Sustrato de carburo de silicio Sic de 2 pulgadas, tipo 6H-N, 0,33 mm, 0,43 mm, pulido de doble cara, alta conductividad térmica, bajo consumo de energía.
Las siguientes son las características de la oblea de carburo de silicio de 2 pulgadas.
1. Dureza: La dureza de Mohs es de aproximadamente 9,2.
2. Estructura cristalina: estructura reticular hexagonal.
3. Alta conductividad térmica: la conductividad térmica del SiC es mucho mayor que la del silicio, lo que favorece una disipación eficaz del calor.
4. Banda prohibida amplia: la banda prohibida del SiC es de aproximadamente 3,3 eV, adecuada para aplicaciones de alta temperatura, alta frecuencia y alta potencia.
5. Campo eléctrico de ruptura y movilidad de electrones: Alto campo eléctrico de ruptura y movilidad de electrones, adecuados para dispositivos electrónicos de potencia eficientes como MOSFET e IGBT.
6. Estabilidad química y resistencia a la radiación: Adecuado para entornos hostiles como el aeroespacial y la defensa nacional. Excelente resistencia química a ácidos, álcalis y otros disolventes químicos.
7. Alta resistencia mecánica: Excelente resistencia mecánica en entornos de alta temperatura y alta presión.
Se puede utilizar ampliamente en equipos electrónicos de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura, como fotodetectores ultravioleta, inversores fotovoltaicos, PCU de vehículos eléctricos, etc.
La oblea de carburo de silicio de 2 pulgadas tiene varias aplicaciones.
1. Dispositivos electrónicos de potencia: se utilizan para fabricar MOSFET de potencia de alta eficiencia, IGBT y otros dispositivos, ampliamente utilizados en conversión de energía y vehículos eléctricos.
2. Dispositivos de RF: En equipos de comunicación, el SiC se puede utilizar en amplificadores de alta frecuencia y amplificadores de potencia de RF.
3. Dispositivos fotoeléctricos: como los LED basados en SIC, especialmente en aplicaciones azules y ultravioleta.
4.Sensores: Debido a su alta temperatura y resistencia química, los sustratos de SiC se pueden utilizar para fabricar sensores de alta temperatura y otras aplicaciones de sensores.
5. Militar y aeroespacial: debido a su alta resistencia a la temperatura y características de alta resistencia, adecuado para su uso en entornos extremos.
Los principales campos de aplicación del sustrato SIC tipo 2 de 6H-N incluyen vehículos de nueva energía, estaciones de transmisión y transformación de alto voltaje, electrodomésticos, trenes de alta velocidad, motores, inversores fotovoltaicos, suministro de energía de pulsos, etc.
XKH se puede personalizar con diferentes espesores según las necesidades del cliente. Disponemos de diferentes rugosidades superficiales y tratamientos de pulido. Se admiten distintos tipos de dopaje (como el dopaje con nitrógeno). El plazo de entrega estándar es de 2 a 4 semanas, según la personalización. Utilizamos materiales de embalaje antiestáticos y espuma antisísmica para garantizar la seguridad del sustrato. Disponemos de diversas opciones de envío y los clientes pueden consultar el estado de la logística en tiempo real mediante el número de seguimiento proporcionado. Ofrecemos soporte técnico y servicios de consultoría para garantizar que los clientes puedan resolver cualquier problema durante el uso.
Diagrama detallado


