Lingote semiaislante de carburo de silicio 4H-SiC de 6 pulgadas, grado simulado

Breve descripción:

El carburo de silicio (SiC) está revolucionando la industria de los semiconductores, particularmente en aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia y resistentes a la radiación. El lingote semiaislante 4H-SiC de 6 pulgadas, que se ofrece en calidad simulada, es un material esencial para los procesos de creación de prototipos, investigación y calibración. Con una amplia banda prohibida, excelente conductividad térmica y robustez mecánica, este lingote sirve como una opción rentable para pruebas y optimización de procesos sin comprometer la calidad fundamental requerida para el desarrollo avanzado. Este producto atiende a una variedad de aplicaciones, incluyendo electrónica de potencia, dispositivos de radiofrecuencia (RF) y optoelectrónica, lo que lo convierte en una herramienta invaluable para la industria y las instituciones de investigación.

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Detalle del producto

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Propiedades

1. Propiedades físicas y estructurales
●Tipo de material: Carburo de silicio (SiC)
●Politipo: 4H-SiC, estructura cristalina hexagonal.
●Diámetro: 6 pulgadas (150 mm)
●Espesor: Configurable (5-15 mm típico para grado simulado)
●Orientación del cristal:
oPrimario: [0001] (plano C)
oOpciones secundarias: 4° fuera del eje para un crecimiento epitaxial optimizado
●Orientación plana primaria: (10-10) ± 5°
●Orientación del plano secundario: 90° en sentido antihorario desde el plano primario ± 5°

2. Propiedades eléctricas
●Resistividad:
oSemiaislante (>106^66 Ω·cm), ideal para minimizar la capacitancia parásita.
●Tipo de dopaje:
oDopado involuntariamente, lo que produce una alta resistividad eléctrica y estabilidad en una variedad de condiciones operativas.

3. Propiedades térmicas
●Conductividad térmica: 3,5-4,9 W/cm·K, lo que permite una disipación eficaz del calor en sistemas de alta potencia.
●Coeficiente de expansión térmica: 4,2×10−64,2 \times 10^{-6}4,2×10−6/K, lo que garantiza la estabilidad dimensional durante el procesamiento a alta temperatura.

4. Propiedades ópticas
●Bandgap: Amplia banda prohibida de 3,26 eV, que permite el funcionamiento bajo altos voltajes y temperaturas.
●Transparencia: Alta transparencia a longitudes de onda visibles y UV, útil para pruebas optoelectrónicas.

5. Propiedades mecánicas
●Dureza: escala Mohs 9, solo superada por el diamante, lo que garantiza durabilidad durante el procesamiento.
●Densidad de defectos:
oControlado para detectar defectos macroeconómicos mínimos, lo que garantiza una calidad suficiente para aplicaciones ficticias.
●Planicidad: Uniformidad con desviaciones.

Parámetro	Detalles	Unidad
Calificación	Grado ficticio
Diámetro	150,0 ± 0,5	mm
Orientación de la oblea	En el eje: <0001> ± 0,5°	grado
Resistividad eléctrica	> 1E5	Ω·cm
Orientación plana primaria	{10-10} ± 5,0°	grado
Longitud plana primaria	Muesca
Grietas (inspección con luz de alta intensidad)	< 3 mm en radial	mm
Placas hexagonales (inspección con luz de alta intensidad)	Área acumulada ≤ 5%	%
Áreas politipo (inspección de luz de alta intensidad)	Área acumulada ≤ 10%	%
Densidad del microtubo	< 50	cm-2^-2-2
Descantillado de bordes	Se permiten 3, cada uno ≤ 3 mm	mm
Nota	El espesor de la oblea para cortar < 1 mm, > 70 % (excluyendo dos extremos) cumple con los requisitos anteriores

Aplicaciones

1. Creación de prototipos e investigación
El lingote ficticio de 4H-SiC de 6 pulgadas es un material ideal para la creación de prototipos y la investigación, lo que permite a los fabricantes y laboratorios:
●Pruebe los parámetros del proceso en Deposición Química de Vapor (CVD) o Deposición Física de Vapor (PVD).
●Desarrollar y perfeccionar técnicas de grabado, pulido y corte de obleas.
●Explore nuevos diseños de dispositivos antes de realizar la transición al material apto para producción.

2. Calibración y prueba del dispositivo
Las propiedades semiaislantes hacen que este lingote sea invaluable para:
●Evaluación y calibración de las propiedades eléctricas de dispositivos de alta potencia y alta frecuencia.
●Simulación de condiciones operativas para MOSFET, IGBT o diodos en entornos de prueba.
●Sirve como un sustituto rentable de sustratos de alta pureza durante las primeras etapas de desarrollo.

3. Electrónica de potencia
La alta conductividad térmica y las características de banda prohibida amplia del 4H-SiC permiten un funcionamiento eficiente en electrónica de potencia, que incluye:
●Fuentes de alimentación de alto voltaje.
●Inversores para vehículos eléctricos (EV).
●Sistemas de energía renovable, como inversores solares y turbinas eólicas.

4. Aplicaciones de radiofrecuencia (RF)
Las bajas pérdidas dieléctricas y la alta movilidad de los electrones del 4H-SiC lo hacen adecuado para:
●Amplificadores de RF y transistores en infraestructuras de comunicación.
●Sistemas de radar de alta frecuencia para aplicaciones aeroespaciales y de defensa.
●Componentes de red inalámbrica para tecnologías 5G emergentes.

5. Dispositivos resistentes a la radiación
Debido a su resistencia inherente a los defectos inducidos por la radiación, el 4H-SiC semiaislante es ideal para:
●Equipos de exploración espacial, incluidos sistemas de energía y electrónica satelital.
●Electrónica reforzada contra la radiación para monitoreo y control nuclear.
●Aplicaciones de defensa que requieren robustez en entornos extremos.

6. Optoelectrónica
La transparencia óptica y la amplia banda prohibida del 4H-SiC permiten su uso en:
●Fotodetectores UV y LEDs de alta potencia.
●Pruebas de recubrimientos ópticos y tratamientos superficiales.
●Prototipado de componentes ópticos para sensores avanzados.

Ventajas del material simulado

Rentabilidad:
El grado ficticio es una alternativa más asequible a los materiales de grado de investigación o producción, lo que lo hace ideal para pruebas de rutina y refinamiento de procesos.

Personalización:
Las dimensiones configurables y las orientaciones del cristal garantizan la compatibilidad con una amplia gama de aplicaciones.

Escalabilidad:
El diámetro de 6 pulgadas se alinea con los estándares de la industria, lo que permite un escalado perfecto a procesos de nivel de producción.

Robustez:
La alta resistencia mecánica y la estabilidad térmica hacen que el lingote sea duradero y confiable en diversas condiciones experimentales.

Versatilidad:
Adecuado para múltiples industrias, desde sistemas energéticos hasta comunicaciones y optoelectrónica.

Conclusión

El lingote semiaislante de carburo de silicio (4H-SiC) de 6 pulgadas, grado simulado, ofrece una plataforma confiable y versátil para investigación, creación de prototipos y pruebas en sectores de tecnología de punta. Sus excepcionales propiedades térmicas, eléctricas y mecánicas, combinadas con su asequibilidad y personalización, lo convierten en un material indispensable tanto para el mundo académico como para la industria. Desde electrónica de potencia hasta sistemas de RF y dispositivos resistentes a la radiación, este lingote respalda la innovación en cada etapa del desarrollo.
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