Sustrato de SiC de 200 mm de diámetro, 4H-N y carburo de silicio HPSI

El 4H-N y el HPSI son politipos de carburo de silicio (SiC), con una estructura de red cristalina compuesta por unidades hexagonales compuestas por cuatro átomos de carbono y cuatro de silicio. Esta estructura confiere al material excelentes características de movilidad electrónica y voltaje de ruptura. Entre todos los politipos de SiC, el 4H-N y el HPSI se utilizan ampliamente en el campo de la electrónica de potencia debido a su equilibrada movilidad de electrones y huecos, y a su mayor conductividad térmica.

La aparición de los sustratos de SiC de 8 pulgadas representa un avance significativo para la industria de semiconductores de potencia. Los materiales semiconductores tradicionales basados ​​en silicio experimentan una disminución significativa de su rendimiento en condiciones extremas, como altas temperaturas y altos voltajes, mientras que los sustratos de SiC pueden mantener su excelente rendimiento. En comparación con sustratos más pequeños, los sustratos de SiC de 8 pulgadas ofrecen una mayor área de procesamiento de una sola pieza, lo que se traduce en una mayor eficiencia de producción y menores costos, cruciales para impulsar la comercialización de la tecnología de SiC.

La tecnología de crecimiento de sustratos de carburo de silicio (SiC) de 8 pulgadas requiere una precisión y pureza extremadamente altas. La calidad del sustrato influye directamente en el rendimiento de los dispositivos posteriores, por lo que los fabricantes deben emplear tecnologías avanzadas para garantizar la perfección cristalina y una baja densidad de defectos en los sustratos. Esto suele implicar complejos procesos de deposición química en fase de vapor (CVD) y técnicas precisas de crecimiento y corte de cristales. Los sustratos de SiC 4H-N y HPSI se utilizan especialmente en el campo de la electrónica de potencia, como en convertidores de potencia de alta eficiencia, inversores de tracción para vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable.

Ofrecemos sustrato de SiC 4H-N de 8 pulgadas y obleas de sustrato de diferentes grados. También podemos personalizarlas según sus necesidades. ¡Consulte con nosotros!