Lingote de SiC de carburo de silicio de 6 pulgadas tipo N, espesor de grado simulado/primero, ba personalizado

Breve descripción:

El carburo de silicio (SiC) es un material semiconductor de banda prohibida amplia que está ganando terreno en una variedad de industrias debido a sus propiedades eléctricas, térmicas y mecánicas superiores. El lingote de SiC en grado Dummy/Prime tipo N de 6 pulgadas está diseñado específicamente para la producción de dispositivos semiconductores avanzados, incluidas aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia. Con opciones de espesor personalizables y especificaciones precisas, este lingote de SiC proporciona una solución ideal para el desarrollo de dispositivos utilizados en vehículos eléctricos, sistemas de energía industrial, telecomunicaciones y otros sectores de alto rendimiento. La robustez del SiC en condiciones de alto voltaje, alta temperatura y alta frecuencia garantiza un rendimiento duradero, eficiente y confiable en una variedad de aplicaciones.
El lingote de SiC está disponible en un tamaño de 6 pulgadas, con un diámetro de 150,25 mm ± 0,25 mm y un espesor superior a 10 mm, lo que lo hace ideal para cortar obleas. Este producto ofrece una orientación de superficie bien definida de 4° hacia <11-20> ± 0,2°, lo que garantiza una alta precisión en la fabricación del dispositivo. Además, el lingote presenta una orientación plana primaria de <1-100> ± 5°, lo que contribuye a una alineación del cristal y un rendimiento de procesamiento óptimos.
Con una alta resistividad en el rango de 0,015–0,0285 Ω·cm, una baja densidad de microtubo de <0,5 y una excelente calidad de borde, este lingote de SiC es adecuado para la producción de dispositivos de potencia que requieren defectos mínimos y un alto rendimiento en condiciones extremas.


Detalle del producto

Etiquetas de producto

Propiedades

Grado: Grado de producción (ficticio/principal)
Tamaño: 6 pulgadas de diámetro
Diámetro: 150,25 mm ± 0,25 mm
Espesor: >10 mm (Espesor personalizable disponible bajo pedido)
Orientación de la superficie: 4° hacia <11-20> ± 0,2°, lo que garantiza una alta calidad del cristal y una alineación precisa para la fabricación del dispositivo.
Orientación plana primaria: <1-100> ± 5°, una característica clave para el corte eficiente del lingote en obleas y para un crecimiento óptimo del cristal.
Longitud plana primaria: 47,5 mm ± 1,5 mm, diseñada para un fácil manejo y corte de precisión.
Resistividad: 0,015–0,0285 Ω·cm, ideal para aplicaciones en dispositivos de potencia de alta eficiencia.
Densidad del microtubo: <0,5, lo que garantiza defectos mínimos que podrían afectar el rendimiento de los dispositivos fabricados.
BPD (densidad de picadura de boro): <2000, un valor bajo que indica una alta pureza cristalina y una baja densidad de defectos.
TSD (densidad de dislocación del tornillo de roscado): <500, lo que garantiza una excelente integridad del material para dispositivos de alto rendimiento.
Áreas de politipo: Ninguna: el lingote está libre de defectos de politipo, lo que ofrece una calidad de material superior para aplicaciones de alta gama.
Sangrías de borde: <3, con un ancho y profundidad de 1 mm, lo que garantiza un daño superficial mínimo y mantiene la integridad del lingote para un corte eficiente de la oblea.
Grietas en los bordes: 3, <1 mm cada una, con baja incidencia de daños en los bordes, lo que garantiza un manejo seguro y un procesamiento posterior.
Embalaje: Caja de oblea: el lingote de SiC se empaqueta de forma segura en una caja de oblea para garantizar un transporte y manipulación seguros.

Aplicaciones

Electrónica de potencia:El lingote de SiC de 6 pulgadas se utiliza ampliamente en la producción de dispositivos electrónicos de potencia como MOSFET, IGBT y diodos, que son componentes esenciales en los sistemas de conversión de energía. Estos dispositivos se utilizan ampliamente en inversores de vehículos eléctricos (EV), motores industriales, fuentes de alimentación y sistemas de almacenamiento de energía. La capacidad del SiC para funcionar a altos voltajes, altas frecuencias y temperaturas extremas lo hace ideal para aplicaciones donde los dispositivos tradicionales de silicio (Si) tendrían dificultades para funcionar de manera eficiente.

