Sic
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Sustratos compuestos de SiC tipo N de 6 pulgadas de diámetro, sustrato monocristalino de alta calidad y de baja calidad.
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Sustratos compuestos de SiC semiaislantes de 2 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas y 8 pulgadas de diámetro HPSI
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Sustratos compuestos de SiC tipo N sobre Si de 6 pulgadas de diámetro
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Sustrato de SiC de 200 mm de diámetro, 4H-N y carburo de silicio HPSI
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Sustrato de SiC de 3 pulgadas, diámetro de producción: 76,2 mm, 4H-N
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Sustrato de SiC grado P y D Diámetro 50 mm 4H-N 2 pulgadas
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Lingote de SiC tipo 4H-N, grado ficticio, 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, espesor: >10 mm
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Oblea de SiC de 200 mm de grado ficticio 4H-N de 8 pulgadas
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Semilla de SiC de 205 mm de diámetro 4H-N de China, monocristalina de grado P y D
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Oblea epitaxial de SiC de 6 pulgadas, tipo N/P, aceptamos personalización
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Sustrato de SiC de 150 mm de diámetro, 4H-N, 6 pulgadas, producción y grado ficticio
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Oblea de SiC Epi de 4 pulgadas para MOS o SBD