Sic
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Lingote de SiC tipo 4H-N Grado ficticio 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas espesor:> 10 mm
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Oblea de SiC ficticia de grado 4H-N de 8 pulgadas con sustrato de SiC de 200 mm
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Semilla de SiC 4H-N Dia205mm de China Monocristalino de grado P y D
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El tipo N/P de oblea SiC Epitaxiy de 6 pulgadas se acepta personalizado
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Producción de sustrato de SiC de 6 pulgadas de diámetro 150 mm 4H-N y grado ficticio
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Oblea SiC Epi de 4 pulgadas para MOS o SBD
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Lingote de SiC de 2 pulgadas Dia50.8mmx10mmt monocristal 4H-N
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Obleas de SiC de 4 pulgadas Sustratos de SiC semiaislantes 6H grado primario, de investigación y simulado
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Oblea de sustrato HPSI SiC de 6 pulgadas Obleas de SiC semiinsultantes de carburo de silicio
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Obleas de SiC semi-insultantes de 4 pulgadas Sustrato HPSI SiC Grado de producción principal
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Oblea de sustrato Semi-SiC 4H de 3 pulgadas y 76,2mm Obleas de SiC semiinsultantes de carburo de silicio
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Sustratos de SiC de 3 pulgadas de diámetro y 76,2 mm HPSI Prime Research y grado simulado