Obleas de SiC de 2 pulgadas, sustratos de SiC semiaislantes 6H o 4H, diámetro 50,8 mm

Descripción breve:

El carburo de silicio (SiC) es un compuesto binario del Grupo IV-IV, el único sólido estable del Grupo IV de la Tabla Periódica de Elementos. Es un semiconductor importante. El SiC posee excelentes propiedades térmicas, mecánicas, químicas y eléctricas, lo que lo convierte en uno de los mejores materiales para la fabricación de dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta frecuencia y alta potencia.


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Aplicación de sustrato de carburo de silicio

El sustrato de carburo de silicio se puede clasificar en conductor y semiaislante según su resistividad. Los dispositivos conductores de carburo de silicio se utilizan principalmente en vehículos eléctricos, generación de energía fotovoltaica, transporte ferroviario, centros de datos, estaciones de carga y otras infraestructuras. La industria de vehículos eléctricos tiene una gran demanda de sustratos conductores de carburo de silicio, y actualmente, Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng y otras empresas de vehículos de nuevas energías planean utilizar dispositivos o módulos discretos de carburo de silicio.

Los dispositivos de carburo de silicio semiaislado se utilizan principalmente en comunicaciones 5G, comunicaciones vehiculares, aplicaciones de defensa nacional, transmisión de datos, sector aeroespacial y otros. Al desarrollar la capa epitaxial de nitruro de galio sobre el sustrato de carburo de silicio semiaislado, la oblea epitaxial de nitruro de galio a base de silicio puede transformarse en dispositivos de radiofrecuencia (RF) de microondas, utilizados principalmente en el campo de la RF, como amplificadores de potencia en comunicaciones 5G y detectores de radio en defensa nacional.

La fabricación de sustratos de carburo de silicio implica el desarrollo de equipos, la síntesis de materias primas, el crecimiento y corte de cristales, el procesamiento de obleas, la limpieza y las pruebas, y muchos otros procesos. En cuanto a las materias primas, la industria del boro de Songshan proporciona carburo de silicio al mercado y ha logrado ventas en lotes pequeños. Los materiales semiconductores de tercera generación, representados por el carburo de silicio, desempeñan un papel fundamental en la industria moderna. Con la acelerada penetración de vehículos de nuevas energías y aplicaciones fotovoltaicas, la demanda de sustratos de carburo de silicio está a punto de alcanzar un punto de inflexión.

Diagrama detallado

Obleas de SiC de 2 pulgadas 6H (1)
Obleas de SiC de 2 pulgadas 6H (2)

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