Plano C SSP/DSP de la oblea del zafiro del grueso de Dia300x1.0mmt

Oblea de zafiro de diámetro 300 x 1,0 mm de espesor Plano C SSP/DSP Imagen destacada

Breve descripción:

Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd. puede producir obleas de zafiro con varias orientaciones de superficie (planos c, r, a y m) y controlar el ángulo de corte con una precisión de 0,1 grados.Utilizando nuestra tecnología patentada, podemos lograr la alta calidad necesaria para aplicaciones como el crecimiento epitaxial y la unión de obleas.

Envíanos un correo electrónico

Detalle del producto

Etiquetas de productos

Introducir caja de oblea

Materiales de cristal	99,999% de Al2O3, alta pureza, monocristalino, Al2O3
Calidad del cristal	Inclusiones, marcas de bloques, gemelos, colores, microburbujas y centros de dispersión son inexistentes.
Diámetro	2 pulgadas	3 pulgadas	4 pulgadas	6 pulgadas ~ 12 pulgadas
Diámetro	50,8 ± 0,1 mm	76,2 ± 0,2 mm	100±0,3 mm	De acuerdo con las disposiciones de producción estándar.
Espesor	430±15 µm	550±15 µm	650±20 µm	Puede ser personalizado por el cliente
Orientación	Plano C (0001) a plano M (1-100) o plano A (1 1-2 0) 0,2±0,1° /0,3±0,1°, plano R (1-1 0 2), plano A (1 1-2 0), plano M (1-1 0 0), cualquier orientación, cualquier ángulo
Longitud plana primaria	16,0 ± 1 mm	22,0 ± 1,0 mm	32,5 ± 1,5 mm	De acuerdo con las disposiciones de producción estándar.
Orientación plana primaria	Plano A (1 1-2 0 ) ± 0,2°
televisión	≤10 µm	≤15 µm	≤20 µm	≤30 µm
TVL	≤10 µm	≤15 µm	≤20 µm	≤30 µm
tir	≤10 µm	≤15 µm	≤20 µm	≤30 µm
ARCO	≤10 µm	≤15 µm	≤20 µm	≤30 µm
Deformación	≤10 µm	≤15 µm	≤20 µm	≤30 µm
Superficie frontal	Epipulido (Ra < 0,2 nm)

*Arco: La desviación del punto central de la superficie mediana de una oblea libre y sin sujetar del plano de referencia, donde el plano de referencia está definido por las tres esquinas de un triángulo equilátero.

*Deformación: La diferencia entre las distancias máxima y mínima de la superficie mediana de una oblea libre y sin sujetar desde el plano de referencia definido anteriormente.

Productos y servicios de alta calidad para dispositivos semiconductores de próxima generación y crecimiento epitaxial:

Alto grado de planitud (TTV controlado, arco, alabeo, etc.)

Limpieza de alta calidad (baja contaminación por partículas, baja contaminación por metales)

Perforación, ranurado, corte y pulido posterior del sustrato

Adjunto de datos como limpieza y forma del sustrato (opcional)

Si necesita sustratos de zafiro, no dude en contactarnos:

correo:eric@xkh-semitech.com+86 158 0194 2596 /doris@xkh-semitech.com+86 187 0175 6522

¡Le responderemos lo antes posible!