Sic
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Obleas de carburo de silicio de 2 pulgadas, sustratos de SiC tipo N 6H o 4H o semi-aislantes
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Oblea de sustrato de SiC 4H-N de 4 pulgadas, carburo de silicio, para producción, grado de investigación.
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Obleas de carburo de silicio (SiC) de 6 pulgadas (150 mm), tipo 4H-N, para producción de MOSFET o SBD, investigación y grado de prueba.
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Oblea de SiC 4H-N de 8 pulgadas (200 mm), conductora ficticia de grado de investigación
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Obleas de carburo de silicio de 2 pulgadas, sustratos de SiC tipo N 6H o 4H o semi-aislantes