Oblea epitaxial de nitruro de galio sobre zafiro de 100 mm (4 pulgadas)

(1) Horneado a alta temperatura, el sustrato de zafiro se calienta primero a 1050 ℃ en una atmósfera de hidrógeno, con el propósito de limpiar la superficie del sustrato;

(2) Cuando la temperatura del sustrato baja a 510 ℃, se deposita una capa amortiguadora de GaN/AlN de baja temperatura con un espesor de 30 nm sobre la superficie del sustrato de zafiro;

(3) Se eleva la temperatura a 10 ℃, se inyectan los gases de reacción amoníaco, trimetilgalio y silano, controlando respectivamente el caudal correspondiente, y se hace crecer GaN tipo N dopado con silicio de 4 µm de espesor;

(4) El gas de reacción de trimetilaluminio y trimetilgalio se utilizó para preparar continentes A⒑ de tipo N dopados con silicio con un espesor de 0,15 µm;

(5) Se preparó InGaN dopado con Zn de 50 nm inyectando trimetilgalio, trimetilindio, dietilzinc y amoníaco a una temperatura de 800 ℃ y controlando diferentes caudales respectivamente;

(6) La temperatura se elevó a 1020 ℃, se inyectaron trimetilaluminio, trimetilgalio y bis(ciclopentadienil)magnesio para preparar AlGaN tipo P dopado con Mg de 0,15 µm y glucosa en sangre G tipo P dopada con Mg de 0,5 µm;

(7) Se obtuvo una película de GaN Sibuyan de tipo P de alta calidad mediante recocido en atmósfera de nitrógeno a 700 ℃;

(8) Grabado en la superficie de estasis G de tipo P para revelar la superficie de estasis G de tipo N;

(9) Evaporación de placas de contacto de Ni/Au sobre la superficie de p-GaN, evaporación de placas de contacto de δ/Al sobre la superficie de ll-GaN para formar electrodos.