Oblea de sustrato de SiC de 8 pulgadas y 4H-N, maniquí de carburo de silicio, grado de investigación, espesor de 500 um

Descripción breve:

Las obleas de carburo de silicio se utilizan en dispositivos electrónicos como diodos de potencia, MOSFET, dispositivos de microondas de alta potencia y transistores de radiofrecuencia (RF), lo que permite una conversión y gestión energética eficientes. Las obleas y sustratos de SiC también se utilizan en electrónica automotriz, sistemas aeroespaciales y tecnologías de energías renovables.


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¿Cómo elegir obleas de carburo de silicio y sustratos de SiC?

Al elegir obleas y sustratos de carburo de silicio (SiC), hay varios factores a considerar. A continuación, se presentan algunos criterios importantes:

Tipo de material: Determine el tipo de SiC adecuado para su aplicación, como 4H-SiC o 6H-SiC. La estructura cristalina más común es 4H-SiC.

Tipo de dopaje: Decida si necesita un sustrato de SiC dopado o sin dopar. Los tipos de dopaje más comunes son el tipo N (dopado con n) o el tipo P (dopado con p), según sus requisitos específicos.

Calidad del Cristal: Evalúe la calidad del cristal de las obleas o sustratos de SiC. La calidad deseada se determina mediante parámetros como el número de defectos, la orientación cristalográfica y la rugosidad superficial.

Diámetro de la oblea: Elija el tamaño de oblea adecuado según su aplicación. Los tamaños comunes son 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas y 6 pulgadas. Cuanto mayor sea el diámetro, mayor será el rendimiento por oblea.

Grosor: Considere el grosor deseado de las obleas o sustratos de SiC. Los grosores típicos varían desde unos pocos micrómetros hasta varios cientos de micrómetros.

Orientación: Determine la orientación cristalográfica que se ajuste a los requisitos de su aplicación. Las orientaciones comunes incluyen (0001) para 4H-SiC y (0001) o (0001̅) para 6H-SiC.

Acabado superficial: Evalúe el acabado superficial de las obleas o sustratos de SiC. La superficie debe ser lisa, pulida y libre de rayones y contaminantes.

Reputación del proveedor: Elija un proveedor con buena reputación y amplia experiencia en la producción de obleas y sustratos de SiC de alta calidad. Considere factores como la capacidad de fabricación, el control de calidad y las opiniones de los clientes.

Costo: considere las implicaciones de costo, incluido el precio por oblea o sustrato y cualquier gasto de personalización adicional.

Es importante evaluar cuidadosamente estos factores y consultar con expertos de la industria o proveedores para garantizar que las obleas y sustratos de SiC elegidos cumplan con los requisitos de su aplicación específica.

Diagrama detallado

Oblea de sustrato de SiC de 8 pulgadas y 4H-N, maniquí de carburo de silicio, grado de investigación, espesor de 500 um (1)
Oblea de sustrato de SiC de 8 pulgadas y 4H-N, maniquí de carburo de silicio, grado de investigación, espesor de 500 um (2)
Oblea de sustrato de SiC de 8 pulgadas y 4H-N, maniquí de carburo de silicio, grado de investigación, espesor de 500 um (3)
Oblea de sustrato de SiC de 8 pulgadas y 4H-N, maniquí de carburo de silicio, grado de investigación, espesor de 500 um (4)

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