Sic
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Obleas de SiC semi-insultantes de 4 pulgadas Sustrato HPSI SiC Grado de producción principal
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Oblea de sustrato Semi-SiC 4H de 3 pulgadas y 76,2mm Obleas de SiC semiinsultantes de carburo de silicio
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Sustratos de SiC de 3 pulgadas de diámetro y 76,2 mm HPSI Prime Research y grado simulado
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Oblea de sustrato de SiC 4H-semi HPSI de 2 pulgadas, producción simulada, grado de investigación
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Obleas de SiC de 2 pulgadas, sustratos de SiC semiaislantes 6H o 4H de diámetro 50,8mm
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4H-N espesor simulado del grado 500um de la investigación del carburo de silicio de la oblea del sustrato de SiC de 8 pulgadas
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tipo grueso del grado de producción 500um de las obleas 4H-N del SiC del carburo de silicio de 8inch 200m m
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Obleas de carburo de silicio de 2 pulgadas Sustratos de SiC semiaislantes o tipo N 6H o 4H
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4H-N Grado simulado de investigación de producción de carburo de silicio de oblea de sustrato de SiC de 4 pulgadas
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Obleas de SiC de carburo de silicio de 6 pulgadas y 150 mm tipo 4H-N para investigación de producción MOS o SBD y grado simulado
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Grado de investigación simulado conductor de oblea de SiC 4H-N de 8 pulgadas y 200 mm
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Obleas de carburo de silicio de 2 pulgadas Sustratos de SiC semiaislantes o tipo N 6H o 4H