Obleas de SiC de 2 pulgadas, sustratos de SiC semiaislantes 6H o 4H de diámetro 50,8mm

El sustrato de carburo de silicio se puede dividir en tipo conductor y tipo semiaislante según la resistividad. Los dispositivos conductores de carburo de silicio se utilizan principalmente en vehículos eléctricos, generación de energía fotovoltaica, tránsito ferroviario, centros de datos, carga y otras infraestructuras. La industria de los vehículos eléctricos tiene una gran demanda de sustratos conductores de carburo de silicio y, en la actualidad, Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng y otras empresas de vehículos de nueva energía han planeado utilizar dispositivos o módulos discretos de carburo de silicio.

Los dispositivos de carburo de silicio semiaislados se utilizan principalmente en comunicaciones 5G, comunicaciones de vehículos, aplicaciones de defensa nacional, transmisión de datos, aeroespacial y otros campos. Al hacer crecer la capa epitaxial de nitruro de galio sobre el sustrato de carburo de silicio semiaislado, la oblea epitaxial de nitruro de galio a base de silicio se puede convertir en dispositivos de RF de microondas, que se utilizan principalmente en el campo de RF, como amplificadores de potencia en comunicación 5G y detectores de radio en la defensa nacional.

La fabricación de productos de sustrato de carburo de silicio implica el desarrollo de equipos, la síntesis de materias primas, el crecimiento de cristales, el corte de cristales, el procesamiento de obleas, la limpieza y pruebas, y muchos otros vínculos. En términos de materias primas, la industria del boro de Songshan proporciona materias primas de carburo de silicio para el mercado y ha logrado ventas en pequeños lotes. Los materiales semiconductores de tercera generación representados por el carburo de silicio desempeñan un papel clave en la industria moderna; con la aceleración de la penetración de vehículos de nueva energía y aplicaciones fotovoltaicas, la demanda de sustratos de carburo de silicio está a punto de marcar el comienzo de un punto de inflexión.