Sustratos de SiC de 3 pulgadas de diámetro y 76,2 mm HPSI Prime Research y grado simulado

Sustrato conductor: se refiere a la resistividad del sustrato de carburo de silicio de 15 ~ 30 mΩ-cm. La oblea epitaxial de carburo de silicio cultivada a partir del sustrato conductor de carburo de silicio se puede convertir en dispositivos de energía, que se utilizan ampliamente en vehículos de nuevas energías, energía fotovoltaica, redes inteligentes y transporte ferroviario.

El sustrato semiaislante se refiere a una resistividad superior al sustrato de carburo de silicio de 100000 Ω-cm, utilizado principalmente en la fabricación de dispositivos de radiofrecuencia de microondas de nitruro de galio, es la base del campo de la comunicación inalámbrica.

Es un componente básico en el campo de la comunicación inalámbrica.

Los sustratos conductores y semiaislantes de carburo de silicio se utilizan en una amplia gama de dispositivos electrónicos y dispositivos de potencia, incluidos, entre otros, los siguientes:

Dispositivos semiconductores de alta potencia (conductores): los sustratos de carburo de silicio tienen una alta intensidad de campo de ruptura y conductividad térmica, y son adecuados para la producción de transistores y diodos de alta potencia y otros dispositivos.

Dispositivos electrónicos de RF (semiaislados): los sustratos de carburo de silicio tienen una alta velocidad de conmutación y tolerancia de potencia, adecuados para aplicaciones como amplificadores de potencia de RF, dispositivos de microondas e interruptores de alta frecuencia.

Dispositivos optoelectrónicos (semiaislados): los sustratos de carburo de silicio tienen una amplia brecha energética y una alta estabilidad térmica, adecuados para fabricar fotodiodos, células solares y diodos láser y otros dispositivos.

Sensores de temperatura (conductivos): los sustratos de carburo de silicio tienen una alta conductividad y estabilidad térmica, adecuados para la producción de sensores de alta temperatura e instrumentos de medición de temperatura.

El proceso de producción y aplicación de sustratos conductores y semiaislantes de carburo de silicio tiene una amplia gama de campos y potenciales, lo que brinda nuevas posibilidades para el desarrollo de dispositivos electrónicos y dispositivos de potencia.