Lente óptica Sic 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI Tamaño personalizado

1. Alto índice de refracción y amplia ventana de transmisión: Las lentes ópticas de SiC presentan un rendimiento óptico excepcional con un índice de refracción de aproximadamente 2,6-2,7 en todo su espectro operativo. Esta amplia ventana de transmisión (600-1850 nm) abarca las regiones visible e infrarroja cercana, lo que las hace especialmente valiosas para sistemas de imágenes multiespectrales y aplicaciones ópticas de banda ancha. El bajo coeficiente de absorción del material en estos rangos garantiza una atenuación mínima de la señal, incluso en aplicaciones láser de alta potencia.

2. Propiedades ópticas no lineales excepcionales: La singular estructura cristalina del carburo de silicio le confiere notables coeficientes ópticos no lineales (χ(2) ≈ 15 pm/V, χ(3) ≈ 10-20 m²/V²), lo que permite procesos de conversión de frecuencia eficientes. Estas propiedades se están aprovechando activamente en aplicaciones de vanguardia como osciladores paramétricos ópticos, sistemas láser ultrarrápidos y dispositivos de procesamiento de señales totalmente ópticos. El alto umbral de daño del material (>5 GW/cm²) mejora aún más su idoneidad para aplicaciones de alta intensidad.

3. Estabilidad mecánica y térmica: Con un módulo elástico cercano a los 400 GPa y una conductividad térmica superior a los 300 W/m·K, los componentes ópticos de SiC mantienen una estabilidad excepcional bajo tensión mecánica y ciclos térmicos. Su coeficiente de expansión térmica ultrabajo (4,0 × 10⁻¹/K) garantiza un desplazamiento focal mínimo con las variaciones de temperatura, una ventaja crucial para los sistemas ópticos de precisión que operan en entornos térmicos fluctuantes, como aplicaciones espaciales o equipos industriales de procesamiento láser.

4. Propiedades cuánticas: Los centros de color de vacancia de silicio (VSi) y divacancia (VSiVC) en politipos de 4H-SiC y 6H-SiC presentan estados de espín ópticamente direccionables con largos tiempos de coherencia a temperatura ambiente. Estos emisores cuánticos se están integrando en redes cuánticas escalables y son particularmente prometedores para el desarrollo de sensores cuánticos a temperatura ambiente y dispositivos de memoria cuántica en arquitecturas de computación cuántica fotónica.

5. Compatibilidad con CMOS: La compatibilidad del SiC con los procesos estándar de fabricación de semiconductores permite la integración monolítica directa con plataformas fotónicas de silicio. Esto facilita la creación de sistemas híbridos fotónico-electrónicos que combinan las ventajas ópticas del SiC con la funcionalidad electrónica del silicio, abriendo nuevas posibilidades para el diseño de sistemas en chip en aplicaciones de computación óptica y detección.