Oblea de SiC 4H-N de 8 pulgadas y 200 mm, conductora de grado de investigación
Debido a sus propiedades físicas y electrónicas únicas, el material semiconductor de obleas de SiC de 200 mm se utiliza para crear dispositivos electrónicos de alto rendimiento, alta temperatura, resistencia a la radiación y alta frecuencia. El precio del sustrato de SiC de 8 pulgadas está disminuyendo gradualmente a medida que la tecnología avanza y la demanda crece. Los recientes avances tecnológicos permiten la fabricación a gran escala de obleas de SiC de 200 mm. Las principales ventajas de los materiales semiconductores de obleas de SiC en comparación con las obleas de Si y GaAs son: la intensidad del campo eléctrico del 4H-SiC durante la ruptura por avalancha es más de un orden de magnitud superior a los valores correspondientes para Si y GaAs. Esto conlleva una disminución significativa de la resistividad en estado activo (Ron). La baja resistividad en estado activo, combinada con una alta densidad de corriente y conductividad térmica, permite el uso de chips muy pequeños para dispositivos de potencia. La alta conductividad térmica del SiC reduce la resistencia térmica del chip. Las propiedades electrónicas de los dispositivos basados en obleas de SiC son muy estables a lo largo del tiempo y a la temperatura, lo que garantiza una alta fiabilidad de los productos. El carburo de silicio es extremadamente resistente a la radiación intensa, lo que no degrada las propiedades electrónicas del chip. La alta temperatura límite de funcionamiento del cristal (superior a 6000 °C) permite crear dispositivos altamente fiables para condiciones de funcionamiento rigurosas y aplicaciones especiales. Actualmente, podemos suministrar obleas de SiC de 200 mm en lotes pequeños de forma constante y continua, y disponemos de stock en almacén.
Especificación
Número | Artículo | Unidad | Producción | Investigación | Ficticio |
1. Parámetros | |||||
1.1 | politipo | -- | 4H | 4H | 4H |
1.2 | orientación de la superficie | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
2. Parámetro eléctrico | |||||
2.1 | dopante | -- | nitrógeno de tipo n | nitrógeno de tipo n | nitrógeno de tipo n |
2.2 | resistividad | ohmios ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
3. Parámetros mecánicos | |||||
3.1 | diámetro | mm | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 |
3.2 | espesor | micras | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 |
3.3 | Orientación de la muesca | ° | [1-100]±5 | [1-100]±5 | [1-100]±5 |
3.4 | Profundidad de muesca | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
3.5 | Valor de vida útil | micras | ≤5 (10 mm x 10 mm) | ≤5 (10 mm x 10 mm) | ≤10 (10 mm x 10 mm) |
3.6 | Televisión por cable | micras | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
3.7 | Arco | micras | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
3.8 | Urdimbre | micras | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
3.9 | Fuerza Aérea | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
4. Estructura | |||||
4.1 | densidad de microtubos | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
4.2 | contenido de metal | átomos/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
4.4 | TLP | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
5. Calidad positiva | |||||
5.1 | frente | -- | Si | Si | Si |
5.2 | acabado superficial | -- | CMP de cara de silicio | CMP de cara de silicio | CMP de cara de silicio |
5.3 | partícula | ea/oblea | ≤100 (tamaño ≥0,3 μm) | NA | NA |
5.4 | rascar | ea/oblea | ≤5,Longitud total ≤200 mm | NA | NA |
5.5 | Borde astillas/hendiduras/grietas/manchas/contaminación | -- | Ninguno | Ninguno | NA |
5.6 | Áreas de politipo | -- | Ninguno | Área ≤10% | Área ≤30% |
5.7 | marca frontal | -- | Ninguno | Ninguno | Ninguno |
6. Calidad de la espalda | |||||
6.1 | acabado posterior | -- | C-face MP | C-face MP | C-face MP |
6.2 | rascar | mm | NA | NA | NA |
6.3 | Borde posterior con defectos fichas/sangrías | -- | Ninguno | Ninguno | NA |
6.4 | Rugosidad de la espalda | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
6.5 | Marcado posterior | -- | Muesca | Muesca | Muesca |
7. Borde | |||||
7.1 | borde | -- | Chaflán | Chaflán | Chaflán |
8. Paquete | |||||
8.1 | embalaje | -- | Epi-ready con vacío embalaje | Epi-ready con vacío embalaje | Epi-ready con vacío embalaje |
8.2 | embalaje | -- | Multi-oblea embalaje de casete | Multi-oblea embalaje de casete | Multi-oblea embalaje de casete |
Diagrama detallado



