Lingote de carburo de silicio SiC de 6 pulgadas, tipo N, grado ficticio/principal, con espesor personalizable.

Descripción breve:

El carburo de silicio (SiC) es un material semiconductor de banda prohibida amplia que está ganando terreno en diversas industrias gracias a sus excelentes propiedades eléctricas, térmicas y mecánicas. El lingote de SiC de 6 pulgadas, grado Dummy/Prime tipo N, está diseñado específicamente para la producción de dispositivos semiconductores avanzados, incluyendo aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia. Con opciones de espesor personalizables y especificaciones precisas, este lingote de SiC ofrece una solución ideal para el desarrollo de dispositivos utilizados en vehículos eléctricos, sistemas de energía industrial, telecomunicaciones y otros sectores de alto rendimiento. La robustez del SiC en condiciones de alta tensión, alta temperatura y alta frecuencia garantiza un rendimiento duradero, eficiente y fiable en diversas aplicaciones.
El lingote de SiC está disponible en un tamaño de 6 pulgadas, con un diámetro de 150,25 mm ± 0,25 mm y un espesor superior a 10 mm, lo que lo hace ideal para el corte de obleas. Este producto ofrece una orientación superficial bien definida de 4° hacia <11-20> ± 0,2°, lo que garantiza una alta precisión en la fabricación de dispositivos. Además, el lingote presenta una orientación plana primaria de <1-100> ± 5°, lo que contribuye a una alineación óptima del cristal y un rendimiento de procesamiento óptimo.
Con una alta resistividad en el rango de 0,015 a 0,0285 Ω·cm, una baja densidad de microtubos de <0,5 y una excelente calidad de borde, este lingote de SiC es adecuado para la producción de dispositivos de potencia que requieren defectos mínimos y un alto rendimiento en condiciones extremas.

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Detalle del producto

Etiquetas de productos

Propiedades

Grado: Grado de producción (ficticio/principal)
Tamaño: 6 pulgadas de diámetro
Diámetro: 150,25 mm ± 0,25 mm
Espesor: >10 mm (espesor personalizable disponible a pedido)
Orientación de la superficie: 4° hacia <11-20> ± 0,2°, lo que garantiza una alta calidad del cristal y una alineación precisa para la fabricación del dispositivo.
Orientación plana primaria: <1-100> ± 5°, una característica clave para el corte eficiente del lingote en obleas y para un crecimiento óptimo del cristal.
Longitud plana primaria: 47,5 mm ± 1,5 mm, diseñada para un fácil manejo y corte de precisión.
Resistividad: 0,015–0,0285 Ω·cm, ideal para aplicaciones en dispositivos de potencia de alta eficiencia.
Densidad de microtubos: <0,5, lo que garantiza defectos mínimos que podrían afectar el rendimiento de los dispositivos fabricados.
BPD (densidad de picaduras de boro): <2000, un valor bajo que indica alta pureza del cristal y baja densidad de defectos.
TSD (densidad de dislocación del tornillo roscado): <500, lo que garantiza una excelente integridad del material para dispositivos de alto rendimiento.
Áreas de politipo: Ninguna: el lingote está libre de defectos de politipo, lo que ofrece una calidad de material superior para aplicaciones de alta gama.
Hendiduras de borde: <3, con un ancho y profundidad de 1 mm, lo que garantiza un daño mínimo a la superficie y mantiene la integridad del lingote para un corte eficiente de la oblea.
Grietas en los bordes: 3, <1 mm cada una, con baja incidencia de daños en los bordes, lo que garantiza un manejo seguro y un posterior procesamiento.
Embalaje: Caja de oblea: el lingote de SiC se empaqueta de forma segura en una caja de oblea para garantizar un transporte y manipulación seguros.

Aplicaciones

Electrónica de potencia:El lingote de SiC de 6 pulgadas se utiliza ampliamente en la producción de dispositivos electrónicos de potencia como MOSFET, IGBT y diodos, componentes esenciales en los sistemas de conversión de energía. Estos dispositivos se utilizan ampliamente en inversores de vehículos eléctricos (VE), variadores de frecuencia para motores industriales, fuentes de alimentación y sistemas de almacenamiento de energía. La capacidad del SiC para operar a altos voltajes, altas frecuencias y temperaturas extremas lo hace ideal para aplicaciones donde los dispositivos tradicionales de silicio (Si) tendrían dificultades para funcionar eficientemente.

