Sustrato de oblea de germanio de 2 pulgadas y 50,8 mm monocristalino 1SP 2SP

Breve descripción:

El germanio de alta pureza es un material semiconductor utilizado en la fabricación de dispositivos semiconductores.El monocristal de germanio dopado con trazas de impurezas específicas se puede utilizar para fabricar varios transistores, rectificadores y otros dispositivos.El monocristal de germanio de alta pureza tiene un alto coeficiente de refracción, transparente al infrarrojo, no a través de la luz visible e infrarroja, y se puede utilizar como prisma o lente para luz infrarroja.Los compuestos de germanio se utilizan en la fabricación de placas fluorescentes y diversos vidrios de alta refracción.También se utiliza en detectores de radiación y materiales termoeléctricos.


Detalle del producto

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Información detallada

Los chips de germanio tienen propiedades semiconductoras.Ha desempeñado un papel importante en el desarrollo de la física del estado sólido y la electrónica del estado sólido.El germanio tiene una densidad de fusión de 5,32 g/cm 3, el germanio puede clasificarse como un metal disperso fino, estabilidad química del germanio, no interactúa con el aire o el vapor de agua a temperatura ambiente, pero a 600 ~ 700 ℃, el dióxido de germanio se genera rápidamente. .No funciona con ácido clorhídrico, ácido sulfúrico diluido.Cuando se calienta ácido sulfúrico concentrado, el germanio se disolverá lentamente.En ácido nítrico y agua regia, el germanio se disuelve fácilmente.El efecto de la solución alcalina sobre el germanio es muy débil, pero el álcali fundido en el aire puede hacer que el germanio se disuelva rápidamente.El germanio no funciona con el carbono, por lo que se funde en un crisol de grafito y no se contamina con el carbono.El germanio tiene buenas propiedades semiconductoras, como la movilidad de los electrones, la movilidad de los huecos, etc.El desarrollo del germanio todavía tiene un gran potencial.

Especificación

Método de crecimiento CZ
institución de cristal sistema cúbico
Constante de celosía a=5,65754Å
Densidad 5,323g/cm3
Punto de fusion 937,4 ℃
dopaje Desdopaje Doping-Sb Doping-Ga
Tipo /

N

P
resistencia >35Ωcm 0,01~35 Ωcm 0,05~35 Ωcm
DEP <4×103∕cm2 <4×103∕cm2 <4×103∕cm2
Diámetro 2 pulgadas/50,8mm
Espesor 0,5 mm, 1,0 mm
Superficie DSP y SSP
Orientación <100>、<110>、<111>、±0,5º
Ra ≤5Å(5 µm × 5 µm)
Paquete Paquete de 100 grados, habitación de 1000 grados

Diagrama detallado

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