Oblea de sustrato Semi-SiC 4H de 3 pulgadas y 76,2mm Obleas de SiC semiinsultantes de carburo de silicio

Las obleas de sustrato de SiC (carburo de silicio) semiaisladas 4H de 3 pulgadas son un material semiconductor de uso común. 4H indica una estructura cristalina tetrahexaédrica. Semiaislamiento significa que el sustrato tiene características de alta resistencia y puede aislarse en cierta medida del flujo de corriente.

Estas obleas de sustrato tienen las siguientes características: alta conductividad térmica, baja pérdida de conducción, excelente resistencia a altas temperaturas y excelente estabilidad mecánica y química. Debido a que el carburo de silicio tiene una amplia brecha energética y puede soportar altas temperaturas y condiciones de campo eléctrico elevado, las obleas semiaisladas de 4H-SiC se utilizan ampliamente en electrónica de potencia y dispositivos de radiofrecuencia (RF).

Las principales aplicaciones de las obleas semiaisladas de 4H-SiC incluyen:

1--Electrónica de potencia: las obleas de 4H-SiC se pueden utilizar para fabricar dispositivos de conmutación de potencia como MOSFET (transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico), IGBT (transistores bipolares de puerta aislada) y diodos Schottky. Estos dispositivos tienen menores pérdidas de conducción y conmutación en entornos de alto voltaje y alta temperatura y ofrecen mayor eficiencia y confiabilidad.

2. Dispositivos de radiofrecuencia (RF): las obleas semiaisladas de 4H-SiC se pueden utilizar para fabricar amplificadores de potencia de RF de alta potencia y alta frecuencia, resistencias en chip, filtros y otros dispositivos. El carburo de silicio tiene un mejor rendimiento de alta frecuencia y estabilidad térmica debido a su mayor tasa de deriva de saturación de electrones y su mayor conductividad térmica.

3--Dispositivos optoelectrónicos: las obleas semiaisladas de 4H-SiC se pueden utilizar para fabricar diodos láser de alta potencia, detectores de luz ultravioleta y circuitos integrados optoelectrónicos.

En términos de dirección del mercado, la demanda de obleas semiaisladas de 4H-SiC está aumentando con los crecientes campos de la electrónica de potencia, RF y la optoelectrónica. Esto se debe a que el carburo de silicio tiene una amplia gama de aplicaciones, incluidas la eficiencia energética, los vehículos eléctricos, las energías renovables y las comunicaciones. En el futuro, el mercado de obleas semiaisladas de 4H-SiC sigue siendo muy prometedor y se espera que reemplace los materiales de silicio convencionales en diversas aplicaciones.