Grado de investigación simulado conductor de oblea de SiC 4H-N de 8 pulgadas y 200 mm

Debido a sus propiedades físicas y electrónicas únicas, el material semiconductor de oblea de SiC de 200 mm se utiliza para crear dispositivos electrónicos de alto rendimiento, alta temperatura, resistentes a la radiación y de alta frecuencia. El precio del sustrato de SiC de 8 pulgadas está disminuyendo gradualmente a medida que la tecnología se vuelve más avanzada y crece la demanda. Los recientes avances tecnológicos conducen a la fabricación a escala de producción de obleas de SiC de 200 mm. Las principales ventajas de los materiales semiconductores de obleas de SiC en comparación con las obleas de Si y GaAs: la intensidad del campo eléctrico del 4H-SiC durante la ruptura por avalancha es más de un orden de magnitud mayor que los valores correspondientes para Si y GaAs. Esto conduce a una disminución significativa en la resistividad en estado Ron. La baja resistividad en estado encendido, combinada con una alta densidad de corriente y conductividad térmica, permite el uso de matrices muy pequeñas para dispositivos de potencia. La alta conductividad térmica del SiC reduce la resistencia térmica del chip. Las propiedades electrónicas de los dispositivos basados ​​en obleas de SiC son muy estables en el tiempo y en temperatura, lo que garantiza una alta fiabilidad de los productos. El carburo de silicio es extremadamente resistente a la radiación fuerte, lo que no degrada las propiedades electrónicas del chip. La alta temperatura de funcionamiento límite del cristal (más de 6000 ° C) permite crear dispositivos altamente confiables para condiciones operativas duras y aplicaciones especiales. En la actualidad, podemos suministrar lotes pequeños de obleas de SiC de 200 mm de manera constante y continua y tener algo de stock en el almacén.