Oblea de zafiro de 300 x 1,0 mm de grosor, plano C, SSP/DSP

Imagen destacada de oblea de zafiro de 300 x 1,0 mm de espesor, plano C, SSP/DSP

Descripción breve:

Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd. produce obleas de zafiro con diversas orientaciones superficiales (planos c, r, a y m) y controla el ángulo de corte con una precisión de 0,1 grados. Gracias a nuestra tecnología patentada, logramos la alta calidad necesaria para aplicaciones como el crecimiento epitaxial y la unión de obleas.

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Introducción de la caja de obleas

Materiales de cristal	99,999 % de Al2O3, alta pureza, monocristalino, Al2O3
Calidad del cristal	Inclusiones, marcas de bloque, maclas, color, microburbujas y centros de dispersión son inexistentes.
Diámetro	2 pulgadas	3 pulgadas	4 pulgadas	6 pulgadas ～ 12 pulgadas
Diámetro	50,8 ± 0,1 mm	76,2 ± 0,2 mm	100 ± 0,3 mm	De acuerdo con las disposiciones de la producción estándar
Espesor	430 ± 15 µm	550 ± 15 µm	650 ± 20 µm	Puede ser personalizado por el cliente.
Orientación	Plano C (0001) a plano M (1-100) o plano A (1 1-2 0) 0,2 ± 0,1° / 0,3 ± 0,1°, plano R (1-1 0 2), plano A (1 1-2 0 ), plano M (1-1 0 0), cualquier orientación, cualquier ángulo
Longitud plana primaria	16,0 ± 1 mm	22,0 ± 1,0 mm	32,5 ± 1,5 mm	De acuerdo con las disposiciones de la producción estándar
Orientación del piso primario	Plano A (1 1-2 0 ) ± 0,2°
Televisión por cable	≤10 µm	≤15 µm	≤20 µm	≤30 µm
Valor de vida útil	≤10 µm	≤15 µm	≤20 µm	≤30 µm
TIR	≤10 µm	≤15 µm	≤20 µm	≤30 µm
ARCO	≤10 µm	≤15 µm	≤20 µm	≤30 µm
Urdimbre	≤10 µm	≤15 µm	≤20 µm	≤30 µm
Superficie frontal	Epi-pulido (Ra < 0,2 nm)

*Arco: La desviación del punto central de la superficie media de una oblea libre y sin sujetar con respecto al plano de referencia, donde el plano de referencia está definido por las tres esquinas de un triángulo equilátero.

*Deformación: La diferencia entre las distancias máxima y mínima de la superficie media de una oblea libre y sin sujetar desde el plano de referencia definido anteriormente.

Productos y servicios de alta calidad para dispositivos semiconductores de próxima generación y crecimiento epitaxial:

Alto grado de planitud (TTV controlado, curvatura, urdimbre, etc.)

Limpieza de alta calidad (baja contaminación por partículas, baja contaminación por metales)

Perforación, ranurado, corte y pulido posterior del sustrato

Adjunto datos como limpieza y forma del sustrato (opcional)

Si necesita sustratos de zafiro, no dude en contactarnos:

correo:eric@xkh-semitech.com+86 158 0194 2596 /doris@xkh-semitech.com+86 187 0175 6522

¡Nos pondremos en contacto con usted lo antes posible!