Sustrato de SiC de 3 pulgadas y 350 um de espesor, tipo HPSI, grado principal, grado ficticio
Propiedades
| Parámetro | Grado de producción | Grado de investigación | Grado ficticio | Unidad |
| Calificación | Grado de producción | Grado de investigación | Grado ficticio | |
| Diámetro | 76,2 ± 0,5 | 76,2 ± 0,5 | 76,2 ± 0,5 | mm |
| Espesor | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 | micras |
| Orientación de las obleas | En el eje: <0001> ± 0,5° | En el eje: <0001> ± 2,0° | En el eje: <0001> ± 2,0° | grado |
| Densidad de microtuberías (MPD) | ≤ 1 | ≤ 5 | ≤ 10 | cm−2^-2−2 |
| Resistividad eléctrica | ≥ 1E10 | ≥ 1E5 | ≥ 1E5 | Ω·cm |
| Dopante | Sin dopar | Sin dopar | Sin dopar | |
| Orientación plana primaria | {1-100} ± 5,0° | {1-100} ± 5,0° | {1-100} ± 5,0° | grado |
| Longitud plana primaria | 32,5 ± 3,0 | 32,5 ± 3,0 | 32,5 ± 3,0 | mm |
| Longitud plana secundaria | 18,0 ± 2,0 | 18,0 ± 2,0 | 18,0 ± 2,0 | mm |
| Orientación plana secundaria | 90° CW desde el plano primario ± 5,0° | 90° CW desde el plano primario ± 5,0° | 90° CW desde el plano primario ± 5,0° | grado |
| Exclusión de bordes | 3 | 3 | 3 | mm |
| LTV/TTV/Arco/Urdimbre | 3 / 10 / ±30 / 40 | 3 / 10 / ±30 / 40 | 5 / 15 / ±40 / 45 | micras |
| Rugosidad de la superficie | Cara Si: CMP, Cara C: Pulida | Cara Si: CMP, Cara C: Pulida | Cara Si: CMP, Cara C: Pulida | |
| Grietas (Luz de Alta Intensidad) | Ninguno | Ninguno | Ninguno | |
| Placas hexagonales (luz de alta intensidad) | Ninguno | Ninguno | Área acumulada 10% | % |
| Áreas de politipo (luz de alta intensidad) | Área acumulada 5% | Área acumulada 20% | Área acumulada 30% | % |
| Arañazos (Luz de Alta Intensidad) | ≤ 5 arañazos, longitud acumulada ≤ 150 | ≤ 10 arañazos, longitud acumulada ≤ 200 | ≤ 10 arañazos, longitud acumulada ≤ 200 | mm |
| Astillado de bordes | Ninguno ≥ 0,5 mm de ancho/profundidad | 2 permitidos ≤ 1 mm de ancho/profundidad | 5 permitidos ≤ 5 mm de ancho/profundidad | mm |
| Contaminación de la superficie | Ninguno | Ninguno | Ninguno |
Aplicaciones
1. Electrónica de alta potencia
La conductividad térmica superior y el amplio ancho de banda de las obleas de SiC las hacen ideales para dispositivos de alta potencia y alta frecuencia:
●MOSFET e IGBT para conversión de potencia.
●Sistemas de energía para vehículos eléctricos avanzados, incluidos inversores y cargadores.
●Infraestructura de redes inteligentes y sistemas de energía renovable.
2. Sistemas de RF y microondas
Los sustratos de SiC permiten aplicaciones de RF y microondas de alta frecuencia con una pérdida de señal mínima:
●Sistemas de telecomunicaciones y satélites.
●Sistemas de radar aeroespacial.
●Componentes de red 5G avanzados.
3. Optoelectrónica y sensores
Las propiedades únicas del SiC admiten una variedad de aplicaciones optoelectrónicas:
●Detectores UV para monitoreo ambiental y detección industrial.
●Sustratos LED y láser para iluminación de estado sólido e instrumentos de precisión.
●Sensores de alta temperatura para la industria aeroespacial y automotriz.
4. Investigación y desarrollo
La diversidad de grados (Producción, Investigación, Dummy) permite la experimentación de vanguardia y la creación de prototipos de dispositivos en el ámbito académico y la industria.
Ventajas
●Confiabilidad:Excelente resistividad y estabilidad en todos los grados.
●Personalización:Orientaciones y espesores personalizados para adaptarse a diferentes necesidades.
●Alta pureza:La composición sin dopar garantiza variaciones mínimas relacionadas con las impurezas.
●Escalabilidad:Cumple con los requisitos tanto de la producción en masa como de la investigación experimental.
Las obleas de SiC de 3 pulgadas y alta pureza son su puerta de entrada a dispositivos de alto rendimiento y avances tecnológicos innovadores. Para consultas y especificaciones detalladas, contáctenos hoy mismo.
Resumen
Las obleas de carburo de silicio (SiC) de alta pureza de 3 pulgadas, disponibles en grados de producción, investigación y simulación, son sustratos premium diseñados para electrónica de alta potencia, sistemas de RF/microondas, optoelectrónica e I+D avanzado. Estas obleas presentan propiedades semiaislantes sin dopar, con excelente resistividad (≥1E10 Ω·cm para grado de producción), baja densidad de microtubos (≤1 cm−2^-2−2) y una excepcional calidad superficial. Están optimizadas para aplicaciones de alto rendimiento, como conversión de energía, telecomunicaciones, detección UV y tecnologías LED. Con orientaciones personalizables, conductividad térmica superior y robustas propiedades mecánicas, estas obleas de SiC permiten la fabricación eficiente y fiable de dispositivos e innovaciones revolucionarias en diversos sectores.
Diagrama detallado
