Oblea de carburo de silicio SiC Oblea de SiC 4H-N 6H-N HPSI (semiaislante de alta pureza) 4H/6H-P 3C -n tipo 2 3 4 6 8 pulgadas disponible

Breve descripción:

Ofrecemos una selección diversa de obleas de SiC (carburo de silicio) de alta calidad, con especial atención en las obleas tipo N 4H-N y 6H-N, que son ideales para aplicaciones en optoelectrónica avanzada, dispositivos de potencia y entornos de alta temperatura. . Estas obleas tipo N son conocidas por su excepcional conductividad térmica, excelente estabilidad eléctrica y notable durabilidad, lo que las hace perfectas para aplicaciones de alto rendimiento como electrónica de potencia, sistemas de propulsión de vehículos eléctricos, inversores de energía renovable y fuentes de alimentación industriales. Además de nuestras ofertas de tipo N, también ofrecemos obleas de SiC 4H/6H-P y 3C tipo P para necesidades especializadas, incluidos dispositivos de alta frecuencia y RF, así como aplicaciones fotónicas. Nuestras obleas están disponibles en tamaños que van desde 2 a 8 pulgadas y brindamos soluciones personalizadas para satisfacer los requisitos específicos de diversos sectores industriales. Para más detalles o consultas, no dude en contactarnos.

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Detalle del producto

Etiquetas de producto

Propiedades

4H-N y 6H-N (obleas de SiC tipo N)

Solicitud:Se utiliza principalmente en electrónica de potencia, optoelectrónica y aplicaciones de alta temperatura.

Rango de diámetro:50,8 mm a 200 mm.

Espesor:350 μm ± 25 μm, con espesores opcionales de 500 μm ± 25 μm.

Resistividad:Tipo N 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (grado Z), ≤ 0,3 Ω·cm (grado P); Tipo N 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (grado Z), ≤ 1 mΩ·cm (grado P).

Aspereza:Ra ≤ 0,2 nm (CMP o MP).

Densidad de microtubos (MPD):< 1 unidad/cm².

TTV: ≤ 10 μm para todos los diámetros.

Urdimbre: ≤ 30 μm (≤ 45 μm para obleas de 8 pulgadas).

Exclusión de borde:De 3 mm a 6 mm según el tipo de oblea.

Embalaje:Cassette multioblea o contenedor de oblea única.

Otros tamaños disponibles 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas

HPSI (Obleas de SiC semiaislantes de alta pureza)

Solicitud:Se utiliza para dispositivos que requieren alta resistencia y rendimiento estable, como dispositivos de RF, aplicaciones fotónicas y sensores.

Rango de diámetro:50,8 mm a 200 mm.

Espesor:Espesor estándar de 350 μm ± 25 μm con opciones para obleas más gruesas de hasta 500 μm.

Aspereza:Ra ≤ 0,2 nm.

Densidad de microtubos (MPD): ≤ 1 unidad/cm².

Resistividad:Alta resistencia, normalmente utilizado en aplicaciones semiaislantes.

Urdimbre: ≤ 30 μm (para tamaños más pequeños), ≤ 45 μm para diámetros mayores.

TTV: ≤ 10 µm.

Otros tamaños disponibles 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas

4H-P、6H-P&3C Oblea de SiC(Obleas de SiC tipo P)

Solicitud:Principalmente para dispositivos de energía y de alta frecuencia.

Rango de diámetro:50,8 mm a 200 mm.

Espesor:350 μm ± 25 μm u opciones personalizadas.

Resistividad:Tipo P 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (grado Z), ≤ 0,3 Ω·cm (grado P).

Aspereza:Ra ≤ 0,2 nm (CMP o MP).

Densidad de microtubos (MPD):< 1 unidad/cm².

TTV: ≤ 10 µm.

Exclusión de borde:3 mm a 6 mm.

Urdimbre: ≤ 30 μm para tamaños más pequeños, ≤ 45 μm para tamaños más grandes.

