4H-N espesor simulado del grado 500um de la investigación del carburo de silicio de la oblea del sustrato de SiC de 8 pulgadas

Oblea de sustrato de SiC 4H-N de 8 pulgadas Maniquí de carburo de silicio Grado de investigación Grosor de 500 um Imagen destacada

Breve descripción:

Las obleas de carburo de silicio se utilizan en dispositivos electrónicos como diodos de potencia, MOSFET, dispositivos de microondas de alta potencia y transistores de RF, lo que permite una conversión y gestión de energía eficientes. Las obleas y sustratos de SiC también se utilizan en electrónica automotriz, sistemas aeroespaciales y tecnologías de energía renovable.

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¿Cómo se eligen obleas de carburo de silicio y sustratos de SiC?

Al elegir obleas y sustratos de carburo de silicio (SiC), hay varios factores a considerar. Aquí hay algunos criterios importantes:

Tipo de material: determine el tipo de material de SiC que se adapta a su aplicación, como 4H-SiC o 6H-SiC. La estructura cristalina más utilizada es 4H-SiC.

Tipo de dopaje: decida si necesita un sustrato de SiC dopado o no. Los tipos de dopaje comunes son el tipo N (dopado n) o el tipo P (dopado p), según sus requisitos específicos.

Calidad del cristal: evalúe la calidad del cristal de las obleas o sustratos de SiC. La calidad deseada está determinada por parámetros como el número de defectos, la orientación cristalográfica y la rugosidad de la superficie.

Diámetro de oblea: elija el tamaño de oblea adecuado según su aplicación. Los tamaños comunes incluyen 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas y 6 pulgadas. Cuanto mayor sea el diámetro, más rendimiento podrás obtener por oblea.

Espesor: considere el espesor deseado de las obleas o sustratos de SiC. Las opciones de espesor típicas varían desde unos pocos micrómetros hasta varios cientos de micrómetros.

Orientación: determine la orientación cristalográfica que se alinee con los requisitos de su aplicación. Las orientaciones comunes incluyen (0001) para 4H-SiC y (0001) o (0001̅) para 6H-SiC.

Acabado superficial: Evalúe el acabado superficial de las obleas o sustratos de SiC. La superficie debe estar lisa, pulida y libre de rayones o contaminantes.

Reputación del proveedor: elija un proveedor acreditado con amplia experiencia en la producción de obleas y sustratos de SiC de alta calidad. Considere factores como las capacidades de fabricación, el control de calidad y las opiniones de los clientes.

Costo: considere las implicaciones de costos, incluido el precio por oblea o sustrato y cualquier gasto de personalización adicional.

Es importante evaluar cuidadosamente estos factores y consultar con expertos o proveedores de la industria para garantizar que las obleas y sustratos de SiC elegidos cumplan con los requisitos específicos de su aplicación.