Obleas de SiC de 4 pulgadas Sustratos de SiC semiaislantes 6H grado primario, de investigación y simulado

Obleas de SiC de 4 pulgadas Sustratos de SiC semiaislantes 6H de grado primario, de investigación y ficticio Imagen destacada

Breve descripción:

El sustrato de carburo de silicio semiaislado se forma cortando, esmerilando, puliendo, limpiando y otras tecnologías de procesamiento después del crecimiento del cristal de carburo de silicio semiaislado. Se cultiva una capa o capa de cristal multicapa sobre el sustrato que cumple con los requisitos de calidad como epitaxia, y luego se fabrica el dispositivo de RF de microondas combinando el diseño del circuito y el empaque. Disponible como sustratos monocristalinos de carburo de silicio semiaislado de grado industrial, de investigación y de prueba de 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas y 8 pulgadas.

Envíanos un correo electrónico

Detalle del producto

Etiquetas de producto

Especificación de producto

Calificación			Grado de producción cero MPD (grado Z)			Grado de producción estándar (grado P)		Grado ficticio (grado D)
Diámetro			99,5 mm~100,0 mm
	4H-SI		500 µm ± 20 µm			500 µm±25 µm
Orientación de la oblea			Fuera del eje: 4,0° hacia < 1120 > ±0,5° para 4H-N, En el eje: <0001>±0,5° para 4H-SI
	4H-SI		≤1cm^-2			≤5cm^-2		≤15cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Orientación plana primaria		{10-10} ±5,0°
Longitud plana primaria		32,5 mm±2,0 mm
Longitud plana secundaria		18,0 mm±2,0 mm
Orientación plana secundaria		Silicio boca arriba: 90° CW. desde plano primario ±5.0°
Exclusión de borde		3 milímetros
LTV/TTV/arco/deformación		≤3 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm						≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm
Aspereza			cara C				Polaco		Ra≤1 nanómetro
			si cara	CMP	Ra≤0,2 nm					Ra≤0,5 nm
Grietas en los bordes por luz de alta intensidad		Ninguno						Longitud acumulada ≤ 10 mm, simple longitud≤2 mm
Placas hexagonales por luz de alta intensidad		Área acumulada ≤0,05%						Área acumulada ≤0,1%
Áreas politipo por luz de alta intensidad		Ninguno						Área acumulada≤3%
Inclusiones visuales de carbono		Área acumulada ≤0,05%						Área acumulada ≤3%
Arañazos en la superficie de silicio causados por luz de alta intensidad		Ninguno						Longitud acumulada≤1＊diámetro de la oblea
Chips de borde altos por intensidad de luz		Ninguno permitido ≥0,2 mm de ancho y profundidad						5 permitidos, ≤1 mm cada uno
Contaminación de la superficie de silicio por alta intensidad		Ninguno
Embalaje		Casete de múltiples obleas o contenedor de una sola oblea