Sustrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N 4 pulgadas con un espesor de 350um Grado de producción Grado simulado

Sustrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N 4 pulgadas con un espesor de 350 um Grado de producción Grado ficticio Imagen destacada

Breve descripción:

El sustrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 4 pulgadas, con un espesor de 350 μm, es un material semiconductor de alto rendimiento ampliamente utilizado en la fabricación de dispositivos electrónicos. Conocido por su excepcional conductividad térmica, alto voltaje de ruptura y resistencia a temperaturas extremas y ambientes corrosivos, este sustrato es ideal para aplicaciones de electrónica de potencia. El sustrato de producción se utiliza en la fabricación a gran escala, lo que garantiza un estricto control de calidad y una alta confiabilidad en dispositivos electrónicos avanzados. Mientras tanto, el sustrato de calidad ficticia se utiliza principalmente para la depuración de procesos, la calibración de equipos y la creación de prototipos. Las propiedades superiores del SiC lo convierten en una excelente opción para dispositivos que funcionan en entornos de alta temperatura, alto voltaje y alta frecuencia, incluidos dispositivos de energía y sistemas de RF.

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Tabla de parámetros de sustrato de SiC de 4 pulgadas tipo P 4H/6H-P 3C-N

4 pulgadas de diámetro SilicioSustrato de carburo (SiC) Especificación

Calificación			Producción Cero MPD Grado (Z Calificación)	Producción estándar Grado (P Calificación)	Grado ficticio (D Calificación)
Diámetro			99,5 mm~100,0 mm
Espesor			350 micras ± 25 micras
Orientación de la oblea			Fuera del eje: 2,0°-4,0°hacia [112(-)0] ± 0,5° para 4H/6H-P, OEje n:〈111〉± 0,5° para 3C-N
Densidad del microtubo			0cm-2
Resistividad	tipo p 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	tipo n 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Orientación plana primaria		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Longitud plana primaria			32,5 mm ± 2,0 mm
Longitud plana secundaria			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientación plana secundaria			Silicio boca arriba: 90° CW. desde piso Prime±5.0°
Exclusión de borde			3 milímetros		6 milímetros
LTV/TTV/arco/deformación			≤2,5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 μm		≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 μm
Aspereza			Polaco Ra≤1 nm
			CMPRa≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Grietas en los bordes por luz de alta intensidad			Ninguno		Longitud acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤2 mm
Placas hexagonales por luz de alta intensidad			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤0,1%
Áreas politipo por luz de alta intensidad			Ninguno		Área acumulada≤3%
Inclusiones visuales de carbono			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤3%
Arañazos en la superficie de silicio causados por luz de alta intensidad			Ninguno		Longitud acumulada≤1×diámetro de oblea
Chips de borde altos por intensidad de luz			Ninguno permitido ≥0,2 mm de ancho y profundidad		5 permitidos, ≤1 mm cada uno
Contaminación de la superficie de silicio por alta intensidad			Ninguno
Embalaje			Casete de múltiples obleas o contenedor de una sola oblea

Notas:

※Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea excepto al área de exclusión de bordes. # Los rayones deben revisarse únicamente en la cara Si.

El sustrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 4 pulgadas con un espesor de 350 μm se aplica ampliamente en la fabricación de dispositivos electrónicos y de potencia avanzados. Con una excelente conductividad térmica, un alto voltaje de ruptura y una fuerte resistencia a ambientes extremos, este sustrato es ideal para electrónica de potencia de alto rendimiento, como interruptores de alto voltaje, inversores y dispositivos de RF. Los sustratos de calidad de producción se utilizan en la fabricación a gran escala, lo que garantiza un rendimiento confiable y de alta precisión del dispositivo, lo cual es fundamental para la electrónica de potencia y las aplicaciones de alta frecuencia. Los sustratos ficticios, por otro lado, se utilizan principalmente para la calibración de procesos, pruebas de equipos y desarrollo de prototipos, lo que ayuda a mantener el control de calidad y la coherencia del proceso en la producción de semiconductores.

EspecificaciónLas ventajas de los sustratos compuestos de SiC tipo N incluyen

Alta conductividad térmica: La disipación de calor eficiente hace que el sustrato sea ideal para aplicaciones de alta temperatura y alta potencia.
Alto voltaje de ruptura: Admite el funcionamiento de alto voltaje, lo que garantiza la confiabilidad en la electrónica de potencia y los dispositivos de RF.
Resistencia a entornos hostiles: Durable en condiciones extremas, como altas temperaturas y ambientes corrosivos, lo que garantiza un rendimiento duradero.
Precisión de grado de producción: Garantiza un rendimiento confiable y de alta calidad en la fabricación a gran escala, adecuado para aplicaciones avanzadas de energía y RF.
Grado ficticio para pruebas: Permite una calibración precisa del proceso, pruebas de equipos y creación de prototipos sin comprometer las obleas de grado de producción.

En general, el sustrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 4 pulgadas con un espesor de 350 μm ofrece ventajas significativas para aplicaciones electrónicas de alto rendimiento. Su alta conductividad térmica y voltaje de ruptura lo hacen ideal para entornos de alta potencia y alta temperatura, mientras que su resistencia a condiciones duras garantiza durabilidad y confiabilidad. El sustrato apto para producción garantiza un rendimiento preciso y consistente en la fabricación a gran escala de dispositivos electrónicos de potencia y RF. Mientras tanto, el sustrato de calidad ficticia es esencial para la calibración de procesos, las pruebas de equipos y la creación de prototipos, lo que respalda el control de calidad y la coherencia en la producción de semiconductores. Estas características hacen que los sustratos de SiC sean muy versátiles para aplicaciones avanzadas.