Sustrato de SiC Dia200mm 4H-N y carburo de silicio HPSI

4H-N y HPSI es un politipo de carburo de silicio (SiC), con una estructura de red cristalina que consta de unidades hexagonales formadas por cuatro átomos de carbono y cuatro de silicio. Esta estructura dota al material de excelentes características de movilidad electrónica y voltaje de ruptura. Entre todos los politipos de SiC, 4H-N y HPSI se utilizan ampliamente en el campo de la electrónica de potencia debido a su movilidad equilibrada de electrones y huecos y su mayor conductividad térmica.

La aparición de sustratos de SiC de 8 pulgadas representa un avance significativo para la industria de los semiconductores de potencia. Los materiales semiconductores tradicionales basados ​​en silicio experimentan una caída significativa en su rendimiento en condiciones extremas, como altas temperaturas y altos voltajes, mientras que los sustratos de SiC pueden mantener su excelente rendimiento. En comparación con los sustratos más pequeños, los sustratos de SiC de 8 pulgadas ofrecen un área de procesamiento de una sola pieza más grande, lo que se traduce en una mayor eficiencia de producción y menores costos, cruciales para impulsar el proceso de comercialización de la tecnología SiC.

La tecnología de crecimiento para sustratos de carburo de silicio (SiC) de 8 pulgadas requiere una precisión y pureza extremadamente altas. La calidad del sustrato afecta directamente el rendimiento de los dispositivos posteriores, por lo que los fabricantes deben emplear tecnologías avanzadas para garantizar la perfección cristalina y la baja densidad de defectos de los sustratos. Por lo general, esto implica procesos complejos de deposición química de vapor (CVD) y técnicas precisas de corte y crecimiento de cristales. Los sustratos 4H-N y HPSI SiC se utilizan especialmente en el campo de la electrónica de potencia, como en convertidores de potencia de alta eficiencia, inversores de tracción para vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable.

Podemos proporcionar sustrato de SiC 4H-N de 8 pulgadas y diferentes grados de obleas de sustrato. También podemos organizar la personalización según sus necesidades. ¡Bienvenida consulta!