Oblea de germanio de 2 pulgadas y 50,8 mm, monocristal 1SP 2SP

Descripción breve:

El germanio de alta pureza es un material semiconductor utilizado en la fabricación de dispositivos semiconductores. El monocristal de germanio dopado con trazas de impurezas específicas se puede utilizar para fabricar diversos transistores, rectificadores y otros dispositivos. El monocristal de germanio de alta pureza tiene un alto coeficiente de refracción, es transparente al infrarrojo, pero no a la luz visible ni infrarroja, y puede utilizarse como prisma o lente para la luz infrarroja. Los compuestos de germanio se utilizan en la fabricación de placas fluorescentes y diversos vidrios de alta refracción. También se utiliza en detectores de radiación y materiales termoeléctricos.


Características

Información detallada

Los chips de germanio poseen propiedades semiconductoras. Han desempeñado un papel importante en el desarrollo de la física y la electrónica del estado sólido. El germanio tiene una densidad de fusión de 5,32 g/cm³ y puede clasificarse como un metal disperso delgado. Su estabilidad química le permite interactuar con el aire o el vapor de agua a temperatura ambiente, pero a 600 ~ 700 ℃, genera rápidamente dióxido de germanio. No es compatible con ácido clorhídrico ni ácido sulfúrico diluido. Al calentar ácido sulfúrico concentrado, el germanio se disuelve lentamente. En ácido nítrico y agua regia, el germanio se disuelve fácilmente. El efecto de una solución alcalina sobre el germanio es muy débil, pero la solución alcalina fundida en el aire puede hacer que se disuelva rápidamente. El germanio no es compatible con el carbono, por lo que se funde en un crisol de grafito y no se contamina con carbono. El germanio posee buenas propiedades semiconductoras, como la movilidad de electrones y huecos, entre otras. El desarrollo del germanio aún tiene un gran potencial.

Especificación

Método de crecimiento CZ
institución cristalina Sistema cúbico
Constante reticular a=5,65754 Å
Densidad 5,323 g/cm3
Punto de fusión 937,4℃
Dopaje Desdopaje Dopaje-Sb Dopaje-Ga
Tipo /

N

P
resistencia >35 Ωcm 0,01~35 Ωcm 0,05~35 Ωcm
EPD <4×103∕cm2 <4×103∕cm2 <4×103∕cm2
Diámetro 2 pulgadas/50,8 mm
Espesor 0,5 mm, 1,0 mm
Superficie DSP y SSP
Orientación <100>、<110>、<111>、±0,5º
Ra ≤5Å (5 µm × 5 µm)
Paquete Paquete de 100 grados, habitación de 1000 grados

Diagrama detallado

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