Obleas de carburo de silicio de 2 pulgadas, sustratos de SiC semiaislantes o de tipo N 6H o 4H

Descripción breve:

El carburo de silicio (SiC), también conocido como carborundo, es un semiconductor compuesto de silicio y carbono, cuya fórmula química es SiC. El SiC se utiliza en dispositivos electrónicos semiconductores que operan a altas temperaturas, altos voltajes o ambos. El SiC es también uno de los componentes LED más importantes, un sustrato popular para el crecimiento de dispositivos de GaN y actúa como disipador de calor en LED de alta potencia.


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Productos recomendados

Oblea de SiC 4H tipo N

Diámetro: 2 pulgadas 50,8 mm | 4 pulgadas 100 mm | 6 pulgadas 150 mm

Orientación: fuera del eje 4,0˚ hacia <1120> ± 0,5˚

Resistividad: < 0,1 ohm.cm

Rugosidad: cara Si CMP Ra <0,5 nm, cara C pulido óptico Ra <1 nm

Oblea de SiC 4H semiaislante

Diámetro: 2 pulgadas 50,8 mm | 4 pulgadas 100 mm | 6 pulgadas 150 mm

Orientación: en el eje {0001} ± 0,25˚

Resistividad: >1E5 ohm.cm

Rugosidad: cara Si CMP Ra <0,5 nm, cara C pulido óptico Ra <1 nm

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Especificación

avabv

Diagrama detallado

avcabv (1)
avcabv (3)

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