Obleas de SiC de 4 pulgadas, sustratos de SiC semiaislantes 6H, grado de imprimación, investigación y simulación

Obleas de SiC de 4 pulgadas, sustratos de SiC semiaislantes 6H de grado primario, de investigación y de prueba Imagen destacada

Descripción breve:

El sustrato de carburo de silicio semiaislado se forma mediante corte, esmerilado, pulido, limpieza y otras tecnologías de procesamiento tras el crecimiento del cristal de carburo de silicio semiaislado. Se cultiva una capa o multicapa de cristal sobre el sustrato que cumple con los requisitos de calidad de la epitaxia, y posteriormente se fabrica el dispositivo de RF de microondas combinando el diseño del circuito y el empaquetado. Disponible en sustratos monocristalinos de carburo de silicio semiaislado de grado industrial, de investigación y de prueba de 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas de grosor, 6 pulgadas y 8 pulgadas.

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Características

Especificación del producto

Calificación			Grado de producción de MPD cero (grado Z)			Grado de producción estándar (Grado P)		Grado ficticio (Grado D)
Diámetro			99,5 mm ~ 100,0 mm
	4H-SI		500 μm ± 20 μm			500 μm ± 25 μm
Orientación de las obleas			Fuera del eje: 4,0° hacia < 1120 > ±0,5° para 4H-N, En el eje: <0001> ±0,5° para 4H-SI
	4H-SI		≤1 cm^-2			≤5 centímetros^-2		≤15 centímetros^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Orientación plana primaria		{10-10} ±5,0°
Longitud plana primaria		32,5 mm ± 2,0 mm
Longitud plana secundaria		18,0 mm ± 2,0 mm
Orientación plana secundaria		Cara de silicio hacia arriba: 90° CW desde la superficie plana principal ±5,0°
Exclusión de bordes		3 milímetros
LTV/TTV/Arco/Urdimbre		≤3 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm						≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm
Aspereza			Cara C				Polaco		Ra≤1 nm
			Si cara	CMP	Ra≤0,2 nm					Ra≤0,5 nm
Grietas en los bordes por luz de alta intensidad		Ninguno						Longitud acumulada ≤ 10 mm, única longitud ≤2 mm
Placas hexagonales de luz de alta intensidad		Área acumulada ≤0,05%						Área acumulada ≤0,1%
Áreas de politipos mediante luz de alta intensidad		Ninguno						Área acumulada ≤ 3%
Inclusiones visuales de carbono		Área acumulada ≤0,05%						Área acumulada ≤3%
Rayaduras en la superficie de silicio causadas por luz de alta intensidad		Ninguno						Longitud acumulada ≤ 1 ＊ diámetro de la oblea
Chips de borde de alta intensidad de luz		No se permite ninguno ≥0,2 mm de ancho y profundidad						Se permiten 5, ≤1 mm cada uno
Contaminación de la superficie de silicio por alta intensidad		Ninguno
Embalaje		Casete multi-obleas o contenedor de una sola oblea