Oblea de SiC 4H-N/6H-N Producción de investigación Grado ficticio Sustrato de carburo de silicio Dia150mm
Especificación del sustrato de carburo de silicio (SiC) de 6 pulgadas de diámetro
Calificación | MPD cero | Producción | Grado de investigación | Grado ficticio |
Diámetro | 150,0 mm ± 0,25 mm | |||
Espesor | 4H-N | 350um±25um | ||
4H-SI | 500um±25um | |||
Orientación de la oblea | En el eje:<0001>±0,5°para 4H-SI | |||
Piso Primario | {10-10}±5,0° | |||
Longitud plana primaria | 47,5 mm ± 2,5 mm | |||
Exclusión de bordes | 3mm | |||
TTV/arco/deformación | ≤15um/≤40um/≤60um | |||
Densidad del microtubo | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤15cm-2 | ≤50cm-2 |
Resistividad 4H-N 4H-SI | 0,015~0,028Ω!cm | |||
≥1E5Ω!cm | ||||
Aspereza | Polaco Ra ≤1nm CMP Ra≤0.5nm | |||
#Grietas por luz de alta intensidad | Ninguno | 1 permitido, ≤2 mm | Longitud acumulada ≤10 mm, longitud única ≤2 mm | |
*Placas hexagonales por luz de alta intensidad. | Área acumulada ≤1% | Área acumulada ≤ 2% | Área acumulada ≤ 5% | |
*Áreas politipo por luz de alta intensidad | Ninguno | Área acumulada ≤ 2% | Área acumulada ≤ 5% | |
*&Arañazos por luz de alta intensidad | 3 rayones por 1 x longitud acumulada del diámetro de la oblea | 5 rayones por 1 x diámetro de oblea de longitud acumulada | 5 rayones hasta 1 x longitud acumulada del diámetro de la oblea | |
chip de borde | Ninguno | 3 permitidos, ≤0,5 mm cada uno | 5 permitidos, ≤1 mm cada uno | |
Contaminación por luz de alta intensidad. | Ninguno
|
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