Otros tamaños disponibles 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas5×5 10×10

Tabla de parámetros de datos parciales

Propiedad	2 pulgadas		3 pulgadas		4 pulgadas	6 pulgadas	8 pulgadas
Tipo	4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI/4H-SEMI
Diámetro	50,8 ± 0,3 mm		76,2 ± 0,3 mm		100±0,3 mm	150±0,3 mm	200 ± 0,3 mm
Espesor	330 ± 25 micras		350 ±25 micras		350 ±25 micras	350 ±25 micras	350 ±25 micras
	350±25um；		500±25um		500±25um	500±25um	500±25um
	o personalizado		o personalizado		o personalizado	o personalizado	o personalizado
Aspereza	Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm
Urdimbre	≤ 30um		≤ 30um		≤ 30um	≤ 30um	≤45um
televisión	≤ 10um		≤ 10um		≤ 10um	≤ 10um	≤ 10um
Rascar/excavar	CMP/MP
MPD	<1 unidad/cm-2	<1 unidad/cm-2		<1 unidad/cm-2		<1 unidad/cm-2		<1 unidad/cm-2
Forma	Redondo, plano 16 mm; de longitud 22 mm; DE Longitud 30/32,5 mm; DE Longitud 47,5 mm; MUESCA; MUESCA;
Bisel	45°, especificación SEMI; Forma C
Calificación	Grado de producción para MOS&SBD; Grado de investigación; Grado ficticio, Grado de oblea de semillas
Observaciones	El diámetro, el espesor, la orientación y las especificaciones anteriores se pueden personalizar según su solicitud.

Aplicaciones

·Electrónica de potencia

Las obleas de SiC tipo N son cruciales en dispositivos electrónicos de potencia debido a su capacidad para manejar alto voltaje y alta corriente. Se utilizan comúnmente en convertidores de potencia, inversores y motores para industrias como la energía renovable, los vehículos eléctricos y la automatización industrial.

· Optoelectrónica
Los materiales de SiC tipo N, especialmente para aplicaciones optoelectrónicas, se emplean en dispositivos como diodos emisores de luz (LED) y diodos láser. Su alta conductividad térmica y su amplia banda prohibida los hacen ideales para dispositivos optoelectrónicos de alto rendimiento.

·Aplicaciones de alta temperatura
Las obleas de SiC 4H-N 6H-N son adecuadas para entornos de alta temperatura, como sensores y dispositivos de potencia utilizados en aplicaciones aeroespaciales, automotrices e industriales donde la disipación de calor y la estabilidad a temperaturas elevadas son fundamentales.

·Dispositivos de radiofrecuencia
Las obleas de SiC 4H-N 6H-N se utilizan en dispositivos de radiofrecuencia (RF) que funcionan en rangos de alta frecuencia. Se aplican en sistemas de comunicación, tecnología de radar y comunicaciones por satélite, donde se requiere alta eficiencia energética y rendimiento.

·Aplicaciones fotónicas
En fotónica, las obleas de SiC se utilizan para dispositivos como fotodetectores y moduladores. Las propiedades únicas del material le permiten ser eficaz en la generación, modulación y detección de luz en sistemas de comunicación óptica y dispositivos de imágenes.

·Sensores
Las obleas de SiC se utilizan en una variedad de aplicaciones de sensores, particularmente en entornos hostiles donde otros materiales pueden fallar. Estos incluyen sensores de temperatura, presión y químicos, que son esenciales en campos como el automotriz, el petróleo y el gas y el monitoreo ambiental.

·Sistemas de propulsión de vehículos eléctricos
La tecnología SiC desempeña un papel importante en los vehículos eléctricos al mejorar la eficiencia y el rendimiento de los sistemas de propulsión. Con los semiconductores de potencia de SiC, los vehículos eléctricos pueden lograr una mejor duración de la batería, tiempos de carga más rápidos y una mayor eficiencia energética.

·Sensores avanzados y convertidores fotónicos
En tecnologías de sensores avanzadas, las obleas de SiC se utilizan para crear sensores de alta precisión para aplicaciones en robótica, dispositivos médicos y monitoreo ambiental. En los convertidores fotónicos, las propiedades del SiC se aprovechan para permitir la conversión eficiente de energía eléctrica en señales ópticas, lo cual es vital en las telecomunicaciones y la infraestructura de Internet de alta velocidad.

Preguntas y respuestas

Q:¿Qué es 4H en 4H SiC?
A："4H" en 4H SiC se refiere a la estructura cristalina del carburo de silicio, específicamente una forma hexagonal con cuatro capas (H). La "H" indica el tipo de politipo hexagonal, distinguiéndolo de otros politipos de SiC como 6H o 3C.

Q:¿Cuál es la conductividad térmica del 4H-SiC?
A:La conductividad térmica del 4H-SiC (carburo de silicio) es de aproximadamente 490-500 W/m·K a temperatura ambiente. Esta alta conductividad térmica lo hace ideal para aplicaciones en electrónica de potencia y entornos de alta temperatura, donde la disipación de calor eficiente es crucial.

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