sustrato
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Semilla de SiC 4H-N Dia205mm de China Monocristalino de grado P y D
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Oblea de silicio de 4 pulgadas FZ CZ Tipo N DSP o SSP Grado de prueba
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Producción de sustrato de SiC de 6 pulgadas de diámetro 150 mm 4H-N y grado ficticio
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El tipo N/P de oblea SiC Epitaxiy de 6 pulgadas se acepta personalizado
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Oblea de zafiro de 3 pulgadas de diámetro 76,2 mm, espesor de 0,5 mm, plano C SSP
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Oblea de silicio CZ Si de 6 pulgadas tipo N o tipo P
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Oblea SiC Epi de 4 pulgadas para MOS o SBD
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Oblea de silicio de óxido térmico de película fina SiO2 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas
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Lingote de SiC de 2 pulgadas Dia50.8mmx10mmt monocristal 4H-N
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Oblea SOI de sustrato de silicio sobre aislante de tres capas para microelectrónica y radiofrecuencia
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Aislante de oblea SOI sobre obleas de silicio SOI (Silicon-On-Insulator) de 8 y 6 pulgadas
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Oblea de dióxido de silicio Oblea SiO2 gruesa pulida, prima y grado de prueba