Oblea de SiC 4H-N de 8 pulgadas y 200 mm, conductora de grado de investigación

Descripción breve:

A medida que evolucionan los mercados del transporte, la energía y la industria, la demanda de electrónica de potencia fiable y de alto rendimiento sigue creciendo. Para satisfacer la necesidad de mejorar el rendimiento de los semiconductores, los fabricantes de dispositivos buscan materiales semiconductores de banda ancha, como nuestra cartera de obleas de carburo de silicio (SiC) tipo n 4H SiC Prime Grade.


Características

Debido a sus propiedades físicas y electrónicas únicas, el material semiconductor de obleas de SiC de 200 mm se utiliza para crear dispositivos electrónicos de alto rendimiento, alta temperatura, resistencia a la radiación y alta frecuencia. El precio del sustrato de SiC de 8 pulgadas está disminuyendo gradualmente a medida que la tecnología avanza y la demanda crece. Los recientes avances tecnológicos permiten la fabricación a gran escala de obleas de SiC de 200 mm. Las principales ventajas de los materiales semiconductores de obleas de SiC en comparación con las obleas de Si y GaAs son: la intensidad del campo eléctrico del 4H-SiC durante la ruptura por avalancha es más de un orden de magnitud superior a los valores correspondientes para Si y GaAs. Esto conlleva una disminución significativa de la resistividad en estado activo (Ron). La baja resistividad en estado activo, combinada con una alta densidad de corriente y conductividad térmica, permite el uso de chips muy pequeños para dispositivos de potencia. La alta conductividad térmica del SiC reduce la resistencia térmica del chip. Las propiedades electrónicas de los dispositivos basados ​​en obleas de SiC son muy estables a lo largo del tiempo y a la temperatura, lo que garantiza una alta fiabilidad de los productos. El carburo de silicio es extremadamente resistente a la radiación intensa, lo que no degrada las propiedades electrónicas del chip. La alta temperatura límite de funcionamiento del cristal (superior a 6000 °C) permite crear dispositivos altamente fiables para condiciones de funcionamiento rigurosas y aplicaciones especiales. Actualmente, podemos suministrar obleas de SiC de 200 mm en lotes pequeños de forma constante y continua, y disponemos de stock en almacén.

Especificación

Número Artículo Unidad Producción Investigación Ficticio
1. Parámetros
1.1 politipo -- 4H 4H 4H
1.2 orientación de la superficie ° <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5
2. Parámetro eléctrico
2.1 dopante -- nitrógeno de tipo n nitrógeno de tipo n nitrógeno de tipo n
2.2 resistividad ohmios ·cm 0,015~0,025 0,01~0,03 NA
3. Parámetros mecánicos
3.1 diámetro mm 200 ± 0,2 200 ± 0,2 200 ± 0,2
3.2 espesor micras 500 ± 25 500 ± 25 500 ± 25
3.3 Orientación de la muesca ° [1-100]±5 [1-100]±5 [1-100]±5
3.4 Profundidad de muesca mm 1~1.5 1~1.5 1~1.5
3.5 Valor de vida útil micras ≤5 (10 mm x 10 mm) ≤5 (10 mm x 10 mm) ≤10 (10 mm x 10 mm)
3.6 Televisión por cable micras ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Arco micras -25~25 -45~45 -65~65
3.8 Urdimbre micras ≤30 ≤50 ≤70
3.9 Fuerza Aérea nm Ra≤0,2 Ra≤0,2 Ra≤0,2
4. Estructura
4.1 densidad de microtubos ea/cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 contenido de metal átomos/cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD ea/cm2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 TLP ea/cm2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 TED ea/cm2 ≤7000 ≤10000 NA
5. Calidad positiva
5.1 frente -- Si Si Si
5.2 acabado superficial -- CMP de cara de silicio CMP de cara de silicio CMP de cara de silicio
5.3 partícula ea/oblea ≤100 (tamaño ≥0,3 μm) NA NA
5.4 rascar ea/oblea ≤5,Longitud total ≤200 mm NA NA
5.5 Borde
astillas/hendiduras/grietas/manchas/contaminación
-- Ninguno Ninguno NA
5.6 Áreas de politipo -- Ninguno Área ≤10% Área ≤30%
5.7 marca frontal -- Ninguno Ninguno Ninguno
6. Calidad de la espalda
6.1 acabado posterior -- C-face MP C-face MP C-face MP
6.2 rascar mm NA NA NA
6.3 Borde posterior con defectos
fichas/sangrías
-- Ninguno Ninguno NA
6.4 Rugosidad de la espalda nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 Marcado posterior -- Muesca Muesca Muesca
7. Borde
7.1 borde -- Chaflán Chaflán Chaflán
8. Paquete
8.1 embalaje -- Epi-ready con vacío
embalaje
Epi-ready con vacío
embalaje
Epi-ready con vacío
embalaje
8.2 embalaje -- Multi-oblea
embalaje de casete
Multi-oblea
embalaje de casete
Multi-oblea
embalaje de casete

Diagrama detallado

SiC03 de 8 pulgadas
SiC4 de 8 pulgadas
SiC5 de 8 pulgadas
SiC6 de 8 pulgadas

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