Sustrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 4 pulgadas con un espesor de 350 um Grado de producción Grado ficticio

Descripción breve:

El sustrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 4 pulgadas, con un espesor de 350 μm, es un material semiconductor de alto rendimiento ampliamente utilizado en la fabricación de dispositivos electrónicos. Conocido por su excepcional conductividad térmica, alta tensión de ruptura y resistencia a temperaturas extremas y entornos corrosivos, este sustrato es ideal para aplicaciones de electrónica de potencia. El sustrato de grado de producción se utiliza en la fabricación a gran escala, lo que garantiza un estricto control de calidad y una alta fiabilidad en dispositivos electrónicos avanzados. Por otro lado, el sustrato de grado ficticio se utiliza principalmente para la depuración de procesos, la calibración de equipos y la creación de prototipos. Las propiedades superiores del SiC lo convierten en una excelente opción para dispositivos que operan en entornos de alta temperatura, alta tensión y alta frecuencia, incluyendo dispositivos de potencia y sistemas de radiofrecuencia.

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Tabla de parámetros del sustrato de SiC de 4 pulgadas, tipo P, 4H/6H-P, 3C-N

4 Silicio de pulgadas de diámetroSustrato de carburo (SiC) Especificación

Calificación			Producción cero de MPD Grado (Z Calificación)	Producción estándar Grado (P Calificación)	Grado ficticio (D Calificación)
Diámetro			99,5 mm ~ 100,0 mm
Espesor			350 μm ± 25 μm
Orientación de las obleas			Fuera del eje: 2,0°-4,0° hacia [112(-)0] ± 0,5° para 4H/6H-P, OEje n:〈111〉± 0,5° para 3C-N
Densidad de microtubos			0 cm-2
Resistividad	tipo p 4H/6H-P		≤0,1 Ωcm		≤0,3 Ωcm
	3C-N de tipo n		≤0,8 mΩcm		≤1 m Ωcm
Orientación plana primaria		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Longitud plana primaria			32,5 mm ± 2,0 mm
Longitud plana secundaria			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientación plana secundaria			Cara de silicio hacia arriba: 90° CW desde la superficie plana principal±5.0°
Exclusión de bordes			3 milímetros		6 milímetros
LTV/TTV/Arco/Urdimbre			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 micras		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 micras
Aspereza			Polaco Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Grietas en los bordes por luz de alta intensidad			Ninguno		Longitud acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm
Placas hexagonales de luz de alta intensidad			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤0,1%
Áreas de politipos mediante luz de alta intensidad			Ninguno		Área acumulada ≤ 3%
Inclusiones visuales de carbono			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤3%
Rayaduras en la superficie de silicio causadas por luz de alta intensidad			Ninguno		Longitud acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea
Chips de borde de alta intensidad de luz			No se permite ninguno ≥0,2 mm de ancho y profundidad		Se permiten 5, ≤1 mm cada uno
Contaminación de la superficie de silicio por alta intensidad			Ninguno
Embalaje			Casete multi-obleas o contenedor de una sola oblea

Notas:

※Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto al área de exclusión del borde. # Los rayones deben verificarse solo en la cara de Si.

El sustrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 4 pulgadas y 350 μm de espesor se utiliza ampliamente en la fabricación avanzada de dispositivos electrónicos y de potencia. Con excelente conductividad térmica, alta tensión de ruptura y gran resistencia a entornos extremos, este sustrato es ideal para electrónica de potencia de alto rendimiento, como interruptores de alta tensión, inversores y dispositivos de radiofrecuencia. Los sustratos de grado de producción se utilizan en la fabricación a gran escala, lo que garantiza un rendimiento fiable y de alta precisión, crucial para la electrónica de potencia y las aplicaciones de alta frecuencia. Los sustratos de grado ficticio, por otro lado, se utilizan principalmente para la calibración de procesos, las pruebas de equipos y el desarrollo de prototipos, lo que contribuye a mantener el control de calidad y la consistencia del proceso en la producción de semiconductores.

EspecificaciónLas ventajas de los sustratos compuestos de SiC tipo N incluyen

Alta conductividad térmicaLa disipación de calor eficiente hace que el sustrato sea ideal para aplicaciones de alta temperatura y alta potencia.
Alto voltaje de ruptura:Admite operación de alto voltaje, lo que garantiza confiabilidad en dispositivos electrónicos de potencia y RF.
Resistencia a entornos hostiles:Duradero en condiciones extremas como altas temperaturas y ambientes corrosivos, lo que garantiza un rendimiento duradero.
Precisión de grado de producción:Garantiza un rendimiento confiable y de alta calidad en la fabricación a gran escala, adecuado para aplicaciones avanzadas de potencia y RF.
Grado ficticio para pruebas:Permite una calibración precisa de procesos, pruebas de equipos y creación de prototipos sin comprometer las obleas de grado de producción.

En general, el sustrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 4 pulgadas y 350 μm de espesor ofrece ventajas significativas para aplicaciones electrónicas de alto rendimiento. Su alta conductividad térmica y tensión de ruptura lo hacen ideal para entornos de alta potencia y alta temperatura, mientras que su resistencia a condiciones adversas garantiza durabilidad y fiabilidad. El sustrato de grado de producción garantiza un rendimiento preciso y consistente en la fabricación a gran escala de electrónica de potencia y dispositivos de radiofrecuencia. Por otro lado, el sustrato de grado ficticio es esencial para la calibración de procesos, las pruebas de equipos y la creación de prototipos, lo que facilita el control de calidad y la consistencia en la producción de semiconductores. Estas características hacen que los sustratos de SiC sean muy versátiles para aplicaciones avanzadas.