Sustratos de SiC de 76,2 mm de diámetro y 3 pulgadas, grado HPSI Prime Research y Dummy
Los sustratos de carburo de silicio se pueden dividir en dos categorías
Sustrato conductor: se refiere a la resistividad de 15 a 30 mΩ-cm del sustrato de carburo de silicio. La oblea epitaxial de carburo de silicio, obtenida a partir del sustrato conductor, puede utilizarse para fabricar dispositivos de potencia, ampliamente utilizados en vehículos de nueva energía, sistemas fotovoltaicos, redes inteligentes y transporte ferroviario.
El sustrato semiaislante se refiere a un sustrato de carburo de silicio con una resistividad superior a 100000 Ω-cm, utilizado principalmente en la fabricación de dispositivos de radiofrecuencia de microondas de nitruro de galio, es la base del campo de la comunicación inalámbrica.
Es un componente básico en el campo de la comunicación inalámbrica.
Los sustratos conductores y semiaislantes de carburo de silicio se utilizan en una amplia gama de dispositivos electrónicos y dispositivos de potencia, incluidos, entre otros, los siguientes:
Dispositivos semiconductores de alta potencia (conductores): Los sustratos de carburo de silicio tienen una alta intensidad de campo de ruptura y conductividad térmica, y son adecuados para la producción de transistores y diodos de alta potencia y otros dispositivos.
Dispositivos electrónicos de RF (semiaislados): Los sustratos de carburo de silicio tienen alta velocidad de conmutación y tolerancia a la potencia, adecuados para aplicaciones como amplificadores de potencia de RF, dispositivos de microondas e interruptores de alta frecuencia.
Dispositivos optoelectrónicos (semiaislados): Los sustratos de carburo de silicio tienen una amplia brecha de energía y una alta estabilidad térmica, adecuados para fabricar fotodiodos, células solares y diodos láser y otros dispositivos.
Sensores de temperatura (conductores): Los sustratos de carburo de silicio tienen alta conductividad térmica y estabilidad térmica, adecuados para la producción de sensores de alta temperatura e instrumentos de medición de temperatura.
El proceso de producción y aplicación de sustratos conductores y semiaislantes de carburo de silicio tienen un amplio rango de campos y potenciales, brindando nuevas posibilidades para el desarrollo de dispositivos electrónicos y de potencia.
Diagrama detallado
