Las obleas de SiC del carburo de silicio de 2 pulgadas y 50,8 mm doparon la investigación de producción tipo N y el grado ficticio

Obleas de SiC de carburo de silicio de 2 pulgadas y 50,8 mm Investigación de producción tipo N dopada y grado ficticio Imagen destacada

Breve descripción:

Tecnología Xinkehui de Shanghai.Co., Ltd ofrece la mejor selección y precios para obleas y sustratos de carburo de silicio de alta calidad de hasta seis pulgadas de diámetro con tipos N y semiaislantes.Pequeñas y grandes empresas de dispositivos semiconductores y laboratorios de investigación de todo el mundo utilizan y confían en nuestras obleas de carburo de silicona.

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Los criterios paramétricos para obleas de SiC sin dopar 4H-N de 2 pulgadas incluyen

Material del sustrato: carburo de silicio 4H (4H-SiC)

Estructura cristalina: tetrahexaédrica (4H)

Dopaje: No dopado (4H-N)

Tamaño: 2 pulgadas

Tipo de conductividad: tipo N (dopado n)

Conductividad: Semiconductor

Perspectivas del mercado: las obleas de SiC no dopadas 4H-N tienen muchas ventajas, como alta conductividad térmica, baja pérdida de conducción, excelente resistencia a altas temperaturas y alta estabilidad mecánica, por lo que tienen una amplia perspectiva de mercado en electrónica de potencia y aplicaciones de RF.Con el desarrollo de las energías renovables, los vehículos eléctricos y las comunicaciones, existe una demanda creciente de dispositivos con alta eficiencia, funcionamiento a alta temperatura y alta tolerancia a la potencia, lo que brinda una oportunidad de mercado más amplia para las obleas de SiC no dopadas 4H-N.

Usos: Las obleas de SiC no dopadas 4H-N de 2 pulgadas se pueden utilizar para fabricar una variedad de dispositivos electrónicos de potencia y RF, incluidos, entre otros:

MOSFET 1--4H-SiC: transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico para aplicaciones de alta potencia y alta temperatura.Estos dispositivos tienen bajas pérdidas de conducción y conmutación para proporcionar mayor eficiencia y confiabilidad.

2--4H-SiC JFET: FET de unión para amplificadores de potencia de RF y aplicaciones de conmutación.Estos dispositivos ofrecen rendimiento de alta frecuencia y alta estabilidad térmica.

Diodos Schottky 3--4H-SiC: Diodos para aplicaciones de alta potencia, alta temperatura y alta frecuencia.Estos dispositivos ofrecen alta eficiencia con bajas pérdidas de conducción y conmutación.

Dispositivos optoelectrónicos 4--4H-SiC: Dispositivos utilizados en áreas como diodos láser de alta potencia, detectores UV y circuitos integrados optoelectrónicos.Estos dispositivos tienen características de alta potencia y frecuencia.

En resumen, las obleas de SiC no dopadas 4H-N de 2 pulgadas tienen potencial para una amplia gama de aplicaciones, especialmente en electrónica de potencia y RF.Su rendimiento superior y estabilidad a altas temperaturas los convierten en un fuerte competidor para reemplazar los materiales de silicio tradicionales en aplicaciones de alto rendimiento, alta temperatura y alta potencia.