Oblea de SiC 4H-N de 8 pulgadas (200 mm), conductora ficticia de grado de investigación

Debido a sus propiedades físicas y electrónicas únicas, el material semiconductor de obleas de SiC de 200 mm se utiliza para crear dispositivos electrónicos de alto rendimiento, resistentes a altas temperaturas, a la radiación y a altas frecuencias. El precio del sustrato de SiC de 8 pulgadas está disminuyendo gradualmente a medida que la tecnología avanza y la demanda crece. Los recientes avances tecnológicos permiten la fabricación a gran escala de obleas de SiC de 200 mm. Las principales ventajas de los materiales semiconductores de obleas de SiC en comparación con las obleas de Si y GaAs son: La intensidad del campo eléctrico del 4H-SiC durante la ruptura por avalancha es más de un orden de magnitud superior a los valores correspondientes para Si y GaAs. Esto conlleva una disminución significativa de la resistividad en estado activo (Ron). La baja resistividad en estado activo, combinada con una alta densidad de corriente y conductividad térmica, permite el uso de chips muy pequeños para dispositivos de potencia. La alta conductividad térmica del SiC reduce la resistencia térmica del chip. Las propiedades electrónicas de los dispositivos basados ​​en obleas de SiC son muy estables en el tiempo y con la temperatura, lo que garantiza una alta fiabilidad de los productos. El carburo de silicio es extremadamente resistente a la radiación intensa, lo que no degrada las propiedades electrónicas del chip. Su elevada temperatura límite de funcionamiento (superior a 6000 °C) permite crear dispositivos de alta fiabilidad para condiciones de funcionamiento exigentes y aplicaciones especiales. Actualmente, podemos suministrar obleas de SiC de 200 mm en lotes pequeños de forma constante y continua, y disponemos de existencias en nuestro almacén.