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Oblea de SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P Tipo 3C 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas

Oblea de SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P Tipo 3C 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas Imagen destacada
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Descripción breve:

Ofrecemos una amplia selección de obleas de SiC (carburo de silicio) de alta calidad, con especial atención a las obleas tipo N 4H-N y 6H-N, ideales para aplicaciones en optoelectrónica avanzada, dispositivos de potencia y entornos de alta temperatura. Estas obleas tipo N se distinguen por su excepcional conductividad térmica, excelente estabilidad eléctrica y notable durabilidad, lo que las hace perfectas para aplicaciones de alto rendimiento como electrónica de potencia, sistemas de propulsión de vehículos eléctricos, inversores de energía renovable y fuentes de alimentación industriales. Además de nuestras obleas tipo N, también ofrecemos obleas tipo P 4H/6H-P y 3C de SiC para necesidades específicas, como dispositivos de alta frecuencia y RF, así como aplicaciones fotónicas. Nuestras obleas están disponibles en tamaños que van desde 2 pulgadas hasta 8 pulgadas, y ofrecemos soluciones a medida para satisfacer las necesidades específicas de diversos sectores industriales. Para más información o consultas, no dude en contactarnos.


Características

Propiedades

4H-N y 6H-N (obleas de SiC tipo N)

Solicitud:Se utiliza principalmente en electrónica de potencia, optoelectrónica y aplicaciones de alta temperatura.

Rango de diámetro:50,8 mm a 200 mm.

Espesor:350 μm ± 25 μm, con espesores opcionales de 500 μm ± 25 μm.

Resistividad:4H/6H-P tipo N: ≤ 0,1 Ω·cm (grado Z), ≤ 0,3 Ω·cm (grado P); 3C-N tipo N: ≤ 0,8 mΩ·cm (grado Z), ≤ 1 mΩ·cm (grado P).

Aspereza:Ra ≤ 0,2 nm (CMP o MP).

Densidad de microtuberías (MPD):< 1 ea/cm².

TTV: ≤ 10 μm para todos los diámetros.

Urdimbre: ≤ 30 μm (≤ 45 μm para obleas de 8 pulgadas).

Exclusión de bordes:3 mm a 6 mm dependiendo del tipo de oblea.

Embalaje:Casete de múltiples obleas o contenedor de una sola oblea.

Otros tamaños disponibles: 3 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas.

HPSI (Obleas de SiC semiaislantes de alta pureza)

Solicitud:Se utiliza para dispositivos que requieren alta resistencia y un rendimiento estable, como dispositivos de RF, aplicaciones fotónicas y sensores.

Rango de diámetro:50,8 mm a 200 mm.

Espesor:Espesor estándar de 350 μm ± 25 μm con opciones para obleas más gruesas de hasta 500 μm.

Aspereza:Ra ≤ 0,2 nm.

Densidad de microtuberías (MPD): ≤ 1 ea/cm².

Resistividad:Alta resistencia, normalmente utilizado en aplicaciones semiaislantes.

Urdimbre: ≤ 30 μm (para tamaños más pequeños), ≤ 45 μm para diámetros más grandes.

TTV: ≤ 10 micras.

Otros tamaños disponibles: 3 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas.

4H-P、6H-P&3C oblea de SiC(Obleas de SiC tipo P)

Solicitud:Principalmente para dispositivos de potencia y alta frecuencia.

Rango de diámetro:50,8 mm a 200 mm.

Espesor:350 μm ± 25 μm u opciones personalizadas.

Resistividad:Tipo P 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (grado Z), ≤ 0,3 Ω·cm (grado P).

Aspereza:Ra ≤ 0,2 nm (CMP o MP).

Densidad de microtuberías (MPD):< 1 ea/cm².

TTV: ≤ 10 micras.

Exclusión de bordes:De 3 mm a 6 mm.

Urdimbre: ≤ 30 μm para tamaños más pequeños, ≤ 45 μm para tamaños más grandes.

