Oblea de zafiro de 150 mm, 6 pulgadas, 0,7 mm, 0,5 mm, portador de sustrato, plano C, SSP/DSP

Imagen destacada de portador de sustrato de oblea de zafiro de 150 mm, 6 pulgadas, 0,7 mm y 0,5 mm, plano C SSP/DSP

Descripción breve:

Todas las descripciones anteriores son correctas para los cristales de zafiro. Su excelente rendimiento hace que se utilice ampliamente en campos técnicos de alta gama. Con el rápido desarrollo de la industria LED, la demanda de materiales de cristal de zafiro también está en aumento.

Envíanos un correo electrónico

Detalle del producto

Etiquetas de productos

Aplicaciones

Las aplicaciones para obleas de zafiro de 6 pulgadas incluyen:

1. Fabricación de LED: la oblea de zafiro se puede utilizar como sustrato de los chips LED, y su dureza y conductividad térmica pueden mejorar la estabilidad y la vida útil de los chips LED.

2. Fabricación láser: La oblea de zafiro también se puede utilizar como sustrato del láser, para ayudar a mejorar el rendimiento del láser y prolongar su vida útil.

3. Fabricación de semiconductores: Las obleas de zafiro se utilizan ampliamente en la fabricación de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos, incluida la síntesis óptica, células solares, dispositivos electrónicos de alta frecuencia, etc.

4. Otras aplicaciones: La oblea de zafiro también se puede utilizar para fabricar pantallas táctiles, dispositivos ópticos, células solares de película fina y otros productos de alta tecnología.

Especificación

Material	Oblea de zafiro, monocristal de Al2O3 de alta pureza.
Dimensión	150 mm +/- 0,05 mm, 6 pulgadas
Espesor	1300 +/- 25 um
Orientación	Plano C (0001) fuera del plano M (1-100) 0,2 +/- 0,05 grados
Orientación plana primaria	Un plano +/- 1 grado
Longitud plana primaria	47,5 mm +/- 1 mm
Variación del espesor total (TTV)	<20 um
Arco	<25 um
Urdimbre	<25 um
Coeficiente de expansión térmica	6,66 x 10-6 / °C paralelo al eje C, 5 x 10-6 / °C perpendicular al eje C
Rigidez dieléctrica	4,8 x 105 V/cm
Constante dieléctrica	11,5 (1 MHz) a lo largo del eje C, 9,3 (1 MHz) perpendicular al eje C
Tangente de pérdida dieléctrica (también conocido como factor de disipación)	menos de 1 x 10-4
Conductividad térmica	40 W/(mK) a 20℃
Pulido	Pulido de una sola cara (SSP) o pulido de doble cara (DSP), Ra < 0,5 nm (por AFM). El reverso de la oblea de SSP se pulió finamente a Ra = 0,8-1,2 µm.
Transmitancia	88% +/-1 % a 460 nm