Producción de obleas de SiC 4H-N/6H-N para investigación, grado ficticio, diámetro de 150 mm, sustrato de carburo de silicio

Descripción breve:

Ofrecemos sustratos de película delgada superconductora de alta temperatura, películas delgadas magnéticas y ferroeléctricas, así como cristales semiconductores, cristales ópticos y materiales de cristal láser. Además, ofrecemos servicios de orientación, corte, rectificado y pulido de cristales, entre otros. Nuestros sustratos de SiC provienen de la fábrica de Tankeblue en China.


Detalle del producto

Etiquetas de productos

Especificación del sustrato de carburo de silicio (SiC) de 6 pulgadas de diámetro

Calificación

MPD cero

Producción

Grado de investigación

Grado ficticio

Diámetro

150,0 mm ± 0,25 mm

Espesor

4H-N

350 ± 25 µm

4H-SI

500 ± 25 µm

Orientación de las obleas

En el eje: <0001>±0,5° para 4H-SI
Fuera del eje: 4,0° hacia <1120> ± 0,5° para 4H-N

Piso principal

{10-10}±5,0°

Longitud plana primaria

47,5 mm ± 2,5 mm

Exclusión de bordes

3 mm

TTV/Arco/Urdimbre

≤15 um/≤40 um/≤60 um

Densidad de microtubos

≤1 cm-2

≤5 cm-2

≤15 cm-2

≤50 cm-2

Resistividad 4H-N 4H-SI

0,015~0,028 Ω!cm

≥1E5Ω!cm

Aspereza

Polaco Ra ≤1 nm CMP Ra ≤0,5 nm

#Grietas por luz de alta intensidad

Ninguno

1 permitido, ≤2 mm

Longitud acumulada ≤10 mm, longitud única ≤2 mm

*Placas hexagonales de luz de alta intensidad.

Área acumulada ≤1%

Área acumulada ≤ 2%

Área acumulada ≤ 5%

*Áreas de politipo mediante luz de alta intensidad

Ninguno

Área acumulada ≤ 2%

Área acumulada ≤ 5%

*&Rasguños por luz de alta intensidad

3 rayones en 1 x diámetro de oblea (longitud acumulada)

5 rayones por cada 1 x diámetro de oblea (longitud acumulada)

5 arañazos por cada 1 x diámetro de la oblea (longitud acumulada)

Chip de borde

Ninguno

Se permiten 3, ≤0,5 mm cada uno

Se permiten 5, ≤1 mm cada uno

Contaminación por luz de alta intensidad

Ninguno

Ventas y servicio al cliente

Compra de materiales

El departamento de compras de materiales se encarga de reunir todas las materias primas necesarias para la producción de su producto. La trazabilidad completa de todos los productos y materiales, incluyendo análisis químicos y físicos, está siempre disponible.

Calidad

Durante y después de la fabricación o el mecanizado de sus productos, el departamento de control de calidad se encarga de garantizar que todos los materiales y tolerancias cumplan o superen sus especificaciones.

Servicio

Nos enorgullecemos de contar con un equipo de ingeniería de ventas con más de 5 años de experiencia en la industria de semiconductores. Están capacitados para responder preguntas técnicas y proporcionar cotizaciones oportunas para sus necesidades.

Estamos a su lado en cualquier momento cuando tenga un problema y lo resolvemos en 10 horas.

Diagrama detallado

Sustrato de carburo de silicio (1)
Sustrato de carburo de silicio (2)

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