Vehículos eléctricos (EV):En los vehículos eléctricos, los componentes basados ​​en SiC son cruciales para el desarrollo de módulos de potencia en inversores, convertidores CC-CC y cargadores de a bordo. La conductividad térmica superior del SiC permite una menor generación de calor y una mejor eficiencia en la conversión de energía, lo cual es vital para mejorar el rendimiento y la autonomía de conducción de los vehículos eléctricos. Además, los dispositivos de SiC permiten componentes más pequeños, livianos y confiables, lo que contribuye al rendimiento general de los sistemas de vehículos eléctricos.

Sistemas de Energías Renovables:Los lingotes de SiC son un material esencial en el desarrollo de dispositivos de conversión de energía utilizados en sistemas de energía renovable, incluidos inversores solares, turbinas eólicas y soluciones de almacenamiento de energía. Las altas capacidades de manejo de energía y la gestión térmica eficiente del SiC permiten una mayor eficiencia de conversión de energía y una mayor confiabilidad en estos sistemas. Su uso en energía renovable ayuda a impulsar los esfuerzos globales hacia la sostenibilidad energética.

Telecomunicaciones:El lingote de SiC de 6 pulgadas también es adecuado para producir componentes utilizados en aplicaciones de RF (radiofrecuencia) de alta potencia. Estos incluyen amplificadores, osciladores y filtros utilizados en telecomunicaciones y sistemas de comunicación por satélite. La capacidad del SiC para manejar altas frecuencias y alta potencia lo convierte en un material excelente para dispositivos de telecomunicaciones que requieren un rendimiento sólido y una pérdida de señal mínima.

Aeroespacial y Defensa:El alto voltaje de ruptura y la resistencia a altas temperaturas del SiC lo hacen ideal para aplicaciones aeroespaciales y de defensa. Los componentes fabricados con lingotes de SiC se utilizan en sistemas de radar, comunicaciones por satélite y electrónica de potencia para aviones y naves espaciales. Los materiales basados ​​en SiC permiten que los sistemas aeroespaciales funcionen en las condiciones extremas que se encuentran en el espacio y en entornos de gran altitud.

Automatización Industrial:En la automatización industrial, los componentes de SiC se utilizan en sensores, actuadores y sistemas de control que necesitan funcionar en entornos hostiles. Los dispositivos basados ​​en SiC se emplean en maquinaria que requiere componentes eficientes y duraderos capaces de soportar altas temperaturas y tensiones eléctricas.

Tabla de especificaciones del producto

Propiedad

Especificación

Calificación Producción (ficticia/principal)
Tamaño 6 pulgadas
Diámetro 150,25 mm ± 0,25 mm
Espesor >10mm (Personalizable)
Orientación de la superficie 4° hacia <11-20> ± 0,2°
Orientación plana primaria <1-100> ± 5°
Longitud plana primaria 47,5 mm ± 1,5 mm
Resistividad 0,015–0,0285 Ω·cm
Densidad del microtubo <0,5
Densidad de picadura de boro (BPD) <2000
Densidad de dislocación de tornillos de roscado (TSD) <500
Áreas de politipo Ninguno
Sangrías de borde <3, 1 mm de ancho y profundidad
Grietas en los bordes 3, <1 mm/ud
Embalaje caso de oblea

 

Conclusión

El lingote de SiC de 6 pulgadas – grado Dummy/Prime tipo N es un material de primera calidad que cumple con los rigurosos requisitos de la industria de semiconductores. Su alta conductividad térmica, resistividad excepcional y baja densidad de defectos lo convierten en una excelente opción para la producción de dispositivos electrónicos de potencia avanzados, componentes automotrices, sistemas de telecomunicaciones y sistemas de energía renovable. Las especificaciones personalizables de espesor y precisión garantizan que este lingote de SiC pueda adaptarse a una amplia gama de aplicaciones, lo que garantiza un alto rendimiento y confiabilidad en entornos exigentes. Para obtener más información o realizar un pedido, póngase en contacto con nuestro equipo de ventas.

Diagrama detallado

Lingote de SiC13
Lingote de SiC15
Lingote de SiC14
Lingote de SiC16

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