Obleas de carburo de silicio (SiC) de 2 pulgadas y 50,8 mm dopadas con Si tipo N, investigación de producción y grado ficticio

Material del sustrato: carburo de silicio 4H (4H-SiC)

Estructura cristalina: tetrahexaédrica (4H)

Dopaje: Sin dopar (4H-N)

Tamaño: 2 pulgadas

Tipo de conductividad: tipo N (dopado con n)

Conductividad: Semiconductor

Perspectivas de mercado: Las obleas de SiC no dopado con 4H-N ofrecen numerosas ventajas, como alta conductividad térmica, bajas pérdidas por conducción, excelente resistencia a altas temperaturas y alta estabilidad mecánica, lo que las convierte en una opción de mercado muy atractiva en electrónica de potencia y aplicaciones de radiofrecuencia. Con el desarrollo de las energías renovables, los vehículos eléctricos y las comunicaciones, existe una creciente demanda de dispositivos con alta eficiencia, funcionamiento a altas temperaturas y alta tolerancia a la potencia, lo que amplía las oportunidades de mercado para las obleas de SiC no dopado con 4H-N.

Usos: Las obleas de SiC no dopadas 4H-N de 2 pulgadas se pueden utilizar para fabricar una variedad de dispositivos electrónicos de potencia y RF, incluidos, entre otros:

MOSFET de 1-4H-SiC: Transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico para aplicaciones de alta potencia y alta temperatura. Estos dispositivos presentan bajas pérdidas de conducción y conmutación, lo que proporciona mayor eficiencia y fiabilidad.

JFET de 2-4H-SiC: FET de unión para amplificadores de potencia de RF y aplicaciones de conmutación. Estos dispositivos ofrecen un alto rendimiento de frecuencia y una alta estabilidad térmica.

Diodos Schottky de 3-4H-SiC: Diodos para aplicaciones de alta potencia, alta temperatura y alta frecuencia. Estos dispositivos ofrecen alta eficiencia con bajas pérdidas de conducción y conmutación.

Dispositivos optoelectrónicos de 4--4H-SiC: Dispositivos utilizados en áreas como diodos láser de alta potencia, detectores UV y circuitos integrados optoelectrónicos. Estos dispositivos presentan características de alta potencia y frecuencia.

En resumen, las obleas de SiC no dopadas 4H-N de 2 pulgadas ofrecen potencial para una amplia gama de aplicaciones, especialmente en electrónica de potencia y radiofrecuencia (RF). Su rendimiento superior y estabilidad a altas temperaturas las convierten en una sólida opción para reemplazar los materiales de silicio tradicionales en aplicaciones de alto rendimiento, alta temperatura y alta potencia.