Vehículos eléctricos (VE):En los vehículos eléctricos, los componentes de SiC son cruciales para el desarrollo de módulos de potencia en inversores, convertidores CC-CC y cargadores integrados. La superior conductividad térmica del SiC permite una menor generación de calor y una mayor eficiencia en la conversión de energía, lo cual es vital para mejorar el rendimiento y la autonomía de los vehículos eléctricos. Además, los dispositivos de SiC permiten fabricar componentes más pequeños, ligeros y fiables, lo que contribuye al rendimiento general de los sistemas de VE.

Sistemas de energía renovable:Los lingotes de SiC son un material esencial en el desarrollo de dispositivos de conversión de energía utilizados en sistemas de energía renovable, como inversores solares, turbinas eólicas y soluciones de almacenamiento de energía. La alta capacidad de gestión de potencia del SiC y su eficiente gestión térmica permiten una mayor eficiencia de conversión energética y una mayor fiabilidad en estos sistemas. Su uso en energías renovables contribuye a impulsar los esfuerzos globales hacia la sostenibilidad energética.

Telecomunicaciones:El lingote de SiC de 6 pulgadas también es adecuado para la producción de componentes utilizados en aplicaciones de radiofrecuencia (RF) de alta potencia. Estos incluyen amplificadores, osciladores y filtros utilizados en sistemas de telecomunicaciones y comunicación por satélite. La capacidad del SiC para manejar altas frecuencias y alta potencia lo convierte en un material excelente para dispositivos de telecomunicaciones que requieren un rendimiento robusto y una pérdida de señal mínima.

Aeroespacial y Defensa:La alta tensión de ruptura del SiC y su resistencia a altas temperaturas lo hacen ideal para aplicaciones aeroespaciales y de defensa. Los componentes fabricados con lingotes de SiC se utilizan en sistemas de radar, comunicaciones satelitales y electrónica de potencia para aeronaves y naves espaciales. Los materiales a base de SiC permiten que los sistemas aeroespaciales funcionen en las condiciones extremas del espacio y en entornos de gran altitud.

Automatización industrial:En la automatización industrial, los componentes de SiC se utilizan en sensores, actuadores y sistemas de control que operan en entornos hostiles. Los dispositivos basados en SiC se emplean en maquinaria que requiere componentes eficientes y duraderos, capaces de soportar altas temperaturas y tensiones eléctricas.

Tabla de especificaciones del producto

Propiedad	Especificación
Calificación	Producción (ficticia/principal)
Tamaño	6 pulgadas
Diámetro	150,25 mm ± 0,25 mm
Espesor	>10 mm (personalizable)
Orientación de la superficie	4° hacia <11-20> ± 0,2°
Orientación plana primaria	<1-100> ± 5°
Longitud plana primaria	47,5 mm ± 1,5 mm
Resistividad	0,015–0,0285 Ω·cm
Densidad de microtubos	<0,5
Densidad de picadura de boro (BPD)	<2000
Densidad de dislocación del tornillo roscado (TSD)	<500
Áreas de politipo	Ninguno
Sangrías de borde	<3, 1 mm de ancho y profundidad
Grietas en los bordes	3, <1 mm/cada uno
Embalaje	Caja de obleas

Conclusión

El lingote de SiC de 6 pulgadas, grado Dummy/Prime tipo N, es un material premium que cumple con los rigurosos requisitos de la industria de semiconductores. Su alta conductividad térmica, excepcional resistividad y baja densidad de defectos lo convierten en una excelente opción para la producción de dispositivos electrónicos de potencia avanzados, componentes automotrices, sistemas de telecomunicaciones y sistemas de energía renovable. Sus especificaciones de precisión y espesor personalizables garantizan que este lingote de SiC se adapte a una amplia gama de aplicaciones, garantizando un alto rendimiento y fiabilidad en entornos exigentes. Para más información o para realizar un pedido, póngase en contacto con nuestro equipo de ventas.