto de oro 10 nm, 50 nm, 100 nm
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Oblea de SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P Tipo 3C 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas
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Sustrato de carburo de silicio Sic de 2 pulgadas, tipo 6H-N, 0,33 mm, 0,43 mm, pulido de doble cara, alta conductividad térmica, bajo consumo de energía.
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Sustrato de SiC de 3 pulgadas y 350 um de espesor, tipo HPSI, grado principal, grado ficticio
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Lingote de carburo de silicio SiC de 6 pulgadas, tipo N, grado ficticio/principal, con espesor personalizable.