Sustrato de carburo de silicio Sic de 2 pulgadas, tipo 6H-N, 0,33mm, 0,43mm, pulido de doble cara, alta conductividad térmica, bajo consumo de energía

Sustrato de carburo de silicio Sic de 2 pulgadas Tipo 6H-N 0,33 mm Pulido de doble cara de 0,43 mm Alta conductividad térmica Bajo consumo de energía Imagen destacada

Breve descripción:

El carburo de silicio (SiC) es un material semiconductor de banda prohibida ancha con excelente conductividad térmica y estabilidad química. El tipo 6H-N indica que su estructura cristalina es hexagonal (6H) y “N” indica que es un material semiconductor de tipo N, lo que generalmente se logra dopando con nitrógeno.
El sustrato de carburo de silicio tiene excelentes características de resistencia a alta presión, resistencia a alta temperatura, rendimiento de alta frecuencia, etc. En comparación con los productos de silicio, el dispositivo preparado por el sustrato de silicio puede reducir la pérdida en un 80% y reducir el tamaño del dispositivo en un 90%. En términos de vehículos de nuevas energías, el carburo de silicio puede ayudar a que los vehículos de nuevas energías sean livianos, reduzcan las pérdidas y aumenten la autonomía; En el campo de la comunicación 5G, se puede utilizar para la fabricación de equipos relacionados; En la generación de energía fotovoltaica se puede mejorar la eficiencia de conversión; El campo del tránsito ferroviario puede utilizar sus características de resistencia a altas temperaturas y altas presiones.

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Las siguientes son las características de la oblea de carburo de silicio de 2 pulgadas.

1. Dureza: La dureza de Mohs es de aproximadamente 9,2.
2. Estructura cristalina: estructura de celosía hexagonal.
3. Alta conductividad térmica: la conductividad térmica del SiC es mucho mayor que la del silicio, lo que favorece una disipación de calor eficaz.
4. Banda prohibida ancha: la banda prohibida de SiC es de aproximadamente 3,3 eV, adecuada para aplicaciones de alta temperatura, alta frecuencia y alta potencia.
5. Campo eléctrico de ruptura y movilidad de electrones: campo eléctrico de ruptura alta y movilidad de electrones, adecuado para dispositivos electrónicos de potencia eficientes como MOSFET e IGBT.
6. Estabilidad química y resistencia a la radiación: adecuado para entornos hostiles como el aeroespacial y la defensa nacional. Excelente resistencia química, ácidos, álcalis y otros disolventes químicos.
7. Alta resistencia mecánica: Excelente resistencia mecánica en entornos de alta temperatura y alta presión.
Puede ser ampliamente utilizado en equipos electrónicos de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura, como fotodetectores ultravioleta, inversores fotovoltaicos, PCU de vehículos eléctricos, etc.

La oblea de carburo de silicio de 2 pulgadas tiene varias aplicaciones.

1.Dispositivos electrónicos de potencia: se utilizan para fabricar MOSFET, IGBT y otros dispositivos de potencia de alta eficiencia, ampliamente utilizados en conversión de energía y vehículos eléctricos.

2.Dispositivos de RF: en equipos de comunicación, el SiC se puede utilizar en amplificadores de alta frecuencia y amplificadores de potencia de RF.

3.Dispositivos fotoeléctricos: como leds basados en SIC, especialmente en aplicaciones azules y ultravioleta.

4.Sensores: debido a su alta temperatura y resistencia química, los sustratos de SiC se pueden utilizar para fabricar sensores de alta temperatura y otras aplicaciones de sensores.

5.Militar y aeroespacial: debido a su resistencia a altas temperaturas y características de alta resistencia, adecuado para su uso en ambientes extremos.

Los principales campos de aplicación del sustrato SIC 6H-N tipo 2 "incluyen vehículos de nueva energía, estaciones de transformación y transmisión de alto voltaje, electrodomésticos, trenes de alta velocidad, motores, inversores fotovoltaicos, suministro de energía por impulsos, etc.

XKH se puede personalizar con diferentes espesores según los requisitos del cliente. Se encuentran disponibles diferentes tratamientos de rugosidad superficial y pulido. Se admiten diferentes tipos de dopaje (como el dopaje con nitrógeno). El plazo de entrega estándar es de 2 a 4 semanas, dependiendo de la personalización. Utilice materiales de embalaje antiestáticos y espuma antisísmica para garantizar la seguridad del sustrato. Hay varias opciones de envío disponibles y los clientes pueden verificar el estado de la logística en tiempo real a través del número de seguimiento proporcionado. Brindar soporte técnico y servicios de consultoría para garantizar que los clientes puedan resolver problemas en el proceso de uso.