Obleas de carburo de silicio de 2 pulgadas Sustratos de SiC semiaislantes o tipo N 6H o 4H

Breve descripción:

El carburo de silicio (SiC), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene silicio y carbono con fórmula química SiC. El SiC se utiliza en dispositivos electrónicos semiconductores que funcionan a altas temperaturas o altos voltajes, o ambos. El SiC también es uno de los componentes LED importantes, es un sustrato popular para el cultivo de dispositivos GaN y también sirve como disipador de calor en entornos de alta temperatura. LED de alimentación.

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Oblea de SiC 4H tipo N

Diámetro: 2 pulgadas 50,8 mm | 4 pulgadas 100 mm | 6 pulgadas 150mm

Orientación: fuera del eje 4,0˚ hacia <1120> ± 0,5˚

Resistividad: < 0,1 ohmios.cm

Rugosidad: cara Si CMP Ra <0,5 nm, pulido óptico cara C Ra <1 nm

Oblea de SiC 4H Semiaislante

Diámetro: 2 pulgadas 50,8 mm | 4 pulgadas 100 mm | 6 pulgadas 150mm

Orientación: sobre el eje {0001} ± 0,25˚

Resistividad: >1E5 ohm.cm

Rugosidad: cara Si CMP Ra <0,5 nm, pulido óptico cara C Ra <1 nm

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