Oblea de SiC 4H-N/6H-N Producción de investigación Grado simulado Sustrato de carburo de silicio Dia150mm

Breve descripción:

Podemos proporcionar sustratos de película delgada superconductores de alta temperatura, películas delgadas magnéticas y sustratos de película delgada ferroeléctrica, cristal semiconductor, cristal óptico, materiales de cristal láser, al mismo tiempo brindamos servicios de orientación, corte de cristal, esmerilado, pulido y otros servicios de procesamiento.Nuestros sustratos de SiC provienen de la fábrica Tankeblue en China.


Detalle del producto

Etiquetas de productos

Especificación del sustrato de carburo de silicio (SiC) de 6 pulgadas de diámetro

Calificación

MPD cero

Producción

Grado de investigación

Grado ficticio

Diámetro

150,0 mm ± 0,25 mm

Espesor

4H-N

350um±25um

4H-SI

500um±25um

Orientación de la oblea

En el eje:<0001>±0,5°para 4H-SI
Fuera del eje: 4,0°hacia<1120>±0,5°para 4H-N

Piso Primario

{10-10}±5,0°

Longitud plana primaria

47,5 mm ± 2,5 mm

Exclusión de bordes

3mm

TTV/arco/deformación

≤15um/≤40um/≤60um

Densidad del microtubo

≤1cm-2

≤5cm-2

≤15cm-2

≤50cm-2

Resistividad 4H-N 4H-SI

0,015~0,028Ω!cm

≥1E5Ω!cm

Aspereza

Polaco Ra ≤1nm CMP Ra≤0.5nm

#Grietas por luz de alta intensidad

Ninguno

1 permitido, ≤2 mm

Longitud acumulada ≤10 mm, longitud única ≤2 mm

*Placas hexagonales por luz de alta intensidad.

Área acumulada ≤1%

Área acumulada ≤ 2%

Área acumulada ≤ 5%

*Áreas politipo por luz de alta intensidad

Ninguno

Área acumulada ≤ 2%

Área acumulada ≤ 5%

*&Arañazos por luz de alta intensidad

3 rayones por 1 x longitud acumulada del diámetro de la oblea

5 rayones por 1 x diámetro de oblea de longitud acumulada

5 rayones hasta 1 x longitud acumulada del diámetro de la oblea

chip de borde

Ninguno

3 permitidos, ≤0,5 mm cada uno

5 permitidos, ≤1 mm cada uno

Contaminación por luz de alta intensidad.

Ninguno

Ventas y servicio al cliente

Compra de Materiales

El departamento de compras de materiales es responsable de reunir todas las materias primas necesarias para producir su producto.La trazabilidad completa de todos los productos y materiales, incluidos los análisis químicos y físicos, está siempre disponible.

Calidad

Durante y después de la fabricación o mecanizado de sus productos, el departamento de control de calidad participa para garantizar que todos los materiales y tolerancias cumplan o superen sus especificaciones.

Servicio

Nos enorgullecemos de contar con personal de ingeniería de ventas con más de 5 años de experiencia en la industria de semiconductores.Están capacitados para responder preguntas técnicas y proporcionar cotizaciones oportunas para sus necesidades.

Estamos a su lado en cualquier momento cuando tenga un problema y lo resolveremos en 10 horas.

Diagrama detallado

Sustrato de carburo de silicio (1)
Sustrato de carburo de silicio (2)

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