Otros tamaños disponibles: 3 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas.5×5 10×10

Tabla de parámetros de datos parciales

Propiedad

2 pulgadas

3 pulgadas

4 pulgadas

6 pulgadas

8 pulgadas

Tipo

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SEMI

Diámetro

50,8 ± 0,3 mm

76,2 ± 0,3 mm

100 ± 0,3 mm

150 ± 0,3 mm

200 ± 0,3 mm

Espesor

330 ± 25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ± 25 um;

500 ± 25 um

500 ± 25 um

500 ± 25 um

500 ± 25 um

o personalizado

o personalizado

o personalizado

o personalizado

o personalizado

Aspereza

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Urdimbre

≤ 30 um

≤ 30 um

≤ 30 um

≤ 30 um

≤45 um

Televisión por cable

≤ 10 um

≤ 10 um

≤ 10 um

≤ 10 um

≤ 10 um

Rascar/Cavar

CMP/MP

MPD

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

Forma

Redondo, plano 16 mm; longitud de OF 22 mm; longitud de OF 30/32,5 mm; longitud de OF 47,5 mm; MUESCA; MUESCA;

Bisel

45°, especificación SEMI; forma de C

 Calificación

Grado de producción para MOS y grado de investigación; grado ficticio, grado de oblea de semilla

Observaciones

Diámetro, espesor, orientación y las especificaciones anteriores se pueden personalizar según su solicitud.

 

Aplicaciones

·Electrónica de potencia

Las obleas de SiC tipo N son cruciales en los dispositivos electrónicos de potencia debido a su capacidad para manejar alta tensión y alta corriente. Se utilizan comúnmente en convertidores de potencia, inversores y variadores de velocidad para industrias como las energías renovables, los vehículos eléctricos y la automatización industrial.

· Optoelectrónica
Los materiales de SiC de tipo N, especialmente para aplicaciones optoelectrónicas, se emplean en dispositivos como diodos emisores de luz (LED) y diodos láser. Su alta conductividad térmica y su amplia banda prohibida los hacen ideales para dispositivos optoelectrónicos de alto rendimiento.

·Aplicaciones de alta temperatura
Las obleas de SiC 4H-N 6H-N son adecuadas para entornos de alta temperatura, como en sensores y dispositivos de potencia utilizados en aplicaciones aeroespaciales, automotrices e industriales donde la disipación del calor y la estabilidad a temperaturas elevadas son fundamentales.

·Dispositivos de RF
Las obleas de SiC 4H-N 6H-N se utilizan en dispositivos de radiofrecuencia (RF) que operan en rangos de alta frecuencia. Se aplican en sistemas de comunicación, tecnología de radar y comunicaciones satelitales, donde se requiere alta eficiencia energética y rendimiento.

·Aplicaciones fotónicas
En fotónica, las obleas de SiC se utilizan en dispositivos como fotodetectores y moduladores. Las propiedades únicas de este material le permiten ser eficaz en la generación, modulación y detección de luz en sistemas de comunicación óptica y dispositivos de imagen.

·Sensores
Las obleas de SiC se utilizan en diversas aplicaciones de sensores, especialmente en entornos hostiles donde otros materiales podrían fallar. Entre ellas se incluyen sensores de temperatura, presión y químicos, esenciales en sectores como la automoción, el petróleo y el gas, y la monitorización ambiental.

·Sistemas de propulsión de vehículos eléctricos
La tecnología de SiC desempeña un papel fundamental en los vehículos eléctricos, ya que mejora la eficiencia y el rendimiento de los sistemas de propulsión. Gracias a los semiconductores de potencia de SiC, los vehículos eléctricos pueden lograr una mayor duración de la batería, tiempos de carga más rápidos y una mayor eficiencia energética.

·Sensores avanzados y convertidores fotónicos
En tecnologías avanzadas de sensores, las obleas de SiC se utilizan para crear sensores de alta precisión para aplicaciones en robótica, dispositivos médicos y monitorización ambiental. En los convertidores fotónicos, las propiedades del SiC se aprovechan para permitir la conversión eficiente de energía eléctrica en señales ópticas, lo cual es vital en las telecomunicaciones y la infraestructura de internet de alta velocidad.

Preguntas y respuestas

Q¿Qué es 4H en 4H SiC?
AEl término "4H" en 4H SiC se refiere a la estructura cristalina del carburo de silicio, específicamente a una forma hexagonal con cuatro capas (H). La "H" indica el tipo de politipo hexagonal, lo que lo distingue de otros politipos de SiC como 6H o 3C.

Q¿Cuál es la conductividad térmica de 4H-SiC?
ALa conductividad térmica del 4H-SiC (carburo de silicio) es de aproximadamente 490-500 W/m·K a temperatura ambiente. Esta alta conductividad térmica lo hace ideal para aplicaciones en electrónica de potencia y entornos de alta temperatura, donde la disipación eficiente del calor es crucial.

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