Sustrato de SiC, 3 pulgadas, 350 um de espesor, tipo HPSI, grado primario, grado simulado

Breve descripción:

Las obleas de carburo de silicio (SiC) de alta pureza de 3 pulgadas están diseñadas específicamente para aplicaciones exigentes en electrónica de potencia, optoelectrónica e investigación avanzada. Disponibles en grados de producción, investigación y ficticios, estas obleas ofrecen una resistividad excepcional, una baja densidad de defectos y una calidad superficial superior. Con propiedades semiaislantes sin dopar, proporcionan la plataforma ideal para fabricar dispositivos de alto rendimiento que funcionan en condiciones térmicas y eléctricas extremas.

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Detalle del producto

Etiquetas de producto

Propiedades

Parámetro	Grado de producción	Grado de investigación	Grado ficticio	Unidad
Calificación	Grado de producción	Grado de investigación	Grado ficticio
Diámetro	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	mm
Espesor	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25	µm
Orientación de la oblea	En el eje: <0001> ± 0,5°	En el eje: <0001> ± 2,0°	En el eje: <0001> ± 2,0°	grado
Densidad de microtubos (MPD)	≤ 1	≤ 5	≤ 10	cm-2^-2-2
Resistividad eléctrica	≥ 1E10	≥ 1E5	≥ 1E5	Ω·cm
dopante	sin dopar	sin dopar	sin dopar
Orientación plana primaria	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	grado
Longitud plana primaria	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	mm
Longitud plana secundaria	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	mm
Orientación plana secundaria	90° CW desde plano primario ± 5,0°	90° CW desde plano primario ± 5,0°	90° CW desde plano primario ± 5,0°	grado
Exclusión de borde	3	3	3	mm
LTV/TTV/arco/deformación	3/10/±30/40	3/10/±30/40	5/15/±40/45	µm
Rugosidad de la superficie	Cara Si: CMP, Cara C: Pulida	Cara Si: CMP, Cara C: Pulida	Cara Si: CMP, Cara C: Pulida
Grietas (luz de alta intensidad)	Ninguno	Ninguno	Ninguno
Placas hexagonales (luz de alta intensidad)	Ninguno	Ninguno	Área acumulada 10%	%
Áreas politipo (luz de alta intensidad)	Área acumulada 5%	Área acumulada 20%	Área acumulada 30%	%
Arañazos (luz de alta intensidad)	≤ 5 rayones, longitud acumulada ≤ 150	≤ 10 rayones, longitud acumulada ≤ 200	≤ 10 rayones, longitud acumulada ≤ 200	mm
Descantillado de bordes	Ninguno ≥ 0,5 mm de ancho/profundidad	2 permitidos ≤ 1 mm de ancho/profundidad	5 permitidos ≤ 5 mm de ancho/profundidad	mm
Contaminación de superficies	Ninguno	Ninguno	Ninguno

Aplicaciones

1. Electrónica de alta potencia
La conductividad térmica superior y la amplia banda prohibida de las obleas de SiC las hacen ideales para dispositivos de alta potencia y alta frecuencia:
●MOSFET e IGBT para conversión de energía.
●Sistemas avanzados de energía para vehículos eléctricos, incluidos inversores y cargadores.
●Infraestructuras de redes inteligentes y sistemas de energías renovables.
2. Sistemas de RF y microondas
Los sustratos de SiC permiten aplicaciones de microondas y RF de alta frecuencia con una pérdida de señal mínima:
●Telecomunicaciones y sistemas satelitales.
●Sistemas de radar aeroespacial.
●Componentes avanzados de red 5G.
3. Optoelectrónica y Sensores
Las propiedades únicas del SiC respaldan una variedad de aplicaciones optoelectrónicas:
●Detectores UV para monitoreo ambiental y detección industrial.
●Sustratos LED y láser para iluminación de estado sólido e instrumentos de precisión.
●Sensores de alta temperatura para la industria aeroespacial y automotriz.
4. Investigación y desarrollo
La diversidad de grados (Producción, Investigación, Dummy) permite la experimentación de vanguardia y la creación de prototipos de dispositivos en el mundo académico y la industria.

Ventajas

●Fiabilidad:Excelente resistividad y estabilidad entre grados.
●Personalización:Orientaciones y espesores personalizados para adaptarse a diferentes necesidades.
●Alta Pureza:La composición sin dopar garantiza variaciones mínimas relacionadas con las impurezas.
●Escalabilidad:Cumple con los requisitos tanto de la producción en masa como de la investigación experimental.
Las obleas de SiC de alta pureza de 3 pulgadas son su puerta de entrada a dispositivos de alto rendimiento y avances tecnológicos innovadores. Para consultas y especificaciones detalladas, contáctenos hoy.

Resumen

Las obleas de carburo de silicio (SiC) de alta pureza de 3 pulgadas, disponibles en grados de producción, investigación y simulados, son sustratos de primera calidad diseñados para electrónica de alta potencia, sistemas de RF/microondas, optoelectrónica e investigación y desarrollo avanzados. Estas obleas presentan propiedades semiaislantes sin dopar con excelente resistividad (≥1E10 Ω·cm para grado de producción), baja densidad de microtubos (≤1 cm−2^-2−2) y una calidad de superficie excepcional. Están optimizados para aplicaciones de alto rendimiento, incluidas conversión de energía, telecomunicaciones, detección UV y tecnologías LED. Con orientaciones personalizables, conductividad térmica superior y propiedades mecánicas robustas, estas obleas de SiC permiten una fabricación de dispositivos eficiente y confiable e innovaciones revolucionarias en todas las industrias.