Oblea de sustrato de SiC de 2 pulgadas HPSI semi-4H, simulación de producción, grado de investigación

El sustrato de carburo de silicio se divide principalmente en conductor y semiaislante. El sustrato de carburo de silicio conductor, de tipo n, se utiliza principalmente para LED epitaxiales basados ​​en GaN y otros dispositivos optoelectrónicos, dispositivos electrónicos de potencia basados ​​en SiC, etc., y el sustrato de carburo de silicio SiC semiaislante se utiliza principalmente para la fabricación epitaxial de dispositivos de radiofrecuencia de alta potencia de GaN. Además, el semiaislamiento de alta pureza HPSI y el semiaislamiento SI son diferentes, con una concentración de portadores de semiaislamiento de alta pureza de 3,5 * 10 13 ~ 8 * 10 15/cm³, con alta movilidad electrónica; el semiaislamiento es un material de alta resistencia con una resistividad muy alta, generalmente utilizado para sustratos de dispositivos de microondas, no conductor.

Lámina de sustrato de carburo de silicio semiaislante Oblea de SiC

La estructura cristalina del SiC determina su físico, en relación con el Si y el GaAs, el SiC tiene para las propiedades físicas; el ancho de banda prohibido es grande, cerca de 3 veces el del Si, para garantizar que el dispositivo funcione a altas temperaturas con confiabilidad a largo plazo; la intensidad del campo de ruptura es alta, es 10 veces mayor que la del Si, para garantizar que la capacidad de voltaje del dispositivo mejore el valor de voltaje del dispositivo; la tasa de electrones de saturación es grande, es 2 veces mayor que la del Si, para aumentar la frecuencia y la densidad de potencia del dispositivo; la conductividad térmica es alta, más que la del Si, la conductividad térmica es alta, la conductividad térmica es alta, la conductividad térmica es alta, la conductividad térmica es alta, más que la del Si, la conductividad térmica es alta, la conductividad térmica es alta. Alta conductividad térmica, más de 3 veces la del Si, lo que aumenta la capacidad de disipación de calor del dispositivo y realiza la miniaturización del dispositivo.